中国科学院半导体研究所

中国科学院半导体研究所是1956年按照《12年科学发展远景规划》中“四项紧急措施”开始着手筹建的，是集半导体物理、材料、器件研究及其系统集成应用于一体的国家级半导体科学技术的综合性研究所，正式成立于1960年。     

半导体表面态的研究与展望

半导体表面的研究是半导体物理中极为活跃的一个分支，因为半导体器件的体积越来越小，靠近半导体表面附近的物理性质越来越重要。笔者系统地对半导体表面态进行了综述。认为当波矢K取复数时局域于表面附近存在表面电子态，其波函数体内、体外都衰减。同时对半导体表面研究的发展历程、现状以及前景进行了展望。     

简述半导体研究应对《十二年科学规划》的紧急措施

《十二年科学规划》是新中国第一个长期科技发展规划,它的制定和实施对我国科学和技术的发展产生了重大而深远的影响。半导体技术被列为"四项紧急措施"之一,根据"四项紧急措施"的要求,相关部门通过集中全国主要的科技力量,进行人员培养和科技攻关,在短时间内培养了一批半导体专业人才,取得了一些重要的科技成果,从而奠定了我国半导体研究快速发展的基础。     

黄昆先生的科学贡献及其开创的学术传统

 通过对历史文献的耙梳，介绍了黄昆学术成长的历程，回顾了黄昆在固体物理方面的杰出成就，探讨了其创办第一个半导体专业化、建立半导体物理研究基地、形成独特的学术传统等，为发展新中国半导体事业作出的贡献。     

PTCR半导陶瓷老化后的复阻抗研究

根据ＰＴＣＲ半导体陶瓷在湿热条件下的老化试验结果，对ＰＴＣＲ半导体陶瓷老化前后分别提出了不同的等效电路模型，通过对阻抗－频率关系曲线的测量，求出了ＰＴＣＲ半导瓷的特性参数，计算结果表明，老化后室温阻值增加，这主要是电极氧化引起的，对实验结果进行了物理本质的初步探讨。     

半导体物理

本书是一本教材，系统地介绍了半导体物理的理论知识。为了使学生能更好地理解和应用这些理论和概念，本书还对一些基于半导体的重要系统的原理进行了简单的解释。全书共分10章。第1章半导体简介，介绍了半导体的定义和重要性、半导体理论的基础和一维理想结晶固体的量子态；第2章理想半导体的量子态，重点介绍了三维半导体的量子态；第3章纯半导体的激发态和含杂质半导体的量子态；第4章均相半导体的统计学；第5章半导体中的迁移现象；第6章光效应；     

"半导体集成化芯片系统基础研究"项目申报指南

“半导体集成化芯片系统基础研究”是国家自然科学基金委员会组织实施的重大科学研究计划．其宗旨在于，以超过当前国际微电子生产水平2至3代的芯片系统（SOC：system on chip）需要解决的重要科学问题为研究对象，开展广泛、深入的基础研究．为我国2005年至2010年及其后的微电子科技与IC产业发展提供解决关键问题的科学方法．从而促进我国电子信息工业高速、持续地发展。     

李季教授简介

<正>李季,男,阜阳市人,1985年毕业于山东大学物理学专业半导体物理方向,现为阜阳师范学院物理与电子科学学院教授。李季教授长期从事物理学、计算机应用技术等专业方向的教学与研究,先后承担《普通物理实验》、     

我国半导体照明发展战略研究

在详细分析国内外半导体照明产业发展现状和趋势的基础上，提出了我国发展半导体照明的技术路线，给出了不同发展情景下，我国中长期半导体照明节能潜力的预测结果，并对我国半导体照明发展战略提出了若干政策建议。     

超晶格量子阱研究的回顾与展望

半导体超晶格物理是凝聚态物理学中一个极其活跃的前沿领域之一．它的确立、研究与发展,不仅对现代电子信息科技,而且对小尺寸效应、新型材料科学和纳米技术等的发展都产生了革命性的影响．对半导体超晶格物理的历史、现状以及未来走向做一简单的回顾与展望,对于把握凝聚态物理,特别是半导体物理在21世纪的发展趋势具有重要意义．     

