混合元素掺杂对Sr_2MgSi_2O_7蓝色长余辉发光材料的影响

采用溶胶-凝胶法合成了不同元素混合掺杂Sr2MgSi2O7系列蓝色长余辉发光材料,并对其发光性能进行研究,探讨掺杂元素对材料发光性能的影响规律性.激发发射光谱实验表明其峰均为宽带峰,最大发射峰位于466nm附近,是由典型的Eu2＋的4f5d-4f跃迁导致的.所合成的Eu2＋,Dy3共掺杂发光材料Sr2MgSi2O7余辉时间可达8hrs以上,具有合适的能级陷阱0.76eV.     

Zn0.5Cd0.5S∶Eu3＋半导体材料的燃烧法制备及发光性能研究

以硫脲为硫源,采用燃烧法制备了Zn05Cd0.5S∶Eu3＋半导体材料.研究了Eu掺杂量对Zn0.5Cd0.5S∶Eu3＋半导体材料的结构,形貌,固体漫反射以及发光性能的影响.利用X-射线粉末衍射仪（XRD）,扫描电子显微镜（SEM）,紫外-可见分光光度计（UV-vis）和荧光分光光度计（PL）对样品进行了表征.结果表明：Eu掺杂量对样品的结构和形貌没有明显的变化,但对其发光性能却有着显著地影响.当Eu掺杂量为3％时所制备的Zn0.5Cd0.5S∶Eu3＋半导体材料的发光性能为最强.     

醇酸清漆表面包覆改性长余辉发光材料铝酸锶的耐水性能

采用燃烧法合成了SrAl2O4：Eu2＋,Dy3＋黄绿色长余辉发光材料,并对其进行醇酸清漆包覆.对包覆材料进行了水解后电导率、发光亮度及余辉衰减曲线的测定,利用红外光谱及热重分析对包覆层进行分析.结果表明合适量的清漆包覆对发光材料的发光性能影响很小,却能有效地改善其耐水性能.合适包覆量的质量百分比约为4.2-6.3%.     

Sr5（PO4）3C1：Tb3＋，Tm3＋的制备及Tm3＋对发光性能的影响

采用溶胶一凝胶法合成Sr5（PO4）3C1：Tb3＋,Tm3＋荧光粉,研究了煅烧温度、敏化剂的加入对材料发光性能的影响．结果表明：适量掺杂Tb3＋,Tm3＋后,基质的晶格结构并未发生变化,煅烧温度1250℃为最佳温度,敏化剂的加入较大的提高了荧光粉的发光强度．     

稀土Nd~(3+)掺杂BaTiO_3纳米粉体的微结构与光致发光性能研究

采用溶胶-凝胶法制备了稀土Nd~(3+)掺杂的BaTiO_2纳米粉体材料.采用热重法(TG)、X射线衍射(XRD)、傅立叶红外转换光谱(FTIR)等方法对样品进行分析和表征.采用荧光光谱研究材料的光致发光特性.研究不同浓度Nd~(3+)掺杂对于BaTiO_2纳米粉体材料的晶体结构、晶粒尺寸以及频率上转换发光特性的影响规律,并对其发光机制展开了讨论.研究发现,Nd~(3+)掺杂抑制了BaTiO_2晶粒的生长.随着Nd~(3+)替代位置的变化,BaTiO_2的晶格常数出现了相应的改变.此外,该材料体系具有较高的淬灭浓度,达到了10%.     

过渡族金属离子掺杂ZnS纳米棒的制备及光学性质研究

利用溶剂热法制备过渡族金属Cu^2＋、Mn^2＋、Fe^2＋掺杂ZnS纳米棒．通过x射线衍射（XRD）、X射线能谱仪（EDX）、扫描电显微镜（SEM）和透射电子显微镜（TEM）分析研究过渡族金属离子（Cu^2＋、Mn^2＋、Fe^2＋）掺杂对样品的结构和形貌的影响．利用紫外可见分光光度计和共聚焦显微拉曼一荧光光谱仪（PL）对样品的光学特性进行表征．结果表明,样品为六角纤锌矿结构,过渡族金属离子成功掺入到ZnS晶格中．另外,金属离子的引入对ZnS纳米棒的发光特性有很大影响．     

