立式冷壁反应器中化学气相淀积TiN涂层 Ⅰ.淀积参数对反应速率和涂层质量的影响

在立式冷壁CVD反应器中,用TiCl_4-H_2N_2和TiCl_4-H_2N_2-Ar为反应物源,在YT15硬质合金刀片上淀积TiN涂层。研究了淀积参数对淀积薄膜质量和淀积速率的影响。得到的TiN_x涂层外观光洁,呈金黄色,x为0.8～1.6,淀积速率15～60m~(-6)/h,显微硬度1800～2200HV,淀积反应为扩散过程控制;表观活化能为46.5kJ/mol。实验表明,TiN在冷壁反应器中的淀积速率远大于在热壁反应器中的淀积速率。     

PECVD多晶硅膜的计算机模拟

在LPCVD理论模型基础上,通过引进“电子温度”,对 PECVD多晶硅膜进行了计算机模拟分析.结果表明,射频功率和反应室气压是影响PECVD淀积速率分布的两个主要因素,且两者受p=kW线性关系的制约,即对于一定的射频功率,总可选择一合适的反应室气压,使淀积速率分布最佳.实验结果与理论分析相吻合.     

PECVD多晶硅膜的计算机模拟

在ＬＰＣＶＤ理论模型基础上，通过引进“电子温度”，对ＰＥＣＶＤ多晶硅膜进行了计算机模拟分析。结果表明，频功率和反应室气压是影响ＰＥＣＶＤ淀积速率分布的两个因素，且两者受ｐ＝ｋＷ线性关系的制约，即对于一定的射频功率，总可选择一何适的反应室气压，使淀积速率分布最佳，实验结果与理论分析相吻合。     

SnO_2薄膜的化学气相淀积 Ⅰ.SnO_2薄膜的制备过程动力学

利用化学气相淀积方法,在载玻片上淀积二氧化锡薄膜,研究了过程的动力学特征,考察了不同操作参数对淀积速率的影响。建立了淀积速率与反应气体分压的关系式,并初步提出了淀积过程的反应原理。     

硅烷热分解汽相淀积多晶硅

本文讨论了电荷耦合器件(CCD)的多晶薄膜的淀积,研究了多晶硅薄膜的掺杂,报导了以三氯化磷为淀积多晶硅薄膜的掺杂剂实验结果。文中还分析了多晶硅对CCD器件性能的影响。     

掺硼硅显示异常腐蚀现象的研究

本文讨论(100)和(110)硅在各向异性腐蚀中与掺硼浓度的关系。实验测得了硼浓度为3±0.5×10~(19)Cm~(-3)时腐蚀速率与KOH浓度和腐蚀温度的关系曲线。根据硅表面存在有自由键和可用键两种吸附中心的模型对实验结果进行分析,指出吸附能力下降和表观激活能的增大是造成掺硼硅腐蚀速率下降的主要原因。并认为表观激活能的增加与掺硼后自由键密度的减小和硅—硼键的结合能大于硅—硅键结合能有关。     

甲硅烷常压CVD淀积非晶硅研究

本文讨论了以甲硅烷为源,用常压CVD法(APCVD)制备非晶硅的设备改进及工艺优化,提供了一些实验结果.文中着重分析了CVD过程,讨论了在较低温度下获得高淀积速率的原因.     

强自然对流流体的有限元解法：用于化学气相相淀积反应器

以冷壁化学气相淀积（ＣＶＤ）反应器中淀积ＴｉＮ涂层为对象，对立了适用于强自然对流流体的ＣＶＤ反应器模型。模型中包括流动、传热、传质和化学反应，计入了温度对物性参数的影响。通过编制求解该复杂模型的有限元程度，计算反应器中流型、温度及浓度的分布。定量计算了ＴｉＮ的淀积速率，计算值与实验值基本一致。该模型与程序不仅适用于本文所描述的淀积ＴｉＮ系统，也可以成为各种外延反应器和金属有机化学气相淀积反应器中计     

高锰TRIP钢热变形行为研究

通过单轴压缩实验,研究了高锰TRIP钢(Fe15Mn3Si3Al)在800～1050℃温度范围内、应变速率ε.=0.01～5.0s-1条件下的热变形行为和组织变化,讨论了热变形参数对流变应力和显微组织的影响.结果表明:动态再结晶只在较高变形温度和低应变速率下发生.实验钢对温度和应变速率都很敏感,而应变速率对实验钢的热变形行为影响较大.高锰TRIP钢的表观应力指数n=3.909,变形激活能Q=353.167kJ/mol.根据实验数据,建立了高锰TRIP钢高温变形的热加工方程.     

强自然对流流体的有限元解法──用于化学气相淀积反应器

以冷壁化学气相淀积（ＣＶＤ）反应器中淀积ＴｉＮ涂层为对象，建立了适用于强自然对流流体的ＣＶＤ反应器模型。模型中包括流动、传热、传质和化学反应，计入了温度对物性参数的影响。通过编制求解该复杂模型的有限元程序，计算反应器中流型、温度及浓度的分布。定量计算了ＴｉＮ的淀积速率，计算值与实验值基本一致。该模型与程序不仅适用于本文所描述的淀积ＴｉＮ系统，也可以成为各种外延反应器和金属有机化学气相淀积反应器中计算传递过程的重要工具。     

