La2O3:Eu3+纳米棒的水热合成以及光学性质研究

以La(NO3)3·6H2 O,Eu(NO3)3·6H2 O和正丁胺等为原料,采用水热法合成La(OH)3:Eu3+纳米棒前驱体,进而退火制备La2 O3:Eu3+纳米棒,并通过X射线衍射、扫描电镜及荧光光谱分析等手段对产物进行表征.结果表明,所得纳米棒呈现出多孔的棒状形貌,具有较高的结晶度.通过荧光光谱分析,La2 ...     

过渡族金属离子掺杂ZnS纳米棒的制备及光学性质研究

利用溶剂热法制备过渡族金属Cu^2＋、Mn^2＋、Fe^2＋掺杂ZnS纳米棒．通过x射线衍射（XRD）、X射线能谱仪（EDX）、扫描电显微镜（SEM）和透射电子显微镜（TEM）分析研究过渡族金属离子（Cu^2＋、Mn^2＋、Fe^2＋）掺杂对样品的结构和形貌的影响．利用紫外可见分光光度计和共聚焦显微拉曼一荧光光谱仪（PL）对样品的光学特性进行表征．结果表明,样品为六角纤锌矿结构,过渡族金属离子成功掺入到ZnS晶格中．另外,金属离子的引入对ZnS纳米棒的发光特性有很大影响．     

退火对CdS薄膜和CdS纳米晶的电学与光学性质的影响

通过喷雾热触获得CdS薄膜，水热法合成CdS纳米晶，在氮气中做了退火处理，发现CdS膜的吸收边随退火温度升高而移动；经暗电阻与温度关系测试，发现CdS薄膜和纳米晶的激活能存在极小值，用载流子衰减时间的变化很好地解释了其缘由；室温喇曼谱中观察到CdS的两个特征峰。     

退火温度对ZnO纳米棒结构和光学性能的影响

利用溶胶-凝胶法制备了氧化锌(ZnO)纳米棒,通过测试样品的X射线衍射谱(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)图像和光致发光谱(PL)研究了退火温度对ZnO纳米棒结构、形貌和光学性能的影响.结果表明:在900 ℃时会形成均匀的ZnO纳米棒.不同温度烧结得到的样品其光致发光峰不同但都有紫带和又宽又强的可见光带.当升高烧结温度时,由自由激子复合引起的紫外峰发生红移,这是由于晶粒尺寸的增加和应力的减少导致的.另外一个可见光发射峰是由过量的氧和结构缺陷引起的.最后根据实验结果研究了ZnO纳米棒的生长机制.     

液晶分子重取向产生光学双稳态的条件及开关性质

本文讨论了Ｆ－Ｐ腔中向列型液晶光致重取向效应产生光学双稳态的条件及双稳态开关点的性质。并着重对失谐量的作用进行讨论。     

无催化脉冲激光沉积方法制备氧化锌纳米棒阵列

<正>近年来,半导体纳米结构因其在先进器件等方面存在广阔的应用前景,而成为国内外纳米领域人们关注的又一热点。其中,ZnO纳米阵列结构被认为是其中最具有应用前景之一。ZnO是一种宽禁带直接带隙II-IV族半导体材料,室温下禁带宽度为     

铁元素掺杂TiO2纳米晶薄膜结构和光学性质研究

通过反胶束法制备掺铁（1%）的TiO2纳米溶胶,用浸渍提拉法在洁净的玻璃基底上形成不同条件下铁掺杂的TiO2（Fe-TiO2）纳米薄膜,分别在500℃和700℃温度下对陈化干燥的铁掺杂的TiO2凝胶进行热处理,得到不同粒径和不同堆积的铁掺杂TiO2纳米晶体.将不同制备条件下得到的（Fe-TiO2）纳米膜进行UV-可见光谱、SEM图像进行研究.实验表明：经过700℃热处理的铁掺杂的TiO2纳米晶粒比500℃铁掺杂的TiO2纳米晶粒大,且薄膜不同涂覆次数对TiO2纳米晶粒的大小与堆积均产生一定的影响;随着膜涂覆层数的增加,掺Fe-TiO2纳米薄膜的紫外可见吸收光谱出现明显红移,吸光度也大大增加。     

