Near-环的星型J-根和J-型根环类

本文引进*型N-群,并定义near-环N的*型J-根J*(N).证明了J_*(N)是半素理想,J_*:N→J_*(N)是根映射。同时对于零对称near-环,证明了J_(5/2)={N|N～N′≠{0}J_(5/2)(N′)≠{0}}是Amitsur-Курощ意义下的Jacobson-型根环类。     

Γ—环的ΓΡ—根

本文在Г——环中定义了一种ГP—根,从而得到如环中所定义的根的一些基本性质,直至半单纯环的亚直和分解定理。     

整环上的上三角矩阵李代数的自同构群

完全刻划了整环上的上三角矩阵李代数自同构群.     

负载型FeOOH/mmt吸附As(Ⅴ)的实验研究

以蒙脱石为基底,在Fe(NO3)3-HNO3液相反应体系诱导制备了FeOOH材料,研究了其吸附水中As(Ⅴ)的性能及机制。结果表明:在较宽的酸性范围内(pH值为3~7)有效吸附砷,其吸附等温线能用Freundlich和Langmuir吸附模型很好地描述。同时对吸附机理进行探讨,FeOOH/mmt对砷的吸附可能是静电吸附和化学反应共同作用的结果。     

新型环磷腈基聚合物的合成

以八氯环四磷腈和一缩二乙二醇、二缩三乙二醇为原料,二氧六环做溶剂,在金属钠和碳酸钠存在下,制备出聚(一缩二乙二醇氧基环四磷腈[P4N4C14(OCH2CH2OCH2CH2O)4]n和聚(二缩三乙二醇氧基环四磷腈)[P4N4C14(OCH2CH2OCH2CH2OCH2CH2O)4]n,并对其进行了表征.     

Γ-半环的右(左)算子环、右(左)算子半环及素理想

本文对Γ-半环建立了右(左)算子半环和右(左)算子环,并讨论了它们的素理想之间的对应。     

关于湖南电位器总厂的决策分析

本文采用层次分析法对湖南电位器总厂的生产发展情况进行决策分析。共分析了投资、经济评价、原料来源、产品质量、市场、科技水平等六个制约方面,以及国家投资、地方投资、降低成本、提高利润、进口原料、国产原料、新产品开发、产品稳定性及创优水平、国内市场、国际市场、管理水平、工艺装备水平等十二个子因素,分三个层次在DJS—130型计算机上进行计算得出相对于总目标的权重,为决策者提供科学依据。     

关于映射芽的右等价的若干结果

S.S.—T.Yau对全纯函数芽的右等价进行了刻划,本文则研究C~∞映射芽的右等价。文中§1讨论右等价的映射芽的若干性质,§2给出两个映射芽右等价的一些充分条件。而§1中所得到的结果对于识别二映射芽不是右等价来说显然是有用的。     

域Q(a~(1/s))上方程f(x)=0的Galois群

重点讨论Q(a～(1/s))域上的方程f(x)=0的Galois群的计算.给出并且证明了命题:域Q(a～(1/s))上f(x)=0的Galois群是f(x)=0在Q上的Galois群的子群,特别如果f(x)不含xS-a的因子,即f(x)的系数中没有sa的某个组合,则f(x)在Q(a～(1/s))的Galois群与f(x)在Q上的Galois群等同.并用具体实例来展示命题的实际意义.     

关于Z[c~(1/2)]环

给出Z[c_(1/2)]环的定义,并定义Z[c_(1/2)]环上的元素范数;讨论Z[c_(1/2)]环关于任意主理想的商环的个数,进而得到Z[c_(1/2)]中主理想是极大理想的充要条件,特别在Z[c_(1/2)]是主理想整环的条件下,得到了Z[c_(1/2)]的元素是素元的充要条件。     

N-立方体中一类特殊差错分布的快速容错路由选择

对n-立方体结构的多处理器系统，本文考查了出故障的处理器非常集中时的容错路由对策，给出了一种判断出故障的处理器是否全部或绝大部分集中于某一（n—1）-子立方体的方法，证明了当差错非常集中时任意两个有效处理器之间可在线性时间（即o(n)时间）内找到最光或接近最优路由的有效路由．