Fe（Ⅲ）掺杂介孔TiO2的溶剂热法合成与表征

采用溶剂热法,以钛酸丁酯为前驱体,十八烷胺为模板剂合成了Fe(Ⅲ)掺杂介孔TiO2材料.利用XRD,TEM,氮气吸附,热重-差热,红外,UV-Vis 漫反射,XPS 等手段对材料的结构、形貌、比表面积、孔径分布、热学性能及吸光性能进行了表征.研究结果表明Fe(Ⅲ)掺杂介孔TiO2材料的蠕虫孔道结构实际上是由TiO2纳米晶排列而成.通过降解甲基橙水溶液来考察Fe(Ⅲ)掺杂介孔TiO2材料的光催化性能,实验结果表明,Fe(Ⅲ)掺杂介孔TiO2的光催化明显优于未掺杂样品,其原因在于掺杂的微量金属离子能够捕获光生电子,有效地阻止光生电子与空穴的复合,提高了光催化效率.     

基于DSA-Ph高效率色稳定的蓝色荧光有机电致发光器件

采用蓝色荧光有机染料DSA-Ph作为客体材料,将其掺入主体材料BUBH-3中,制备了高效率色稳定的单发光层掺杂结构的蓝色有机荧光器件.当DSA-Ph掺杂质量比为3 wt.%时,器件的最大电流效率4.17 cd/A,对应色坐标为(0.161,0.286),亮度为5 038 cd/m2.当电压为14 V时,器件的最大亮度为16 160 cd/m2.另外,亮度从907 cd/m2增加到14 680 cd/m2过程中,其色坐标从(0.163,0.287)到(0.159,0.281),变化量ΔCIExy仅为(0.004,0.006).     

铜掺杂氧化锌半导体杂质能级的理论研究

采用密度泛函理论,利用MBJ-CPA方法计算了Cu掺杂ZnO的电子结构,理论解释Cu掺杂ZnO材料后出现发光特性,为今后Cu掺杂ZnO实验研究提供一定的理论依据.     

纳米ZnO在可见和紫外波段的激子发光

纳米结构ZnO及ZnO稀土离子掺杂发光在蓝/蓝绿可见波段和紫外波段存在受激发射,可能成为制备短波长激光、发光半导体重要的候选材料.基于量子限域-发光中心模型,分析了纳米ZnO的激子发光和缺陷发光机制,指出纳米结构ZnO在蓝/蓝绿可见波段和紫外波段发光是通过晶粒内部带隙间的激子复合发光.     

Tb^3＋,Ce^3＋离子在Al6Si2O13中的光致发光

采用溶胶－凝胶法合成了以Ａｌ６Ｓｉ２Ｏ１３为基质，掺杂Ｔｂ＾３＋，Ｃｅ＾３＋的发光材料。经ＸＲＤ结构分析表明，晶体结构属于正交晶，其晶胞参数为ａ＝０．７５９５ｎｍ，ｂ＝０．７７５６ｎｍ，ｃ＝０．２８８２ｎｍ。     

Gd3+掺杂纳米SnO2锂离子电池负极材料的制备与电化学性能研究

以SnCl4为锡源,Gd3+为掺杂离子,采用水热法制备出不同掺杂浓度的SnO2纳米晶.运用XRD、TEM、FT-IR以及充放电测试等手段对其结构、形貌、电化学性能进行了表征.结果表明所制备样品为四方晶系金红石型SnO2,Gd3+以替位方式掺入SnO2纳米晶中.当名义Gd3+掺杂浓度达到15%时,SnO2纳米颗粒转变为纳米棒.电化学性能表征发现SnO2纳米棒的首次充放电容量、循环稳定性以及库伦效率都要高于纳米颗粒,并且经过50次循环后SnO2纳米棒的比容量仍保持有370mAh/g.研究结果表明,由于掺杂的作用,调节了材料的形貌与尺寸,改善了SnO2纳米晶的电化学性能.     