ZnO纳米棒的低温制备及其光学性能表征

在低温条件下,利用化学溶液沉积法（CBD）成功在ITO导电玻璃衬底上生长出近一维ZnO纳米棒.本文不仅研究了生长条件,如Zn^2＋摩尔浓度和生长时间对纳米棒结构和形貌的影响,还利用不同衬底（Si衬底、ITO导电玻璃和玻璃）进行实验,从而研究了同一生长条件下,衬底对样品形貌和光学性能的影响.结果表明,随着Zn^2＋摩尔浓度的增大,纳米棒的尺寸也随着增大;当Zn^2＋摩尔浓度为0.1M时,纳米棒的纵横比随着生长时间的增加而减小;衬底对样品的形貌和光学特性有一定影响.PL测试表明硅衬底上生长的纳米棒有较好的光学性能.     

四棱柱状Sb2S3纳米棒的水热合成与表征

以三氯化锑(SbCl3)和硫(S)粉为反应物、硼氢化钠（NaBH4）作还原剂及乙二醇(EG)为辅助溶剂,用水热法合成了四棱柱状的Sb2S3纳米棒所得产品用XRD、EDS、SEM、TEM、HRTEM、SAED以及UVVis进行了表征结果表明,在180 ℃水热反应12 h可得到结晶良好、形貌规整的四棱柱状的正交晶系Sb2S3单晶纳米棒,棒的横截面为矩形,其宽为75~215 nm 、厚为50~110 nm,长度达2~5 μm经计算,其晶胞参数a=1126 nm, b=1128 nm,c=0382 5 nmUVVis分析表明,Sb2S3纳米棒为半导体材料,其带隙能量为180 eV     

四棱柱状Sb_2S_3纳米棒的水热合成与表征

以三氯化锑(SbCl3)和硫(S)粉为反应物、硼氢化钠(NaBH4)作还原剂及乙二醇(EG)为辅助溶剂,用水热法合成了四棱柱状的Sb2S3纳米棒.所得产品用XRD、EDS、SEM、TEM、HRTEM、SAED以及UV-Vis进行了表征.结果表明,在180℃水热反应12 h可得到结晶良好、形貌规整的四棱柱状的正交晶系Sb2S3单晶纳米棒,棒的横截面为矩形,其宽为75~215nm、厚为50~110 nm,长度达2~5μm.经计算,其晶胞参数a=1.126 nm,b=1.128 nm,c=0.382 5 nm.UV-Vis分析表明,Sb2S3纳米棒为半导体材料,其带隙能量为1.80 eV.     

ZnO纳米棒的湿化学法制备及其表面复合

采用CBD两步生长法和热蒸发法在Si衬底上生长ZnO纳米棒.研究发现,该方法对于ZnO纳米棒阵列的近带边复合发光有效衰减时间有很大影响.采用CBD方法生长的ZnO纳米棒的衰减曲线存在两个衰减指数,而通过热蒸发法生长的ZnO纳米棒只有一个衰减指数,实验结果显示CBD法生长的ZnO纳米棒其中较快的衰减指数与表面复合发光有关,慢的衰减指数对应体材料的衰减.另外,随着热处理温度从500℃到700℃,其表面复合速率急剧减小.     

