量子阱中极化子的速率对声子平均数的影响

采用Tokuda改进的线性组合算符法和幺正变换法，研究了量子阱中极化子的性质．导出了量子阱中极化子的声子平均数与速率的关系．数值计算结果表明：量子阱中强弱耦合极化子的声子平均数均随极化子的速率的增加而增加．     

声子色散对极化子的影响

本文计及纵光学声子的色散,在抛物线近似下,计算了极化子的基态能量、有效质量和极化电势,从中发现:随着声子色散的加强,极化子的自陷能变大,有效质量增大,极化电势的屏蔽半径减小.     

简并破却项对反式聚乙炔中极化子单激发态的影响

本文采用紧束缚模型加上长程电子关联项哈密顿量模型,研究了反式聚乙炔中极化子的单电子激发,分析了其单激发态的物理性质。与极化子相比,其单激发态体系能带中央的两条定域能级相互靠拢,近乎重合,形成了束缚较弱的孤子-反孤子对。此外,研究简并破缺参数对极化子单激发态反向极化的影响发现,基态简并聚乙炔中的极化子单激发态的反向极化最强,随着te的增大反向极化减弱,当te增大到一定值时,反向极化消失。     

半导体量子阱中电子的回旋质量与温度的关系

随着分子束外延技术的发展,人们对半导体超晶格和量子阱结构各种性质的研究产生了极大的兴趣。人们如此重视这个领域是因为它不仅在技术上有着广泛的应用,而且提供了在实际观察电子运动量子化行为的理想条件。 极化子磁光学的研究与实验联系更紧密,从回旋共振的测量,可以直接获得电子-声子作用的信息,因而人们尤其感兴趣电子在磁场中的回旋共振的研究。随着研究的深入,人们也开始重视在有限温度下研究极化子的性质。本文将讨论有限温度下,GaAs-GaAlAs量子阱中的磁极化子的自能、回旋质量与温度的关系。     

Ga(1-x)Al_xAs/GaAs量子阱束缚能级的计算

本文对于Ga_(1-x)Al_xAs/GaAs单量子阱系统,利用电子在势阱作用中的柱对称性,建立了平面类氢原子与直线类氢原子复合量子阱模型。所求施主能级,在极限情况下,与已知的精确解一致,在势阱深度Vo有限,宽度L不为零的条件下,对X=0.1和X=0.4,分别计算了基态束缚能,其结果与实验较为接近。     

具有相干与压缩关联的非绝热的电子声子耦合系统的状态表示和基态特征(英文)

求出了在电子声子耦合系统中由于电子密度的涨落所导致的非绝热声子对系统的基态,极化子的特征和声子测不准关系的量子修正,在这计算中我们使用了一个表征相干压缩声子和电子有相互关联的新的变分表示式．由此求出的系统基态比无关联时的基态更加稳定,极化子能带变窄的效应受到抑制,由于同电子的非绝热耦合而使声子的测不准关系增量．研究表明具有相干压缩关联的新状态表示对于大压缩特性和强耦合情况特别适合．     

具有相干与压缩关联的非绝热的电子—声子耦合系统的状态表示和 …

求出了在电子－声子耦合系统中由于电子密度的涨落的导致的非绝热声子对系统的基态，极化子的特征和声子测不准关系的量子修正，在这计算中我们使用了一个表征和相干压缩声子和电子有相互关联的新的变分表示式。由此求出的系统基态比无关联时的基态更加稳定，极化子能带变窄的效应受到抑制。由于同电子的非绝热耦合而使声子的测不准关系增量。研究表明具有相干压缩关联的新状态表示对于大压缩特性和强耦合情况特别适合。     

极性晶体板中极化子的基态能量和有效质量

应用Ｌｅｅ－Ｌｏｗ－Ｐｉｎｅｓ（ＬＩＰ）方法研究极性晶体板中极化子的性质，给出极化子基态能量和有效质量的解析表达式，并以ＧａＡｓ极性晶体板为例进行数值计算。讨论了体纵光学模声子和表面光学模声子对极化子性质的影响。     

GaN基量子阱结构的界面光学声子及其电声相互作用性质的研究

GaN基量子阱结构在光电子领域具有较为重要的应用前景,理解其物理性质是加快应用的关键之一.研究了GaN基量子阱结构的光学声子特性及其电声相互性质,给出了GaN基量子阱结构中光学声子及其电声相互作用的基本理论,分析了影响界面光学声子的频率和电声耦合强度的相关因素,并对纤锌矿Al0.8Ga0.2N/GaN/Al0.8Ga0.2N,GaN/In0.8Ga0.2N/GaN对称单量子阱的界面光学声子及其电声相互作用的电声耦合强度进行了数值计算.结果表明,界面光学声子在长波区域色散较为明显,电声耦合强度在小波矢区域内最强.     

