GaAs导带中电子自旋极化的能量演化

考虑自旋极化依赖的带隙重整化效应,分别计算了常温与10 K的低温下GaAs导带中光注入电子自旋极化度的能量演化。计算过程中假设右旋圆偏振光激发,载流子浓度为2×1017 cm-3。发现常温下电子初始自旋极化度随过超能量的增大而增大,并非为通常认为的0.5。而在低温下,导带底附近电子初始自旋极化度几乎为0,电子初始自旋极化度也随过超能量的增大而增大,高能级上可以获得100%的电子初始自旋极化度。     

电子碰撞Li＋离子（e,2e）反应微分截面中的干涉效应

利用修正BBK理论,计算了能量为145．6eV的入射电子碰撞Li (1s),(e,2e)反应三重微分截面（TDCS）,并讨论了交换,关联与干涉效应及入射道库仑场对TDCS的重要影响。     

GaAs中电子自旋极化的浓度依赖研究

采用时间分辨圆偏振光抽运-探测光谱,研究本征GaAs中导带底附近电子初始自旋极化和自旋弛豫动力学.发现电子初始自旋极化度小于通常认为的0.5,并随光注入载流子浓度的增大而减小.假设右旋圆偏振光激发到导带的自旋取向,向上与向下电子浓度之比为13,理论计算的电子初始自旋极化度随载流子浓度变化关系与实验结果很好的符合.计算结果同时表明,带隙重整化效应对电子初始自旋极化度有较大影响,但电子初始自旋极化度小于0.5的现象并非起源于带隙重整化效应.     

（e,2e）反应中初通道相互作用强度的理论研究

在前期工作的基础上，用修正后的BBK理论研究了共面等能几何条件下，电子入射离化氢原子三重微分截面的结构，讨论了低能（e,2e)反应中的Rutherford散射效应，揭示了(e,2e)反应中初通道相互作用强度是怎样随入射能的增加而改变的。     

NBT基陶瓷中相变致电子发射的研究

在无铅铁电阴极钛酸铋钠（NBT）中获得了20 A/cm2的电流发射密度。在施加激励电压过程中,观察到了和其他阴极材料不同的3个发射电流峰。通过考虑相变因数对电流发射的影响,修正了基于极化反转致电子发射模型的电流发射公式,由此定量解释了在NBT基陶瓷中观察到的不同电流发射现象,揭示了电流发射不仅仅由已有文献中提出的快极化反转产生,也可以由极化的变化(比如相变)产生。为进一步验证该结论和弄清不同种类铁电阴极电子发射的机理,进行了NBT与锆钛酸铅（PZT）的电子发射比较实验。在电子发射前后观察到NBT的压电常     

纤锌矿结构ZnO、AlN、GaN自发极化及压电系数的第一性原理计算

以现代极化理论为基础,通过构建一种结构简单、直观的计算模型,分别采用Berry phase和最大局域化Wannier函数方法并结合第一性原理,计算了纤锌矿结构的ZnO、AlN及GaN半导体的自发极化及压电系数,研究了自发极化与晶体结构之间的关系.计算结果与已有报道结果吻合较好.结果表明:AlN的自发极化及压电系数在三种半导体中最大,其自发极化超过另外两种半导体的两倍.发现最大局域化Wannier函数方法与Berry phase方法相比,由于产生了Wannier中心,因此在分析自发极化、电子结构及原子成键上具有独特的优势,能给出更清晰的物理图像.     

He(e,3e)末态波函数动量相关效应

考虑末态波函数动量相关效应，计算了入射能量为5599eV时，敲出电子等能分享几何安排下的He（e，3e）反应的五重微分截面，并比较采用各种末态波函数动量相关下的计算结果．表明理论计算结果在误差范围内与实验数据基本吻合，末态波函数动量相关效应对He（e，3e）反应的五重微分截面具有一定影响．     

极性半导体中通过形变势表面极化子

有不少的极性半导体，电子与表面光学（SO）声子耦会强，但与表面声学（SA）声子耦会弱。本文采用线性组合算符方法，导出了极性半导体中通过形变势表面极化子的有效哈密顿量。并对两种限情形进行了讨论。     