多晶硅薄膜淀积的核化和早期生长

研究了在常压SiH_4-H_2系统中,于1050C下,在不同衬底上所获得的多晶硅淀积层的结构和核化生长过程。实验发现,衬底性质对核化过程和早期淀积层结构有影响。与热生长SiQ_2衬底比较,SiO_2+Si_3N_4 复合衬底上的淀积具有核化过程发生早,岛核尺寸小密度高,淀积层晶粒细密等特点。SiO_2 同H_2及淀积硅的反应是影响高温条件下在SiO_2衬底上核化和生长的原因。文章还讨论了核化阶段的相变过程。     

GaN气相外延生长的热、动力学和机理(Ⅰ)Ga-HCl-NH_3-Ar系统的热力学分析

应用扩散控制一附面层理论模型对Ga-HCl-NH_(?)-Ar开管气流系统进行了热力学分析。结果指出,GaN的理论淀积速率及其与反应条件——反应物分压,淀积温度、气体流速等的关系和大部分文献结果基本吻合,表明该模型反映了这一淀积系统的主导特征。有的实验事实不能用这一理论分析介释,意味着体系中动力学因素起着某种关键作用,有待进行深入的动力学研究和机理探讨。     

等离子增强型化学气相沉积氮化硅的淀积

等离子增强型化学气相淀积氮化硅是目前器件难一能在合金化之后低温生长的氮化硅。本文研究了各种淀积参数对薄膜性能的影响，提出了淀积优质氮化硅钝化膜的条件，对折射率随生长速率而变化给出了新的解释。     

PECVD淀积SiO2的应用

研究了PECVD腔内压力、淀积温度和淀积时间等工艺条件对SiO2薄膜的结构、淀积速率和抗腐蚀性等性能的影响。结果表明,利用剥离工艺,并采用AZ5214E光刻胶作为剥离掩模成功制作了约2μm厚的包裹在金属铝柱周围的SiO2隔热掩模。     

恒位移速率下Fe—15Cr—25Ni合金蠕变裂纹扩展行为

在恒位移速率条件下研究了Ｆｅ－１５Ｃｒ－２５Ｎｉ合金的蠕变裂纹扩展行为，蠕变裂纹扩展分为慢速扩展阶段和稳态扩展阶段。稳态裂纹扩展由加载点位移速率控制，不受晶粒尺寸和温度因素的影响。在慢速扩展阶段，小晶粒具有较高的裂纹摭展抗力，计算出的裂纹扩展表观激活能低于蠕变激活能。断口分析表明：随晶粒尺寸的增大，温度的升高，加载点位移速率的降低，材料呈蠕变脆性断裂。     

气相生长统一模型

从微观输运与化学反应动力学出发,将薄膜气相生长过程划分为五个步骤,基于对步骤的分析,得到了淀积过程的共同规律,建立了气相淀积生长速率的统一模型.代入有关参数和少数实验数据即可得到具体的实用模型.文中揭示的薄膜生长规律对于优选工艺方法和具体工艺参数具有参考意义.     

多晶硅薄膜生长因素的分析

近些年来,多晶硅薄膜已广泛地应用在半导体器件上,例如大规模集成电路、太阳能电池等。尽管应用的如此广泛,但由干对多晶硅物理特性的了解尚不是十分充分,因而给器件生产带来一定的盲目性。因此,生长优质多晶硅薄膜并弄清楚生长过程中各个因素之间的关系,对研究多晶硅的物理特性是很有必要的。为此,对多晶硅的生长速率与淀积时间的关系、掺杂剂对多晶硅薄膜生长的影响、淀积温度对多晶硅薄膜生长的影响进行了研究和讨论。 采用常规的硅烷热分解化学气相淀积方法(APCVD)生长多晶硅薄膜,用 WDL-31光电温度计测量多晶硅薄膜淀积温度,用6JA…     

脉冲激光淀积制备LiTaO3光波导薄膜的研究

报道了利用准分子脉冲激光淀积技术在（００１）和（０１２）蓝宝石衬底上制备ＬｉＴａＯ３光波导薄膜的实验研究。利用Ｘ光衍射和Ｒａｍａｎ光谱术鉴定所生长薄膜的微结构，研究了脉冲能量、衬底温度、氧分压和淀积室几何等因素对薄膜质量的影响。结果表明脉冲能量和衬底温度对薄膜生长的择优取向有很大影响，而氧分压和淀积室的几何配置主要影响薄膜的生长动力学。在合适的工艺条件下制备了优质的外延膜，薄膜显示了优异的光波导性     

阴极电淀积CdTe多晶薄膜组织结构的观察与分析

用电淀积方法制作CdTe薄膜,可降低半导体材料的消耗和生产费用,对降低太阳电池成本具有很大吸引力。但由于发展较晚,工艺尚不成熟,重覆性也差。其原因是对成膜机理和各种影响因素未能有足够了解。为此,我们在不同电淀积条件下制备了CdTe薄膜,并对它作了X射线结构分析和电镜观察,初步得出一些结果: 1.有些CdTe薄膜中,出现Cd晶粒、针孔、裂缝等缺陷,对薄膜质量是有害的。它们的出现与许多因素有关,如电淀积过程中搅拌情况,衬底的表面状态,电介液的组成,阴极电位,电流密度,以及样品中的残余内应力等。 2.电淀积CdTe多晶薄膜都有不同程度的织构现象,这对改善太阳电池性能有利。提出了一个柱状晶体生长模型加以解释。     

等离子增强型化学气相淀积氮化硅的淀积

等离子增强型化学气相淀积（ＰＥＣＶＤ）氮化硅是目前器件唯一能在合金化之后低温生长的氮化硅．本文研究了各种波积参数对薄膜性能的影响，提出了淀积优质氮化硅钝化膜的条件，对折射率随生长速率而变化给出了新的解释．