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相似文献
 共查询到11条相似文献,搜索用时 62 毫秒
1.
文章利用二维衍射光栅作为测量基准进行平面微位移测量,采用偏振干涉的原理设计系统的光路。通过对干涉条纹的光电转换得到质量较好的正交信号,经对系统误差的补偿,把系统的测量结果与双频干涉仪进行对比,此系统可实现纳米级分辨率的二维平面测量。  相似文献   

2.
作为单模光纤与硅基光电子芯片之间的光耦合接口,光栅耦合器具有强对准容差能力、可随意放置以及晶圆级测试能力等一系列优点,因此被广泛应用于硅基光耦合和光封装.然而为了减小二次反射,传统光栅耦合器通常设计为具有一定光耦合倾角,这个耦合倾角会给测试和封装带来不便.完全垂直光栅耦合器可以避免在光学封装中用到昂贵的角度抛光工艺,这个优点使得它们在多核芯光纤和光纤阵列的耦合应用中非常具有吸引力.本文提出并实验验证了一种基于二维光栅和四通道波导设计的完全垂直光耦合接口,器件仿真耦合效率最高可达54%,耦合中心波长在1555nm附近,向上的光反射损耗为14%(-8.5dB).为了实验验证器件功能,我们基于CMOS兼容工艺对器件进行了加工制造,器件光学输入为四通道垂直耦合二维光栅,通过两个1×2MMI光学合束器将四个通道合为两输出通道并通过光栅耦合器输出.器件实验测试结果显示器件总耦合效率可达40%(单端输出耦合损耗为-7dB),同时我们还测试了具有臂长差的器件,光谱呈现出较强的干涉波形,这说明器件具有类马赫曾德干涉仪的性质,有望在电光调制和光学滤波等领域获得应用.  相似文献   

3.
利用软光刻技术在凸面基底上制备了光栅结构.以此凸面基底上制备的光栅结构作为模板,利用静电场诱导光刻技术实现了凹面基底上光栅结构的制备.光栅模板结构的高度为5.3μm,线宽是6.25μm,高宽比达到0.85∶1.诱导成形光栅结构的高度为42μm,线宽是13.35μm,高宽比高于3∶1.结果表明借助静电场诱导光刻技术可以在曲面基底上利用小高宽比的微结构模板制备出大高宽比的微结构.  相似文献   

4.
微细加工技术是MEMS技术的核心技术,本文详细介绍了常用的MEMS三维加工工艺、应用现状和发展趋势,并提出了目前这些方法中存在的缺陷。  相似文献   

5.
李伟 《科技信息》2008,(7):33-34
微细加工技术是MEMS技术的核心技术,本文详细介绍了常用的MEMS三维加工工艺、应用现状和发展趋势,并提出了目前这些方法中存在的缺陷。  相似文献   

6.
提出了用二维全息光栅制作自由空间光学时钟分布中的全息光学元件的方法.实验中采用类似于马赫 泽德干涉仪的光路;其中,物光为二维光栅中间的9个衍射级.分析了二维光栅各衍射级的衍射效率、位置及各衍射级之间的间距.初步实验得到了可产生二维3×3输出端的全息光学元件.理论分析表明,该全息光学元件可适用于3×3光敏面半径大于10μm的光探测器阵列.  相似文献   

7.
晶体中获得大的绝对带隙,可以通过降低格子对称性解除简并来实现。格子对称性的降低一般可以通过向晶体的原胞内引入不同半径的柱子的方法实现,在该方法基础上结合滑移操作,对二维正方形光子晶体结构进行了研究,发现这种联合方法用于打开绝对带隙特别有用,其相对带隙宽度约为“双柱子正方形格子”情况的2倍,同时还使绝对带隙出现的位置向低频处移动。  相似文献   

8.
马瑞智  刘洋  戴敏宏 《科技信息》2010,(31):I0008-I0008,I0007
本文介绍了二维动画与三维动画两者之间的联系,分析在目前三维动画流行的趋势下,二维动画将作出的转变,并通过案例分析来证明二维动画和三维技术发展的契合点,只有通过多种表现手段与技巧,互相取长补短,创作出新形态的二维动画,这样既保持了自身的特色,又跟得上动画发展的潮流。中国动画目前正处于开拓快速发展时期,前景充满希望,研究二维动画和三维动画的关系,可以更好的将两者的技术相互运用在未来的动画制作当中。  相似文献   

9.
基于二维条码的信息隐藏技术   总被引:1,自引:0,他引:1  
提出一种基于二维条码进行信息隐藏的技术。利用变形技术对二维条码PDF417符号字符中的各组成单元宽度加以适量的变动,采用误差累积的方式实现隐藏信息的嵌入和提取。实验结果和安全性分析表明,该方法可以有效的抵御打印扫描攻击,具有安全性高、隐藏信息容量大、信息提取率高等优点。  相似文献   

10.
为有效分析隧道超前探测图像以避免灾害的发生,研究应用二维希尔伯特—黄变换(二维HHT)进行隧道超前探测图像的识别与检测。应用二维经验模态分解(BEMD)方法将隧道超前探测图像分解为不同频率的本征模态函数图(IMF)分量,去除含噪声的高频分量,得到重构后的新图像;再对新图像进行Hilbert变换,进而进行复信号分析,并求取图像的瞬时参数,突出图像特征。研究表明:二维HHT方法能较好地去除图像的噪声部分,并结合复信号分析所到的瞬时参数图,突出超前探测图像的异常体特征。  相似文献   

11.
采用变角XPS技术分析单晶Si和非晶Si衬底上覆盖SiO2薄层的样品,比较变角XPS定量计算超薄SiO2层厚度的几种方法及特点,从而获得一种比较可靠稳定的分析计算方法。实际应用证明,变角XPS技术可用于MOS集成器件的超薄栅氧化层厚度常规分析和测试。  相似文献   

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