He原子的低能(e,2e)过程中的极化和关联效应

用包含后碰撞作用和极化效应的扭曲波玻恩近似理论计算了共面不对称几何条件下入射电子能量为50eV时He原子的低能(e,2e)反应的三重微分截面,并同实验测量结果进行了比较。指出后碰撞作用和极化效应在共面不对称几何条件下He原子的低能(e,2e)过程中均起着重要的作用。     

(e,2e)反应研究的意义及进展

本文从动力学和结构学两方面简单介绍了(e，2e)反应研究的意义及进展，并对(e，2e)谱仪的发展作了简单的介绍。     

高能e+e-碰撞喷注的判定及其性质的研究

用蒙特卡罗方法模拟e+e-碰撞,研究了在91.2Gev质心能量产生的双喷注事件的动力学起伏随截断参量ycutt的变化情况.结论是:(1)喷注内部的动力学起伏的各向异性随着截断参数ycut的变化而显著地改变;(2)存在一个转变点,在该点处动力学起伏在纵一横平面是各向同性的,而在横平面是各向异性的.     

用同步辐射光电子谱研究氧对GaAs-Al和GaAs-Au界面形成的影响

用同步辐射光电子谱研究了吸附于清洁的GaAs(110)解理面上的约0.7个单原子层的氧对Al—GaAs以及Au—GaAs界面形成的影响.初始淀积的铝(1ML)倾向于夺取As—O键中的氧,随后淀积的铝(>1ML)又从Ga—O键中夺取氧,形成Al—O键;Al的进一步增加使Al与次层GaAa的置换反应变得明显,其结果生成AlAs,同时被置换出来的Ga穿界面而出现在表面.微量的Au(<1ML)与O—GaAs之间只有微弱的相互作用.随后淀积的Au破坏As—O键并促使形成较稳定的Ga的氧化物,Ga的氧化物层阻止Ga进入Au,但不能阻止As分聚于Au层的表面.     

高二次电子发射系数材料砷化镓的理论设计

根据通常负电子亲和势二次电子发射材料砷化镓的能级特点,提出延长负电子亲和势二次电子发射材料砷化镓的逸出深度的理论设计,设计出了特殊的负电子亲和势二次电子发射材料砷化镓.通过对两种负电子亲和势二次电子发射材料的二次电子发射系数的理论值进行比较和分析,得出:当原电子入射能量较低时,两种材料的二次电子发射系数差值较小;当原电子入射能量较高时,两种材料的二次电子发射系数差值较大,而且随着原电子入射能量的升高,两种材料的二次电子发射系数差值也在增大.     

（e，2e）电子动量谱仪的电子光学系统

设计、研制了（ｅ，２ｅ）电子动量谱仪的电子光学系统，调试和测试结果表明，该系统性能达到了预期设计指标，满足了谱仪的要求．     

氢原子(e,2e)反应中基态三重微分散射截面的计算

利用(e,2e)反应中跃迁矩阵的后滞形式,忽略了质心运动和相对运动的情况下,计算基态氢原子单离化的三重微分散射截面,与相关的实验结果符合的较好.笔者的近似计算能较好的反映基态的散射过程,计算量较小,该方法可以进一步推广到激发态散射截面的计算中.     

Photoinduced micropattern in an azobenzene polymer film

The micropattern observed in the amorphous azobenzene polymer film by degenerated four-wave mixing has been reported.Patterns with well-defined structures are examined with the scanning electron microscopy and the polarizing optical microscopy.It is demonstrated that the control of photoinduced micropattern in the azobenzene polymer film is possible by using appropriate polarized writing beams with total incident power exceeding a certain threshold.     

表面声波在一维电子通道中诱导产生的声电电流

表面声波(SAW)在GaAS／AlxGa1-xAs异质结表面上沿由分裂门产生的准一维电子通道方向传播时，在通道中可诱导产生声电电流，根据准经典(WKB)近似，计算出一维电子通道钳断情况下的量子化声电电流，并详细讨论了源漏偏压和库仑相互作用对声电电流的影响。