YAG基片的机械抛光研究

通过对机械抛光后的YAG表面进行了研究,结果表明:合理优化工艺参数,可获得较好的面形和较低的粗糙度,影响抛光效率的因素为磨粒、正压力和转速。采用较大粒度的磨粒,合理的增加压力和转速,有利于提高抛光效率。     

化学机械抛光垫在集成电路制造中的专利技术分析

通过对美国罗门哈斯公司1997—2020年在抛光垫领域的专利申请进行分析,得到其全球专利申请量分布和申请趋势、专利转让情况、专利法律状态、专利布局区域、专利引用状况以及技术发展脉络等重要信息。确定了该公司从1909年至今在该领域中的研发历程和研发重点方向,为我国企业在该领域的发展和突破,以及在技术和区域方面的专利布局提供一定的参考,促进我国在化学机械抛光垫领域中的健康发展。     

蓝宝石衬底铜抛-CMP加工技术

针对蓝宝石衬底超精密加工存在的抛光表面不稳定问题,对蓝宝石衬底铜抛-化学机械抛光(CMP)加工技术进行研究,系统探讨铜抛与CMP的抛光压力、转速和抛光时间对蓝宝石衬底表面质量及加工效率的影响.综合评价各表面质量指标,结果表明:在满足表面质量对抛光工艺要求的前提下,采用铜抛的最佳工艺参数为铜抛压力98.0 kPa,转速55 r·min^-1,铜抛时间30 min;化学机械抛光的最佳工艺参数为抛光压力215.6 kPa,转速60 r·min^-1,抛光时间120 min,由此可获得高质量、无损伤的蓝宝石衬底抛光表面.     

化学机械抛光抛光垫研究进展

化学机械抛光（CMP）技术几乎是现今唯一的公认有效的全局平坦化技术,广泛应用在超大规模集成电路、计算机硬磁盘、微型机械系统等表面的平整化。本文综述了化学机械抛光抛光垫的研究现状。     

化学机械抛光中抛光垫作用分析

化学机械抛光（chemical mechanical polishing／planarization,CMP）能够提供高级别的整体平面度和局部平面度而成为集成电路（integrated circuit,IC）中起重要作用的一门技术．抛光垫是CMP性能的主要影响因素．这里建立了一个初步的二维流动模型以考虑抛光垫的弹性、孔隙参数、粗糙度以及晶片形状等因素对抛光液流动性能的影响,并通过数值模拟得出了它们对压力分布和膜厚等的作用．结果表明：由于抛光垫的变形和多孔性,承载能力将有所下降,膜厚增大,从而有利于抛光液中粒子和磨屑的带出．晶片表面曲率的变化对压力和膜厚的作用也很明显,全膜条件粗糙度的存在将引起流体压力的波动．研究为设计CMP中合适的抛光垫参数提供了初步的理论依据．     

磨粒和抛光垫对铝合金化学机械抛光性能

磨粒和抛光垫为化学机械抛光(CMP)提供了重要的机械磨削作用。为了探讨磨粒和抛光垫对铝合金化学机械抛光的磨削作用,研究了不同种类磨粒和抛光垫对材料去除率和表面形貌的影响。结果表明：在pH=12-13时,氧化铝抛光液去除率(MRR)为910nm/min,远大于二氧化硅与氧化铈抛光液,且获得较为理想光滑表面。3种不同抛光垫抛光后的铝合金表面,呢子抛光垫表面将不会出现划痕与腐蚀点,表面粗糙度较低为10.9nm。随着氧化铝浓度的增加,材料去除率(MRR)和表面粗糙度(Ra)均增加。当氧化铝含量为4wt%时,抛光垫使用呢子抛光垫适宜铝合金化学机械抛光,在获得高去除率的同时铝合金表面精度高。     

航空整体结构件加工变形的在线测量方法

整体结构件的变形测量是保证其质量的重要手段,但结构件的尺寸大,通常为薄壁结构,往往存在较为严重的变形问题,而传统的测量仪器和测量手段无法准确测量其变形。为了解决整体结构件的变形测量问题,本文提出了结构件的在线测量方法。将结构件划分为若干个区域,每个区域可视为薄板结构,推导出薄板在典型变形下的变形函数,进行仿真验证变形函数的准确性,从而得到整体结构件的变形函数和评价方法,提出整体结构件的在线测量方法。传统测量方法只能在加工后进行变形测量,本文提出的方法可以在工序间进行测量,提高结构件的质量。     

40Cr钢表面变形与整体变形差异研究

４０Ｃｒ钢表面变形与整体变形差异研究方信贤（福州大学机械工程系，福州，３５０００２）通常所说的变形抗力与变形规律都是指整体的。关于表面变形抗力、变形规律及其与整体变形抗力、变形规律之间的差异，迄今研究的尚不多。由于ｘ射线法测定应力时ｘ射线透过金属表面...     

