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相似文献
 共查询到18条相似文献,搜索用时 62 毫秒
1.
采用醇法和部分醋酸盐法两种工艺,获得了透明的BST溶胶,凝胶和BST薄膜铁电材料,应用红外光谱,差热分析及X-衍射方法,研究了该两种合成了工艺的物理化学过程。  相似文献   

2.
使用部分醋酸盐为原料,用改进的溶胶-凝胶法制备钛酸锶钡(Ba0.6Sr0.4TiO3,BST)薄膜.场发射扫描电镜(FESEM)分析发现,薄膜均匀致密,表面无空洞、无开裂,晶粒尺寸约为50 nm.用原子力显微镜(AFM)测量薄膜表面的方均根粗糙度为7.8 nm.用透射电镜(TEM)观察薄膜的断面结构,用阻抗分析仪测试了薄膜的介电性能,其介电常数和介电损耗分别为460和4%(1 kHz).  相似文献   

3.
利用溶胶凝胶法在单晶LaAlO3(100)衬底上成功的外延生长了La0.7Sr0.3MnO3薄膜。用X射线衍射、直流四探针法对其进行了研究。结果表明,薄膜为赝立方钙钛矿结构,晶胞参数为α=3.872nm,具有良好的单晶外延结构。电阻率随着温度的增加,从金属导电行为向绝缘体行为转变,利用双交换理论对此现象作了合理的解释,转变点温度为TMI=340K。其电阻率在T〈TMI时满足ρ=ρ0+ρ1T^2,其导电机制是电子与电子的散射,在T〉TMI时主要是小极化子输运。  相似文献   

4.
采用溶胶-凝胶法在Pt/Ti/SiO2/Si基片上制备了掺钕(Nd)的Bi4Ti3O12薄膜(Bi4-xNdx)Ti3O12(x=0.85),将薄膜于空气中710℃退火0.5h,形成BNT多晶薄膜。系统研究了薄膜的结构、电学性质、表面形貌、漏电流、疲劳特性等。结果表明薄膜呈(117)和(00l)的混合取向,显示良好的铁电性(2Pr=60.8μC/cm^2),并呈现良好的抗疲劳特性。  相似文献   

5.
采用一种修正的溶胶-凝胶技术制备出Pb[Zr0.52Ti0.48]O3(PZT)铁电薄膜.对溶胶的整个制备过程进行了红外透射光谱分析,对制备的铁电薄膜结构和性能进行了表征.由XRD图可以看出,退火温度在600℃以上时,薄膜结构为纯的钙钛矿结构.由P-E曲线可以看出,经600℃退火处理的PZT薄膜具有良好的铁电性能.  相似文献   

6.
介绍了Solgel法制备Bi4Ti3O12薄膜的工艺过程,研究了BiTi溶胶在Si基片上的匀胶规律;用TGDTA和TEM技术研究了BiTi干凝胶的形态,并成功地在Pt/Ti/Si基片上制备了c轴取向的Bi4Ti3O12薄膜.  相似文献   

7.
采用溶胶-凝胶法制备了鲜黄色的高反射TiO2-CeO2薄膜,研究了环境湿度和醋酸添加剂对薄膜形成的影响,研究表明,醋酸加入能显著提高薄膜质量,得到均匀透明的高质量薄膜;涂膜环境温湿度对薄膜质量有决定性作用。  相似文献   

8.
用磁控溅射法在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上沉积Ba0.65Sr0.35TiO3薄膜.研究沉积气压和衬底温度对BST薄膜结构及介电性能的影响.应用XRD和AFM表征薄膜的物相结构及其表面形貌,通过阻抗分析仪测量薄膜的介电性能.结果表明在3.0 Pa沉积气压和600℃衬底温度下制备的Ba0.65Sr0.35TiO3薄膜有较好的微结构和介电性能.  相似文献   

9.
溶胶—凝胶法制备TiO2薄膜及其光学特性   总被引:9,自引:1,他引:9  
采用溶胶-凝胶方法在二氧化硅玻璃基片上制备了TiO2薄膜,通过测量薄膜在紫外-可见光波段的透射率和反射率光谱,对其光学特性和吸收边缘进行了研究。实验结果表明,吸收边缘大约在350nm附近,并且随热处理温度的升高,吸收边缘向长波方向移动,锐钛矿相的禁带宽度比金红石相的禁带宽度高0.15eV。  相似文献   

10.
用溶胶-凝胶法合成了结构均匀而无裂纹的NiO薄膜.借助X射线衍射仪和光学显微镜等手段,对NiO薄的晶体结构和形貌进行了分析;利用光干涉仪测定了薄膜的厚度.讨论了浸沉涂布时垂直引上速度对薄膜厚度和成膜性的影响.为了制备结构均匀而无裂纹的NiO薄膜,引上速度不应超过12cm/min.  相似文献   

