GaAs1—xPx：TeLED）中深能级及其对发光效率的影响

利用深能级瞬态谱（ＤＬＴＳ）方法研究了不同发光效率的掺Ｔｅ的ＧａＡｓ１－ｘＰｘＬＥＤ中的深中心，探讨深能级对ＧａＡｓ１－ｘＰｘ：ＴｅＬＥＤ发光效率的影响，结果表明，发射率激活能力０．４０ｅＶ的Ｂ能级是影响发光效率的主要无幅射中心。     

短波长In_xGa_（1－x）As_yP_（1－y）材料的LP－MOVPE生长

本文研究了用低压金属有机化学气相外延（ＬＰ－ＭＯＶＰＥ）技术，以三申基镓（ＴＭＧａ）、三甲基铟（ＴＭＩｎ）为Ⅲ族源，ＡｓＨ＿３和ＰＨ＿３为Ⅴ族源，在（１００）方向掺Ｓ的ｎ￣＋ＩｎＰ衬底上生长短波长Ｉｎ＿ｘＧａ＿（１－ｘ）Ａｓ＿ｙＰ＿（１－ｙ）材料的生长条件，并用双晶Ｘ射线衍射（ＤＣＤ）和光荧光（ＰＬ）对不同条件下生长的短波长Ｉｎ＿ｘＧａ＿（１－ｘ）Ａｓ＿ｙＰ＿（１－ｙ）材料进行了表征。     

Eu_（1－x）Sr_xFeO_（3－y）的~（57）Fe Mossbauer谱

报导Ｅｕ＿（１－ｘ）Ｓｒ＿ｘＦｅＯ＿（３－ｙ）（ｘ＝０．０～１．０）的固相反应法合成，测量了其Ｘ射线衍射及室温下的￣５７ＦｅＭｏｓｓｂａｕｅｒ谱。实验结果表明，Ｓｒ掺入了ＥｕＦｅＯ＿３晶格，结构变化与掺杂量密切相关。室温下￣５７ＦｅＭｏｓｓｂａｕｅｒ谱由一套反铁磁六线谱、一套顺磁双线谱和一套顺磁单线谱组成（Ｘ＝０．２，０．４，０．６）．处于立方相的Ｆｅ离子的ＩＳ介于Ｆｅ￣３＋和Ｆｅ￣４＋之间，可能参与电子跳跃。     

GaAs／Al_xGa_（1－x）As异质界面极化子的温度效应

ＧａＡｓ／Ａｌ_ｘＧａ_（１－ｘ）Ａｓ异质界面极化子的温度效应李春圃，班士良（内蒙古大学物理学系，０１００２１，呼和浩特）ＴｅｍｐｅｒａｔｕｒｅＥｆｆｅｃｔｏｆＰｏｌａｒｏｎｓｏｎａＧａＡｓ／Ａｌ_ｘＧａ_（１－ｘ）ＡｓＨｅｔｅｒｏｉｎｔｅｒｆａｃｅ￥Ｌ...     

GaP：N发光二极管深能级对发光特性的影响

测量了ＧａＰ：Ｎ绿色发光二极管老化前后的可见和近红外发光光谱．从谱中可见，老化后的５９０ｕｍ和１２６０ｕｍ发光带的发光强度较老化前明显增强，６５０ｕｍ有新的发光带．研究了老化产生的深能级的来源及对ＬＥＤ发光特性的影响．     

GaAs：Cr中深能级俘获效应对电导的影响

本文报导半绝缘GaAs:Cr的低压和低频电流振荡现象,在室温下系统地测量电流和电压关系的伏安特性,并进一步研究在红外和可见光辐照下的振荡规律,分析了深能级俘获过程对导带内电子浓度和迁移率的影响。     

γ辐照对GaP发光二极管深能级和亮度的影响

首次应用深能级瞬态谱(DLTS)技术，研究了γ射线辐照Gap红色发光二级管深能和亮度的影响。结果表明，γ射线辐照射后，Gap红色发光二级管中的Zn-O对的浓度增大，亮度也提高。     

混晶GaAs_（1－x）P_x：N中等电子杂质束缚激子的发光

在７７Ｋ流体静压和低激发功率密度两种不同实验条件下，对组分ｘ＝０．８８混晶材料ＧａＡｓ＿（１－ｘ）Ｐ＿ｘ：Ｎ的光致发光进行了研究。在发光谱中分别明显地出现ＮＮ＿ｉ（ｉ＝１，３）对束缚激子的发光峰。观察到压力下Ｎ＿ｘ带发光猝灭及谱带窄化。低温下，降低激发功率密度，Ｎ＿ｘ谱带移向低能量位置并且半宽变窄。实验结果表明发生Ｎ＿ｘ束缚激子从孤立Ｎ＿ｘ中心到ＮＮ＿ｉ中心的热激活转移。分析结果说明，在加压和低激发密度下，发生这种转移现象的主导机制分别是多重陷入和变程跳跃．     