量子阱中极化子的性质

给出声子分布函数的解析表达式，并利用该表达式和Ｌｅｅ－Ｌｏｗ－Ｐｉｎｅｓ（ＬＬＰ）变分方法计算极性晶体板中极化子的基态能量，与自恰的数值结果进行比较，结果吻合。     

双势垒结构中电子共振隧穿几率的研究

运用转移矩阵方法,研究双势垒量子阱中的共振隧穿现象,讨论了隧穿几率随势垒宽度、势垒高度以及势阱宽度的变化关系.结果表明当势垒宽度或势垒高度增加时,隧穿几率变小,且当势垒高度增加时共振峰向高能方向移动;势阱宽度增加时,隧穿几率也变小,且共振峰向低能方向移动.在保持势垒和势阱不变的情况下,随着入射能量的增加,共振峰向高能方向移动.     

Ioffe阱中的磁场结构

介绍了Ioffe阱的结构,借助毕奥*萨伐尔定律,对阱中的磁场构成进行了研究,得出了磁场的精确表达式.在许多理论研究中,中性粒子在阱中被囚禁的区域通常是近原点的,因此,一个多项式展开的技巧被利用,从而得到近原点条件下,理想Ioffe阱中场的近似表达,以便于进一步研究中性粒子在阱中的经典运动特性及量子运动特性.为此,简要讨论了具有磁矩的中性粒子在此阱中的相互作用势,并导出了在一定的近似条件下粒子的经典运动方程.     

趋于对称矩形的量子势井宽度

本文由能级来分析确定量子势井宽度,SRQW宽度,L可以被能量函数En直接表示出来.     

半导体GaAs一(GaAl)As多量子阱的光谱性质的研究

我们利用光致发光(PL)和激发光谱(PIE)技术研究了GaAs量子阱的光谱性质，观测到在GaAs量子阱中上转换发光，首次提出在GaAs量子阱中可能实现激光制冷，探索了光谱的发光机理.     

一维周期晶格与准周期Harper链耦合系统的电子性质研究

基于紧束缚哈密顿量,研究一维周期晶格与准周期Harper链形成的双链耦合系统的电子性质.通过求解系统的本征态能量和波函数,分析波函数的扩展和局域特性,以及计算模拟电子在耦合系统中的量子扩散,深入研究Harper势和耦合强度对电子性质的调制作用.结果表明,增大链间耦合,有助于局域态向临界态或扩展态转变,促进电子在Harper链中扩散.对于具有扩展态的Harper链,耦合系统的电子态均为扩展态;对于具有临界态的Harper链,弱耦合系统中同时出现扩展态与临界态,强耦合系统仅出现扩展态;对于具有局域态的Harper链,弱耦合系统中同时存在局域态、临界态、扩展态,其中临界态和局域态随耦合强度增加而逐渐消失,系统在强耦合情况下仅有扩展态.在耦合系统中,电子都以弹道式方式扩散,其速率随链间耦合能增大呈现出先减小再逐渐增大直至不变的转变.     

半无限极性晶体内的极化子与温度的关系

随着科学技术的发展,人们越加重视对极性晶体表面层中极化子性质的研究^[1~4].但对有限温度情况下表面极化子的研究很少.梁希侠和顾世洧^[5]研究了在零温情况下半无限极性晶体内的极化子,本文将讨论有限温度下,半无限极性晶体内极化子的性质.     

半导体量子阱共振隧穿特性分析

用双势垒模型研究了半导体异质结量子阱的隧穿特性.利用电子波函数的连接条件,先计算出电子通过一简单方势垒的隧穿几率,再利用转移矩阵方法得到电子通过双势垒的隧穿几率.所得结果能较好地解释半导体量子阱结构中的共振隧穿现象.     

精确固定节面量子 Monte Carlo方法

提出了固定节面量子Monte Carlo的一个新方法，与传统的固定节面法相比，这个新方法能更准确地计算分子的能量。导出了系统能量本征值的一个展开式，证明传统固定节面法所求出的能量值仅仅是能量本征值的零级近似；而新方法可以在只增加很少计算量（小于1％）的情况下，方便地求出一级近似、二级近似…给出了该方法的具体计算公式和步骤，并用它处理了H2，LiH,Li2和H2O分子的基态能。计算结果表明，对这些分子的基态只需要二级近似即可获得97％以上的电子相关能。说明新方法能准确度和计算量两个方面都是非常卓越的。     

半无限极性晶体中的极化子

本文采用线性组合算符法,并通过简单的幺正变换,导出了极性晶体中强耦合表面极化子的有效哈密顿量.对于电子靠近晶体表面和远离表面的两种极限情况,得到了镜像势和自陷能的解析表达式.     

半无限极性晶体中强耦合极化子的温度依赖性

随着固体科学和技术的发展,晶体表面和界面极化子的性质,一直受到人们的重视^[1,2].近年来,已有不少作者^[3,4]研究了表面和界面极化子,其中很多工作集中于弱,中耦合的情形.