离子注入在生物和农业上的应用研究

本文报告了几年来在离子束与生物体相互作用研究中所做的工作，包括机理研究和应用研究，文中具体叙述了实验过程，并充分说明了离子束对改变种子细胞的生理特性是有效的，为离子束诱变育种的研究提供了有益的探讨。     

聚合物共混体系的正电子湮没研究

用正电子湮没寿命谱仪对聚丙烯PP和三元乙丙橡胶EPDM的共混体系进行了测量.实验研究表明,正电子湮没寿命灵敏地反映了在95—370K温度范围内PP/EPDM共混物的微观结构变化.经分析得到PP/EPDM是两相共混体系的结论.     

W-K合金的正电子湮没寿命谱研究

正电子湮没技术（PAT）是一种无损的材料探测技术,它可以反映正电子所在处电子密度信息,而电子密度信息能反映材料内部微尺寸变化,正电子对于纳米尺寸缺陷的变化非常敏感. 本文用正电子湮没技术中的正电子湮没寿命谱分析技术（PLAS）,对WK混合粉体在不同温度和压强条件下烧结后的微尺寸缺陷变化进行了分析,表明压强对于WK合金的缺陷变化没有明显的影响,而WK合金的微尺寸缺陷随温度有明显变化.     

α-Fe充氢热稳定性的正电子湮没研究

用正电子湮没技术测得了两组驱氢后试样的多谱勒加宽参数S随驱氢温度T变化的曲线。结果表明,两组试样的S～T曲线均存在三个S极小值,三个极小值温度分别对应氢从晶界、位错和微空洞处释放,并计算得到了氢从各类缺陷处的释放激活能E_(?)。     

离子注入种胚前后生物超弱发光研究

应用生物超弱发光的液闪仪测试了离子注入水稻种胚前后种胚的生物超弱发光值，并根据种子在不同时期这种超弱发光值的变化情况探讨了离子注入对种胚生长规律的影响。     

正电子湮没对热平衡点缺陷的特性分析

本文所述系通过正电子在空格点的俘获测定晶体空位形成能和熵,并与热分析方法相类比,说明其应用于点缺陷特性分析的积极影响。     

未掺杂SI-GaAs退火行为的正电子湮没研究

用正电子湮没技术,研究了未掺杂的SI-GaAs退火行为。结果表明,长寿命分量τ_2的变化不仅与镓空位而且和多镓空位络合物有关。本文还讨论了电子和中子辐照的影响。     

掺La透明陶瓷MgAl2O4正电子湮没寿命谱的研究

作者采用正电子湮没寿命谱的方法,研究了化学配比（Al2O3/MgO)为2．3和2的尖晶石透明陶瓷中,掺入不同量La后的正电子湮没特性及缺陷情况,并且研究了化学配比（Al2O3/MgO)为2 的尖晶石,在电子辐射后正电子参数的变化,发现化学配比为2．3的样品在低掺杂的情况下出现空位填充现象,而化学配比为2的样品未出现空位填充现象,并且发现,非化学配比的样品没有严格化学比样品的抗辐照性强。     

聚合物自由体积特性的正电子湮没研究

聚合物材料在工业上的广泛应用要求人们对其性能有基本的了解，直接从实验上探测聚合物中自由体积的特性是人们感兴趣的课题。正电子湮没方法是探测自由体积特性的灵敏探针，本文介绍了这方面的一些工作。     

低能V+注入花生种子引起生物体的微结构变化及其机理

以植物干种子花生为生物体材料,注入200keV的低能V＋离子,采用正电子湮没技术（PAT）测定了经离子注入和未经离子注入的2类花生生物样品的正电子湮没寿命谱PAL,实验结果表明,在花生种子生物体内存在着大量微小的孔洞,孔洞的直径为0．7nm,经低能离子注入以后,这些孔洞的大小会有所变化,对低能离子注入生物效应的机理进行了探讨。