Hg_（1－x）Cd_xTe近红外光伏探测器的深能级

用深能级瞬态谱及光电容谱方法，研究了１．５５μｍ近红外波段的Ｈｇ１－ｘＣｄｘＴｅ光伏探测器的深能级缺陷．结果表明，探测器中存在位于禁带中央附近的两个施主深能级．它们可能来源于ＨｇＣｄＴｅ材料中的本征缺陷，例如Ｈｇ间隙缺陷Ｈｇ１及Ｔｅ反位缺陷ＴｅＨｇ．     

Ga＿xIn＿（1－X）P外延膜中成份调制对光致发光的影响

通过用一高分辨、微机控制的三晶体ｘ－射线衍射仪来测量Ｇａ＿ｘＩｎ＿（１－ｘ）Ｐ外延膜中（１１）与（）衍射峰的积分强度差，定量地确定了有序度。讨论Ｇａ＿ｘＩｎ＿（１－ｘ）Ｐ外延膜中有序度与成份调制间的关系。考察了成份调制与施主－受主对复会发光能量间的关联。通过计及施主一受主对在由成份调制所导致的超格子势场中的附加能量，导出了施主一受主对在部分有序相中跃迁时新的能量方程。     

碲镉汞电子结构缺陷的正电子湮灭研究

碲镉汞(Hg_(1-x)Cd_xTe,或称MCT),是60年代问世的一种性能优良的红外探测材料,它的电性能在很大程度上取决于电子结构中的缺陷:自然缺陷(空穴、填隙原子、空位和络化物等);扩散缺陷(位错、晶粒边界、沉积、熔点物和非掺入的杂质等).键稳模型断言,在MCT中,a.缺陷的形成和动态特性是热激活的;b.Hg-Te键很弱,汞空位是主要的自然缺陷;c.大多数扩散缺陷是电激活的.但是,迄今不能清楚地说明缺陷形成的动态过程及其与材料电性能的关系.正电子湮没技术(PAT)对于研究原子尺度的缺陷极其敏感.本文以PAT为手段,研究MCT退火过程中,缺陷浓度与电阻率的关系,以及充分退火后MCT的电阻率与温度的关系.     

GaAs1—xPx：N中氮浓度的光吸收法测量

在液氮温度下利用光吸收法测量了一组混晶材料GaAs_(1-x)P_x :(0.60相似文献   

混晶半导体材料GaAs_（1－x）P_x：N（x＝0．4）光致发光谱研究

采用变激发功率密度下的光致发光，变温下的光致发光等手段，研究了混晶ＧａＡｓ１－ｘＰｘ：Ｎ（ｘ＝０．４）样品中各发光带的发光特性，比较了不同激发条件下Ｎｒ与Ｎｘ发光带的不同行为，求得在不同的温度区间内，Ｎг及Ｎｘ不同的激活能，结果表明Ｎг与Ｎｘ分属不同的杂质发光中心，有着不同的束缚激子的机制．     

La_(1-x)Sr_xMnO_3阴极材料的制备及性能

溶胶-凝胶法制备单相性、均匀性较好的La(1-x)SrxMnO3（x=0．1,0．2,0．3,0．4,0．5）纳米微粉系列样品,并用X射线衍射分析样品的结构类型．考察样品的烧结特性和高温电导率随晶粒尺寸的变化规律．通过电池伏安特性曲线的测量,对锰酸锶镧作为（ZrO2）0.92（Y2O3）0.08电解质燃料电池阴极的性能进行研究．     

Er_(1-x)(Gd,y)_xAl_3(BO_3)_4晶体生长及其光谱特性

采用 Li_2B_4O_7、 K_2M为_3O_(10) 两种助熔剂生长了新型 Er_(1-x)(Gd,y)_xAl_3·(BO_3) _4激光晶体。研究了助熔剂的蒸发特性,测量了它们的蒸发活化能。用x 射线衍射法测量了晶体的结晶温度。详细地测量了该晶体的光谱并给出了Er~(3+)在该晶体中的能级结构图。     

Cox-C1-x复合块材的微结构和巨磁电阻效应

采用热压法制备了一系列不同Co含量x的CoxˉC1 x(质量分数)复合块材样品,并对样品的巨磁电阻效应进行了研究。光谱分析发现颗粒尺寸在50～200μm,室温下,磁场强度为1.03×106A/m时,在Co10C90样品中测出的最大磁电阻值为20%。随着磁场强度增加,磁电阻值还会增大。并且发现当x=10,30,60时,磁电阻存在三个峰值分别为20%,17.5%,9%。     

Ba(1-x)LaxTiO3纳米晶的正电子湮没研究

用溶胶-凝胶技术制备了La掺杂改性的BaTiO3纳米晶体,采用透射电镜、正电子湮没寿命谱仪对目标产物进行了测试.结果表明:当0相似文献