首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
相似文献
 共查询到20条相似文献,搜索用时 46 毫秒
1.
Sr^2+ modified polycrystalline PZT-PMN ceramics were synthesized by a semi-wet route. Impedance spectroscopy studies indicate the bulk and grain boundary effects of PZT-PMN material along with the negative temperature coefficient of resistance. The bulk conductiv-ity exhibits an Arrhenius-type thermally activated hopping process which is supported by the AC conductivity behavior as a function of fre-quency and temperature. It is observed that the remnant polarization increases with an increase in the Sr2+content in PZT-PMN.  相似文献   

2.
掺杂Ca^2+和Mg^2+对SBN陶瓷介电性能的影响   总被引:1,自引:0,他引:1  
以分析纯的碳酸锶、碳酸钡、碳酸钙、氧化镁和五氧化二铌为原料,采用固相法制备掺杂Ca(Mg)的Sr0.5Ba0.5Nb2O6陶瓷材料.采用X射线衍射仪、扫描电镜和阻抗分析仪,研究掺杂样品的相组成、微观组织和介电性能.研究结果表明,Ca2+掺杂量≤0.23 mol时,Ca2+取代钨青铜结构中A位的Sr2+和Ba2+,随Ca掺杂量的增加,SBN晶格常数逐渐减小.介电温谱曲线显示:在150℃和330℃处出现介电双峰;当Ca2+掺杂量≥0.28 mol时,出现第二相CaNb2O6,此时对应(Sr,Ba,Ca)Nb2O6的介电峰逐渐消失.Mg掺杂的所有陶瓷样品,XRD谱呈现SBN50与MgNb2O6两相共存的情形.在150℃和310℃处同样出现介电双峰,随着Mg掺杂量增加,介电峰为1个单峰,并移向低温.  相似文献   

3.
采用固相反应法制备了(Ba0.85 Sr0.15)(Ti1-xZrx)O3(x=0.10,0.15,0.20,0.25)陶瓷.通过X射线粉末衍射、介电温谱测试和电子顺磁共振技术对其进行了结构表征、介电性能评价和杂质定性检测.结果表明:(Ba0.85 Sr0.15)(Ti1-xZrx)O3陶瓷显示平均立方钙钛矿结构,随着...  相似文献   

4.
采用传统陶瓷制备方法,制备无铅新压电陶瓷材料(1-x)Na1/2Bi1/2TiO3-xNa1/2Bi1/2(Sb1/2Nb1/2)O3.利用X射线衍射,精密阻抗分析仪研究Na1/2Bi1/2TiO3陶瓷B位复合离子(Sb1/2Nb1/2)4+取代对晶体结构、弥散相变与介电弛豫行为的影响,并根据宏畴-微畴转变理论探讨该体系陶瓷产生介电弛豫的机理.研究结果表明,在所研究的组成范围内,陶瓷材料均能够形成纯钙钛矿固溶体.该体系陶瓷具有2个介电反常峰tf和tm,表现出与典型弛豫铁电体明显不同的弛豫行为,掺杂量低的陶瓷仅在低温介电反常峰tf附近表现出明显的频率依赖性,而掺杂量高的陶瓷材料在室温和tf之间都表现出明显的频率依赖性.  相似文献   

5.
Cobalt(Co)-modified brownmillerite KBiFe_2O_5(KBFO; [KBiFe_(2(1-x))Co_(2x)O_5(x = 0, 0.05)]) polycrystalline is synthesized following the solid-state reaction route. Rietveld refinement of X-ray diffraction data confirmed the phase purity of KBFO and KBiFe_(1.9)Co_(0.1)O_5(KBFCO). The optical bandgap energy(Eg) of KBFO decreased from 1.59 to 1.51 e V because of Co substitution. The decrease in bandgap can be attributed to the tilting of the Fe–O tetrahedral structure of KBFCO. The observed room-temperature Raman peaks of KBFCO shifted by3 cm~(-1) toward a lower wavenumber than that of KBFO. The shift in Raman active modes can be attributed to the change in the bond angles and bond lengths of the Fe–O tetrahedral structure and modification in response to oxygen deficiency in KBFO because of Co doping. Compared with that of KBFO, the frequency-dependent dielectric constant and dielectric loss of KBFCO decrease at room temperature, which is a consequence of the reduction in oxygen migration and modification in response to vibrational modes present in the sample.  相似文献   