11.
12.
Ba0.60Sr0.40Mg0.15Ti0.85O3-xmol%Mg2TiO4(x=0―40 mol%)(BSTM-MT) composite thin films were fabricated by sol-gel method.The precursor solution of these composite thin films was prepared through mixing the Ba0.60Sr0.40Mg0.15Ti0.85O3 and Mg2TiO4 solution.The microstructures and dielectric tunability of composite thin films were investigated.The dielectric constant of composite thin films can be tailored from 155 to 55 by changing the concentration of Mg2TiO4.The dielectric loss of these composite thin films were...  相似文献   

13.
在温度为97℃,水浴回流10h的条件下,用旋涂法在Si(100)基底上,通过改变溶胶的滴加量、转速、升温速率、煅烧温度及保温时间,制备出性能良好的PLZT铁电薄膜,并用精密阻抗分析仪(PIA)对其介电性能进行测试,研究发现:PLZT铁电薄膜未被击穿时,随着测试频率厂的提高电容逐渐减小,而介电损耗会出现突变,在测试频率达到1MHz时,介电损耗一次突变;当PLZT铁电薄膜被击穿时,随着测试频率厂的升高,介电损耗会逐渐增大,在外场频率达到1MHz时开始减小,当膜被击穿后,电感将不可恢复,而材料的电容具有恢复特征,随着测试频率的升高,电容在逐渐减小.  相似文献   

14.
用改进的溶胶-凝胶技术,在硅和石英衬底上制备了不同浓度的Nd掺杂Ba0.80Sr0.20TiO3薄膜,应用XRD和SEM表征了薄膜的晶化行为和微观形貌.测试发现700℃退火后,薄膜晶化情况良好,具有典型的多晶钙钛矿结构,表面致密,无裂纹和孔洞,晶粒生长均匀,随着Nd掺杂量的增加,晶粒尺寸逐渐减小.在200~1 000 nm的波长范围内测试了薄膜的透射谱,用"包络法"计算了薄膜的折射率,薄膜折射率与波长呈现典型的电子带间跃迁的色散关系,波长为400 nm时,1%Nd(按物质的量计算百分比)掺杂的BST薄膜的折射率为2.06,小于纯BST薄膜的折射率2.10,这是由于Nd掺杂引起薄膜内部应力变化造成薄膜折射率降低.由吸收谱和Tauc关系确定了Nd掺杂对薄膜的光学带隙的影响.  相似文献   

15.
采用脉冲激光沉积法,在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上制备了Ba1-xSrxTiO3薄膜,通过改变Sr化学计量,研究了其介电性质.实验结果发现:随着Sr化学计量的增加,薄膜的介电系数明显增大,而损耗仍然保持在较低的水平.研究表明:薄膜介电系数的增大是由于薄膜中颗粒尺寸的减小,导致了居里温度的降低.另外,C-V特性研究发现:随着Sr化学计量的增加,薄膜的电容调谐度也有所提高.  相似文献   

16.
以LaNiO3作为底电极的Pb(Zr0.3,Ti0.7)O3铁电薄膜的性能研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
采用溶胶-凝胶法在Si(100)衬底上制备了LaNiO3薄膜,采用相同方法在LaNiO3/Si(100)上制备了Pb(Zr0.3,Ti0.7)薄膜,对LaNiO3薄膜和Pb(Zr0.3,Ti0.7)O3薄膜的结晶性,表面形貌和电性能进行了研究。  相似文献   

17.
采用传统陶瓷工艺制备了CeO2掺杂(Bi0.5Na0.5)0.94Ba0.06TiO3(缩写为 BNBT6)无铅压电陶瓷.研究了CeO2掺杂量(0~1.0wt%)对BNBT6陶瓷的密度、相结构、微观结构及介电与压电性能的影响.XRD表明,CeO2掺杂量在0~1.0%wt之间变化,没有改变BNBT6陶瓷纯的钙钛矿结构.SEM表明,少量的CeO2掺杂,改变了陶瓷的微观结构.介电温谱表明,随着CeO2掺杂量的增加,铁电相向反铁电相转变温度(Td)降低. 室温下,CeO2掺杂量为0.4wt%时,BNBT6陶瓷样品有很好的性能:密度为5.836g/cm3,压电常数为136pC/N,平面机电藕合系数为30.3%, 相对介电常数为891, 介电损耗为0.0185.  相似文献   

18.
用溶胶-凝胶法制备了Bi0.5(Na0.825K0.175)0.5TiO5(简称BNKT17.5)的稳定溶胶,经退火处理得到了BNKT17.5无铅压电陶瓷粉体.研究了制备工艺条件对前驱体溶液和凝胶形成的影响并利用TG—DSC、X射线衍射(XRD),透射电镜(SEM)等技术研究了凝胶预烧温度、预烧晶体结构及晶形状况,结果表明乙酰丙酮与金属Ti离子的物质的量比[n(ACAC)/n(Ti^4+)]及pH值是影响前驱体溶液和凝胶形成的主要因素.600℃以上退火处理的粉体样品呈单一的钙钛矿结构,晶粒大小在100nm左右.  相似文献   

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