2014年诺贝尔物理学奖解读

 本文从半导体科学技术研究与诺贝尔物理学奖的渊源出发,详细解读了2014 年诺贝尔物理学奖成果"高效GaN 基蓝光发光二极管"的研究背景、核心创新内容、科学意义和应用价值,分析了氮化物宽禁带半导体的发展趋势。文章从3 位诺贝尔物理学奖获得者的研究历程、诺贝尔评奖委员会的评奖标准等视角,探讨了2014 年的诺贝尔物理学奖对我国物理学科建设、如何看待应用物理研究与基础物理研究的关系以及对成果评价标准的启示和借鉴价值等问题。     

半导体宏观数学模型的拟中性极限

首先给出了半导体材料科学中的各种数学模型，然后综述半导体材料的宏观模型拟中性极限问题的有力数学分析结果，使用熵（Entropy）方法和弱紧性方法证明了古典半导体飘流扩散模型的拟中性极限。     

如何在物理课上培养学生的细节品质

我国新一轮基础教育物理课程改革的内容之一就是制定了物理课程的三维培养目标：知识与技能、过程与方法、情感态度与价值观。如果对于过去片面强调“双基”培养目标而言，这只是课程教学目标的补充和完善，而就科学及科学教育的深层内涵而言，物理学不仅以其概念、原理和规律的科学知识揭示了自然界基本运动形式和物质结构的诸多真理，而且还以其在建立这种知识体系的过程中所凝练和升华的科学思维与科学方法推动着科学的继续进步。     

融入研究性学习思想的半导体物理教学改革与实践

半导体物理由于对先修课程的知识要求高、基本概念多、理论推导繁琐,致使大多数学生对该课程的学习兴趣不高。针对在教学中出现的这种情况,我们实施了一种融入研究性学习思想的半导体物理教学改革。将科研过程中涉及半导体物理知识的一些研究问题与解决方法渗入到半导体物理的教学中,引导学生自主学习,加强理论知识与科研实践的有效结合。该教学方法极大地提高了学生的学习积极主动性,增强了学生的创新意识,收到了良好的教学实践效果。     

半导体大原子团：基础物理和量子器件应用

本书主要目标是讨论具有纳米尺度的半导体大原子团的基础物理和在发展新一代的量子器件中将它们当作构造模块的应用前景。书中评述了为发展量子信息处理和通信用的单电子/激子器件，当前正在进行的半导体量子点的制备和特性的研究现状。     

多场调控氮化物半导体量子结构及其固态光源应用

简要回顾了氮化物半导体发光二极管技术的发展历程,总结了多物理场作为有效调控和裁剪氮化物量子结构关键特性的重要手段,着重介绍了近年来厦门大学在半导体固态光源量子结构材料和器件方面的研究进展,特别是在氮化物半导体量子结构关键技术开发中,率先联合调控化学势场、光场、极化场以及电场等获得的有影响的重要创新成果.     

贝尔实验室半导体材料的研究

着重论述贝尔实验室关于半导体材料研究与工艺开发的历史过程，这包括锗和硅的制备，Ⅲ－Ｖ族半导体化合物，区域纯化法和区域致匀性，以及外延，掺杂和掩蔽工艺等。     

半导体技术的研究进展

随着世界范围内对半导体产品需求的持续上扬，半导体发展已到了黄金时期。本文从半导体硅制造工艺的研究进展、化合物半导体技术的研究进展和应用等方面进行了综述。     

台湾发展半导体产业的启示

半导体产业作为台湾“两兆双星”计划重点发展的产业之一，台当局投入大量的财力物力予以重点推进，并取得了不菲业绩。本文从台湾半导体产业的现状入手，追溯其发展的历程，从而挖掘对我国发展半导体产业的启示。     

重视师范学生近现代物理知识的教学

本文针对一些物理教师不重视师范学生近，现代物理知识教学的现状，从“三个面向”，科学方法论教育和素质教育的需要，就如何开展这方面的教学提出自己的建议和措施。