6.
Cobalt (Co)-modified brownmillerite KBiFe2O5 (KBFO; [KBiFe2(1?x)Co2xO5 (x = 0, 0.05)]) polycrystalline is synthesized following the solid-state reaction route. Rietveld refinement of X-ray diffraction data confirmed the phase purity of KBFO and KBiFe1.9Co0.1O5 (KBFCO). The optical bandgap energy (Eg) of KBFO decreased from 1.59 to 1.51 eV because of Co substitution. The decrease in bandgap can be attributed to the tilting of the Fe–O tetrahedral structure of KBFCO. The observed room-temperature Raman peaks of KBFCO shifted by 3 cm?1 toward a lower wavenumber than that of KBFO. The shift in Raman active modes can be attributed to the change in the bond angles and bond lengths of the Fe–O tetrahedral structure and modification in response to oxygen deficiency in KBFO because of Co doping. Compared with that of KBFO, the frequency-dependent dielectric constant and dielectric loss of KBFCO decrease at room temperature, which is a con-sequence of the reduction in oxygen migration and modification in response to vibrational modes present in the sample.  相似文献   

7.
应用传统陶瓷制备工艺制备了Ba0.65Sr0.35TiO3陶瓷,探讨了制备Ba0.65Sr0.35TiO3陶瓷的最佳工艺条件.用激光粒度分布仪测试预烧粉料的粒度分布,用XRD衍射仪观察陶瓷的物相结构,用SEM观察陶瓷的显微结构,用Archimedes方法测量陶瓷的绝对密度,用低频阻抗分析仪测试陶瓷的介电性能.实验结果表明:应用传统陶瓷制备工艺获得结构致密、性能优良的Ba0.65Sr0.35TiO3陶瓷的最佳工艺条件为:1050℃预烧2h,1390℃烧结2h.此工艺条件下制备的陶瓷的介电常数约为4200,介电损耗约0.002,密度为5.4631g/cm^3.  相似文献   

8.
采用固相反应法合成Sr0.5Ba0.5Nb2O6陶瓷,并对其结构、介电性能进行表征.研究结果表明,Sr0.5Ba0.5Nb2O6陶瓷为四方钨青铜结构单相,其在100℃附近存在一个明显的弥散介电峰,峰值随测试频率增加而减小,为典型的弛豫铁电相变.室温时,10kHz频率下,其介电常数约为450,介电损耗为0.121.  相似文献   

9.
对Sr2Bi4-x/3Ti5-xNbxO18(x=0,0.003,0.018,0.048,0.096)陶瓷样品的铁电和介电性能进行了测量.结果表明,Sr2Bi4Ti5O18样品的剩余极化2Pr为0.22 C·m-2,少量Nb掺杂可使样品的2Pr有明显提高,当x=0.018时,2Pr达到最大为0.34 C·m-2.介电损耗随温度的变化关系曲线上存在P1,P2,P3 3个介电损耗峰,分别在70,230,290℃附近.低温部分的2个损耗峰具有介电弛豫的特征,其弛豫机制被认为是点缺陷与畴界之间的相互作用.通过激活参数的计算以及损耗峰随不同Bi过量的变化,可以确定P1,P2峰的弛豫机制与Sr,Ti空位有关.随着Nb掺杂量的增加,P1,P2峰逐渐降低,表明Nb掺杂降低了样品中缺陷的浓度,从而使得样品的2Pr明显提高.  相似文献   