生长时间对ZnO纳米棒形貌和光学性能的影响

在低温条件下，利用化学溶液沉积法（CBD）成功在Si（100）衬底上生长出近一维ZnO纳米棒阵列．采用X射线衍射（XRD），扫描电子显微镜（SEM）和光致发光谱（PL）对样品进行结构、形貌和光学性能分析．结果表明：产物为结晶良好的六角结构晶体．随着生长时间的增加，ZnO纳米棒的尺寸随之增大．PL测试表明产物有较好的光致发光性能，并且随着纳米棒尺寸的减小，紫外发射峰发生蓝移现象．     

非对称金属纳米球壳的制备及光学性质研究

通过胶体球混合溶液界面自组装结合液面转移的方法制备单层聚苯乙烯(PS)胶体球阵列,以此为模板,采用离子束溅射沉积金膜,形成Au@PS的球壳结构,PS与二氯甲烷在不同的反应时间下,形成开口大小不同的非对称结构金属纳米球壳,其表面等离共振透射峰的位置随着开口大小的增加产生微弱的红移现象,透射强度随着开口大小变大而不断增强,该结构在生物传感、非线性光学及表面增强拉曼散射方面有潜在的应用.     

铒掺杂对铌酸锂晶体光学性质的影响

用Czochralski提拉法生长出一系列Er∶LiNbO3晶体（Er∶1.0 mol%,2.0 mol%,3.0 mol%）,研究了其在室温下晶体结构,紫外-可见吸收光谱及拉曼光谱.通过比较发现,Er∶LiNbO3晶体仍为三方晶系;但其吸收边发生红移,并且讨论了掺铒对LiNbO3晶体拉曼光谱的影响.     

含石墨烯纳米带苯并噻二唑衍生物的非线性光学性质理论研究

以苯并噻二唑分子为母体,用石墨烯纳米带增长共轭π桥,设计了五个系列的衍生物。研究了共轭1T桥的不同增长方式、长度和不同形状对分子的电子结构及非线性光学性质的影响．研究结果表明：部分目标分子的非线性极化率的常用对数与共轭链长存在一定的线性定量关系;共轭链长对含苯并噻二唑直线型共轭竹桥的分子的极化率比D—GNR—A分子和角型共轭π桥的分子的极化率影响程度大;部分目标分子的一阶极化率α与△E-1、二阶极化率β与α·△E-1、三阶极化率γ与α·AE吨和与β·AEq都有较好的相关性．     

Fe-Al2O3纳米复合粉末制备及性质研究

采用溶胶-凝胶法制备了Fe—Al2O3纳米复合粉末．利用X射线衍射、Moessbsuer谱、振动样品磁强计对产物的相组成、生长和磁性进行了研究．     

Gd2O3：Dy^3＋纳米晶的制备和发光性质研究

以Gd2O3和Dy2O3为反应物,共沉淀合成了镝掺杂氧化钆纳米粉体．研究了Gd2O3：D6^3＋的光致发光性质随着Dy^3＋掺杂浓度和煅烧温度的变化关系．通过对荧光强度与激活离子Dy^3＋离子浓度的关系研究发现,Dy^3＋在纳米Gd2O3基质中存在浓度猝灭现象,最佳掺杂浓度为0．7％．     

Sm3+掺杂纳米晶ZrO2材料的制备及表征

用化学沉淀法制备纳米晶ZrO2∶Sm3 发光粉体,用X射线衍射谱对材料的粒径和晶体结构进行了表征,探讨了制备条件对样品粒径和晶体结构的影响.用荧光激发和发射光谱对材料的发光性质进行了表征,合理地归属了各谱项和跃迁.     

Mg：Zn：LiNbO3晶体光学性能的研究

在LiNbO3中参进3mol％MgO和2mol％ZnO,生长Mg:Zn:lINbO3晶体,测试晶体的吸收光谱、红外光谱倍频转换效率和相位匹配温度,Mg(3mol％）：Zn(2mol％）：LiNbO3晶体达到阈值浓度,Mg:Zn:LiNbO3是优良的倍频晶体材料。     

纳米晶α-Ga2O3: Eu3+的制备与发光性质研究

利用共沉淀法制备纳米晶α-Ga2O3: Eu3 发光粉体.对不同掺杂浓度、不同煅烧温度的系列样品,均观测到Eu3 的室温强特征发射.样品的晶相与发射性质的研究表明,所制备的样品经600℃到950℃热处理后,晶相为三方相;最佳的掺杂浓度为2%,特征峰613nm (5D0→7F2)最强;能量传递主要是电荷转移(CTB).