磁场电化学光整加工研究

建立了磁场电化学光整加工中离子运动轨迹方程,通过旁通分析了磁场对光整加工的作用及整平机制。研究结果表明：（１）磁场活跃了离子运动轨迹,改变了离子到达试件表面的方式,从而改善了表面粗糙度;（２）磁场的搅拌作用,加强了液相对流,离子的扩散和迁移,改变了电化学反应,使极间电流强度增大,加工效率提高;（３）磁场、电场和电极间隙存在最佳匹配关系。     

减少钢中夹杂的途径及其变形处理

在了解夹杂物对钢性能影响的基础上,首先应力求降低夹杂物的含量,对不可能排除而残留在钢中的夹杂物可采用变形处理,改变其存在状态,以减小其对钢性能的危害性。     

化学机械抛光中化学作用和机械作用协同的实验研究

借助现代实验仪器在微纳量级模拟化学机械抛光工况条件,采集摩擦界面的实时摩擦因数,研究单晶硅片化学机械抛光中的化学作用和机械作用的协同及相互影响关系.研究结果表明:在一定的化学机械抛光工艺条件下,去离子水和过氧化氢的化学作用及抛光正压力与滑划速度的机械作用对化学机械抛光的材料去除过程有着不同的影响.进一步分析研究获得了化学和机械作用协同的工艺参数条件:当抛光正压力为70mN、滑划速度为8.00mm/s时,抛光效果最优.     

Research on the molecular scale material removal mechanism in chemical mechanical polishing

This paper investigates a novel molecular scale material removal mechanism in chemical mechanical polishing （CMP） by incorporating the order-of-magnitude calculations, particle adhesion force, defect of wafer, thickness of newly formed oxidized layer, and large deformation of pad/particle not discussed by previous analysis. The theoretical analysis and experimental data show that the indentation depth, scratching depth and polishing surface roughness are on the order of molecular scale or less. Therefore, this novel mechanism has gained the support from wide order-of- magnitude calculations and experimental data. In addition, with the decrease in the particle size, the molecular scale removal mechanism is plausibly one of the most promising removal mechanisms to clarify the CMP polishing process. The results are useful to substantiating the molecular-scale mechanism of the CMP material removal in addition to its underlying theoretical foundation.     

基于单分子层去除机理的芯片化学机械抛光材料去除模型

基于单分子层材料的去除机理,应用微观接触力学和概率统计方法建立了化学机械抛光(CMP)及材料去除的数学物理模型.模型揭示了材料的去除率和磨粒的大小、浓度呈非线性关系,而且模型预测结果与已有的试验数据相吻合,为进一步研究磨粒对CMP材料去除的影响提供了新的研究视角.     

残余应力场对焊接动态变形的影响

通过一组窄板小型焊接变形试验,证明了残余应力场对焊接构件的动态变形过程,因而也对焊件最终的残余变形有着不可忽视的影响。其机理为:焊接过程中力学熔池的运动干扰了焊件中原有残余应力场的平衡,引起焊件的附加变形。附加变形既改变了焊件高温区的压缩塑性变形,又改变了焊件冷却阶段的变形。     

雾化施液CMP工艺及实验设备

针对传统化学机械抛光的平坦化制程中抛光液使用量大和环保等问题,提出了一种利用超声波雾化抛光液进行抛光的工艺方法。介绍了试验台架搭建、工艺处理方法、工作原理和抛光工艺,并与传统化学机械抛光效果进行了比较。研究表明,在表面质量上,雾化工艺能够达到传统化学机械抛光的量级,其使用量是传统化学机械抛光的1／10。     

Influence of sample preparation on nanoindentation results of twinning-induced plasticity steel

Nanoindentation is an attractive characterization technique,as it not only measures the local properties of a material but also facilitates understanding of deformation mechanisms at submicron scales.However,because of the complex stress-strain field and the small scale of the deformation under the nanoindenter,the results can be easily influenced by artifacts induced during sample preparation.In this work,a systematic study was conducted to better understand the influence of sample preparation methods on the nanoindentation results of ductile metals.All experiments were conducted on a steel(Fe-22Mn-0.65C,wt%)with twinning-induced plasticity(TWIP),which was selected for its large grain size and sensitivity to different surface preparation methods.By grouping the results obtained from each nanoindent,chemical polishing was found to be the best sample preparation method with respect to the resulting mechanical properties of the material.In contrast,the presence of a deformation layer left by mechanical polishing and surface damage induced by focused ion beam(FIB)scanning were confirmed by the dislocation-nucleation-induced pop-in events of nanoindentation.     

纯镍金相腐蚀中化学抛光方法的研究

对纯镍化学抛光方法中抛光剂的组成、抛光温度和抛光时间进行了研究.结果表明：用正交试验方法确定金属的抛光配方可行,此方法可以用于其他金属或合金;纯镍抛光的较佳腐蚀液配方的体积分数为正磷酸4.8%、硫酸66.7%和盐酸28.5%,腐蚀时间为15 min;该方法可以一次进行多组试样的化学抛光.