10.
11.
通过传统固相法合成了四元系压电陶瓷材料Pb0.95Sr0.05(Zr1-xTix)O3-Pb(Mn1/3Sb2/3)O3-Pb(Zn1/3Nb2/3)O3(简称PZT-PMS-PZN),用XRD技术分析了陶瓷的相结构,研究了不同Zr/Ti比对该材料的机械品质因数Qm、机电耦合系数KP、压电常数d33、介电常数rε以及介电损耗tanδ的影响.结果表明,当0.46≤x≤0.50时,材料四方与菱方两相共存,即为材料的准同型相界.当x=0.48且烧结温度为1150℃时,陶瓷具有优良的综合电学性能.其主要性能参数为:εr=1 761,tanδ=0.002 8,Qm=1300,d33=351pC/N,Kp=0.58.该材料可作为大功率压电陶瓷变压器的候选材料.  相似文献   

12.
Sr1-xL a2x/3B i4T i4O15(SLBT-x,x=0.00~0.75)陶瓷居里温度(tC)随掺杂量的增加而降低,显示掺杂导致晶格畸变减小,这是由于L a3 取代Sr2 位而产生的A位空位弱化了相邻T iO6八面体的耦合作用所致.样品介电峰峰高随掺杂量增加而降低,峰形宽化,表现出弥散相变的特征,这是由于L a3 和Sr2 离子半径的差异以及高掺杂量下L a3 离子部分进入铋氧层所致.样品的剩余极化(2Pr)在掺杂量为0.3时增加到23.1×10-2C.m-2,同时矫顽场降低到79.6×105V.m-1,高价掺杂所形成的偶极子缺陷使得样品铁电性能明显改善.  相似文献   

13.
Specimens of Pb1?1.5xLax(Zr0.53Ti0.47)1?y?zFeyNbzO3(x = 0, 0.004, 0.008, 0.012, and 0.016, y = z = 0.01) (PZTFN) ceramics were synthesized by a semi-wet route. In the present study, the effect of La doping was investigated on the structural, microstructural, dielectric, piezoelectric, and ferroelectric properties of the ceramics. The results show that, the tetragonal (space group P4mm) and rhombohedral (space group R3c) phases are observed to coexist in the sample at x = 0.012. Microstructural investigations of all the samples reveal that La doping inhibits grain growth. Doping of La into PZTFN improves the dielectric, ferroelectric, and piezoelectric properties of the ceramics. The hysteresis loops of all specimens exhibit nonlinear behavior. The dielectric, piezoelectric and ferroelectric properties show a maximum response at x ≥ 0.012, which corresponds to the morphotropic phase boundary (MPB).  相似文献   

14.
以分析纯的BaCO3,SrCO3,Nb2O5,H38O3和SiO2粉末为原料,采用传统的固相合成法制备添加50BaO-4082O3-10SiO2玻璃(物质的量比)的Sro.3Ba0.7Nb2O6(即SBN70)陶瓷.采用X线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和阻抗分析仪研究添加玻璃对SBN70陶瓷的烧结和介电性能的影响.研究结果表明;随着玻璃含量的增加,陶瓷样品的相对密度先增大后减小;当玻璃含量为5%(质量分数,下同)时,样品的密度达到最大值;添加玻璃降低了陶瓷的烧结温度,于1 250℃时添加5%玻璃的SBN70陶瓷已烧结致密,陶瓷的平均晶粒尺寸约2 μm,晶粒呈短柱状结构;当玻璃含量增大时,晶粒尺寸呈增大趋势;当玻璃添加量≤5%时,样品仍为单相四方钨青铜结构;当含量为10%时,出现了第二相SrB4O7;随着玻璃含量的增加,SBN70衍射峰的位置先移向低角度后移向高角度,而居里温度T0逐渐降低,从195℃下降到25℃左右;随玻璃含量的增加,最大介电常数εmax呈先减小后增大的变化趋势,而介电损耗tan δ则随玻璃含量的增大而减小;添加玻璃的SBN70陶瓷具有弥散相变特性,其弥散系数γ随添加玻璃含量的增加而增大.  相似文献   