Dy^3＋和Tb^3＋离子掺杂的稀土硼酸盐玻璃的光谱性质

合成Ｄｙ＾３＋,Ｔｂ＾３＋掺杂的稀土硼酸盐玻璃,测试基质玻璃的透过率光谱及Ｄｙ＾３＋、Ｔｂ＾３＋单掺和双掺玻璃的激发和发射光谱,观察并分析该体系中Ｄｙ＾３＋发光的现象。     

掺杂Eu^3＋的磷钨酸钠玻璃的合成及发光特征

本工作采和高温固相反应法合成掺杂１％Ｅｕ＾３＋离子的不同Ｐ２０５／ＷＯ３比例的磷钨酸钠玻璃，测定３９４ｎｍ和４６４ｎｍ激发下的荧光光谱，探讨了掺杂Ｅｕ＾３＋离子的磷钨酸钠玻璃的发光特性。     

阳离子Fe位掺杂对LiFePO4正极材料 电化学性能的影响

以蔗糖为碳源,采用高温固相法制备了Fe位掺杂不同阳离子(Al 3+,Ni 2+和Mn2+)的LiFe0.97M0.03PO4/C(M=Al,Ni,Mn)锂离子电池正极材料.用X-射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、恒流充放电测试和电化学阻抗谱(EIS)等研究了不同阳离子Fe位掺杂(Al 3+,Ni 2+和Mn2+)对LiFePO4的结构、形貌和电化学性能的影响.结果表明:阳离子Fe位掺杂没有改变LiFePO4的晶体结构,但是减小了LiFePO4材料的粒径,最终改善了LiFePO4的电化学性能.特别是LiFe0.97Mn0.03PO4/C材料具有更好的电化学性能,在0.1C和1C下放电,LiFe0.97Mn0.03PO4/C材料的首次放电比容量分别为162mAhg-1和140mAhg-1,且1C充放电倍率下循环50次后容量保持率仍然为98%.     

HATCN作为阳极缓冲层掺杂剂的有机太阳能电池的性能研究

将有机小分子材料HATCN掺杂于酞菁铜(CuPc)中,制备出有机太阳能电池ITO/HATCN:CuPc/CuPc/C60/BCP/Al.在光强为100 mW/cm2的太阳能模拟器照射下,当HATCN的掺杂浓度为5%时,器件性能最好,开路电压(Voc)为0.48 V,短路电流密度(Jsc)为5.66 mA/cm2,填充因子(FF)为0.48,能量转化效率(PCE)为1.30%.与未掺杂的器件ITO/CuPc/C60/BCP/Al相比,PCE提高了59%,这主要归因于HATCN具有较好的载流子传输性能和非常低的LUMO能级.     

Tb3+掺杂莫来石的合成及发光性能研究

采用溶胶-凝胶法合成了不同Tb3 掺杂比例的莫来石发光材料，经XRD结构分析表明，材料为Al6-xTbxSi2O13固溶体(x=0．02～0．12)，随着Tb3 掺杂量的增加，材料的晶格有膨胀的趋势，通过材料的激发和发射光谱研究，确定了材料的最佳组成。     

退火温度对镁、铕共掺杂氧化锌纳米材料光学性能的影响

采用化学溶液沉积法制备了镁、铕共掺杂氧化锌纳米材料,通过X射线衍射仪(XRD)、扫描电镜(SEM)和光致发光谱(PL)等测试,选取了5个退火温度,研究了退火温度对镁、铕共掺杂氧化锌纳米材料结构和光学性能的影响.结果表明:所制备的镁、铕共掺杂氧化锌纳米材料均为六角纤锌矿结构,其光学性能与退火温度关系密切,当退火温度为400℃时,发光性能最好.     

铁电相变的影响因素研究

以锡掺杂锆钛酸铅PZST陶瓷材料为例论述了铁电体在电场、温度和压力等外场诱导下的铁电相变性能及其影响因素．     

反应温度对水热法制备Eu掺杂ZnO纳米片结构和性能的影响

采用水热法制备了稀土Eu掺杂的Zn0纳米片状材料（ZnO：1％Eu），在稀土Eu掺杂浓度一定的条件下讨论了不同水热反应温度对纳米片结构的影响，得出材料最佳生长温度，并研究了该反应温度条件下掺杂材料的光学性能．实验结果表明，稀土铕以正三价价态成功地掺入到ZnO晶格中．在反应温度为155℃时，材料的结晶质量最好．该反应温度下PL谱图显示出Eu3＋的特征发射峰，分别位于579．6，587．8和614nm处，它们是V—V的跃迁，分别来源于Eu3＋的5D0-7Fo，^5D0-7F1和^5D0-^7F2跃迁．