15.
利用传统固熔烧结法研究了Ce掺杂的95KNN-5LiSbO3无铅压电陶瓷(简称KNN-LS)的微观结构、压电性质、老化率和防潮性能。实验结果显示,掺杂CeO2对KNN-LS陶瓷在烧结温度、质量损耗、压电性质和微观结构有特殊的影响规律,本文从微观反应机理上对其做了解释。成功制备出高压电常数(255pC/N)、高致密度(98.1%)、低老化率和高防潮性能的无铅压电陶瓷样品,表明这是一种很有应用潜力的无铅压电材料。  相似文献   

16.
用固相反应法制备SrBi2Nb2O9陶瓷,研究烧结温度对陶瓷的密度,晶体结构和微观形貌的影响.结果表明,1050℃制备的陶瓷致密性好,晶粒较小,为单一的层状钙钛矿结构,并显示出良好的介电性能.  相似文献   

17.
BiCoO_3对BNT–BKT陶瓷压电性能与退极化温度的影响   总被引:1,自引:0,他引:1  
采用传统陶瓷制备方法,制备一种Bi基钙钛矿型无铅压电陶瓷(1-x)Bi0.5(Na0.82K0.18)0.5TiO3-xBiCoO3(即BNKT-BCx)。研究Bi基铁电体BiCoO3对该体系陶瓷微观结构、压电性能和退极化温度的影响。研究结果表明:在所研究的组成范围内陶瓷材料均能够形成纯钙钛矿固溶体,随BiCoO3含量的增加,陶瓷由三方、四方共存转变为伪立方结构,晶粒尺寸明显增加;在x=0.01时该体系陶瓷压电性能达到最大值:压电常数d33=148 pC/N,机电耦合系数kp=0.329。采用平面机电耦合系数kp和极化相位角θmax与温度的关系来确定陶瓷退极化温度,发现退极化温度随BiCoO3含量的增加而降低。  相似文献   

18.
采用固相烧结工艺制备了Sr2Bi4-xDyxTi5O18(x=0,0.25)陶瓷样品,用X射线衍射对其微结构进行了分析,并测量了样品的铁电、介电性能.Sr2Bi.75Dy0.25Ti5O18样品的X射线谱上出现SrTiO3衍射峰,其介电损耗随温度的关系曲线上存在明显的弛豫损耗峰P1,该损耗峰的激活能为0.4eV,可以确定该峰是由氧空位引起的.结果表明:离子半径较小的Dy3 很难进入类钙钛矿层,造成样品中大量的A位空位,使得氧空位浓度增加.氧空位的存在会导致很强的畴钉扎,从而极化降低。  相似文献   

19.
采用二次合成法制备不同zr含量(x=0.46~0.52)的0.125 Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-0.875PbZrxTi1-xO3(0.125PMN-0.875PZT)三元压电陶瓷。采用x线衍射仪(XRD)、阻抗分析仪等对陶瓷进行表征和性能测试,考察了Zr含量变化对陶瓷烧结相结构、体积密度、介电和压电性能的影响。结果表明:采用二次合成法,制备了纯钙钛矿相结构的陶瓷;当x=0.48~0.50时,0.125PMN-0.875PZT陶瓷处于四方一三方准同型相界(MPB).在x=0.49时制备的0.125PMN-0.875PZT陶瓷性能最佳,体积密度为7.84 g/cm3,介电损耗低至0.76%,相对介电常数为2 130,压电常数为:320 pC/N,机电耦合系数达0.61,机械品质因数为76。  相似文献   

20.
在去除重金属离子的天然海水中添加不同浓度的Cu2+、Mn2+和Sr2+进行养殖实验,研究了Cu2+、Mn2+和Sr2+对中国对虾(Penaeus chinensis)糠虾幼体成活率与变态率的影响,结果表明,当海水中Cu2+、Mn2+和Sr2+浓度分别为10,20和20μg/L时对中国对虾糠糠虾的成活变态最为有利.并提出在育苗用海水中加入一定的锰.  相似文献   

设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号