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相似文献
 共查询到19条相似文献,搜索用时 140 毫秒
1.
本文探讨非均匀气体系统红外辐射量的计算方法,运用谱带模型理论导出了计算气体分子辐射吸收的发射率,透射率和光谱辐射宽度公式,并应用导出的公式计算了CO_2气体分子光谱发射率和透射率,其结果与实验值吻合较好.  相似文献   

2.
根据X射线激发下包膜的LaOBr:Tb的发射光谱,用Judd—ofelt理论,计算了此粉末晶体中Tb~(3+)的强度参量Ωλ(或τ_λ)以及~5D_3、~5D_4到~7F_J能级的相对强度,并利用Ω_λ三参量计算了~5D_3~~7F_J和~5D_4~~7F_J能级的电偶极和磁偶极振子强度,电偶极和磁偶极辐射跃迁几率,辐射寿命和荧光分支比等光谱参数,理论分析与实验结果一致。  相似文献   

3.
应用离子注入技术制作n+-p-π-p+拉通型雪崩光电二极管时(Si-RAPD),可以用高斯型杂质分布模型求得到它的电场模型.找到了倍增因子M与电压间关系,详细讨论了电场强度E对击穿电压VB,耗尽层宽度W和有效离化率比值keff等影响.计算值与实测值符合较好.应用本模型,对Si-RAPD进行最佳设计是十分方便的.  相似文献   

4.
利用真空蒸镀的方法,制备了结构为ITO/NPB(20 nm)/MCP(3 nm)/MCP:Firpic(z%,x nm)/TPBi(10nm)/Alq3(30 nm)/Cs2CO3:Ag2O(2 nm,20%)/Al(100 nm)的器件.研究了不同掺杂浓度(z=5,8,10和12)和不同厚度(x=5,10,15,20和25)对器件性能的影响.首先确定MCP:Firpic层的厚度为5 nm,调节掺杂浓度.结果表明当掺杂浓度为10%时,器件的效率和亮度都为最大.驱动电压为8 V时,最大电流效率为6.996 cd/A;驱动电压为15 V时,最大亮度为10 064 cd/m2.在10%的掺杂浓度下,调节MCP:Firpic层的厚度.当厚度为20 nm时,器件的性能较好.驱动电压为13 V时,电流密度为2.248 mA/cm2,效率为10.35 cd/A;驱动电压为21 V时,电流密度为304.16 mA/cm2,亮度为21 950 cd/m2.  相似文献   

5.
飞秒激光脉冲与透明介质相互作用后产生的白光具有类似激光束的高强度和高亮度特性,而且其谱线覆盖了从紫外到红外波段.分别利用10 Hz、120 fs、60 mJ的掺钛蓝宝石激光脉冲和1 kHz、120 fs、1 mJ的掺钛蓝宝石激光脉冲,在玻璃和水中产生了白光连续谱并进行了测量,测出了白光的谱线,实验结果显示白光谱宽分别为440~820 nm和400~750 nm;从自聚焦和自相位调制理论出发,对白光产生的机理进行了讨论,结果显示自聚焦和自相位调制无法完整的解释白光谱线.  相似文献   

6.
通过酰氯化、二酰肼化和脱水关环反应,合成了五个2-芳基-5-(4-溴苯基)-1,3,4-口恶二唑衍生物,关环反应产率达到78.9%,产物结构经红外光谱和核磁氢谱得到了表征.探讨了反应条件对合成口恶二唑衍生物的影响,研究了口恶二唑衍生物的紫外光谱和荧光光谱性能.结果表明:这类衍生物氯仿溶液的最大紫外吸收波长在280~301 nm,最大荧光发射波长在350~370 nm,芳基取代基结构对2-芳基-5-(4-溴苯基)-1,3,4-口恶二唑衍生物的发光性能有一定的调节作用.  相似文献   

7.
利用PPKTP晶体进行了中心波长为780 nm、重复频率为250 MHz、脉宽为100 fs、谱宽为15 nm的飞秒激光倍频实验研究.在最佳匹配温度条件下,得到了功率约为23 mW、中心波长为390 nm、谱宽为0.6 nm的紫外倍频光,倍频转换效率为13.9%.该脉冲激光具有模式极优、线宽很窄等特点,是一种很有价值的紫外激光光源.  相似文献   

8.
一个新LiNbO3晶体探测器理论计算方法   总被引:1,自引:1,他引:0  
对一种新的用于超快电磁脉冲检测的晶体探测器,首次给出一个普遍情况下的理论计算方法,用此方法,不需要将任意辐射场下产生的折射率二次方程标准化,而可以在原主轴坐标系中直接将测量值△φ与辐射场强E0。连系起来.根据辐射场在晶体中分布与超快脉冲群速度失配,还给出了探测器制作的尺寸要求。  相似文献   

9.
用光纤把辐射能转变为Cerenkov光光能的传感器和信号传输线时,可以构成频带极宽的电子束和γ射线脉冲诊断系统.本文从理论上计算了入射的相对论电子或入射的γ射线形成的Compton电子在光纤中产生的Cerenkov光的灵敏度.研制了光纤传感器和测量系统,给出了系统灵敏度、动态范围以及带宽的解析表达式,这对评价系统性能和论证可应用性是很重要的.标定了传感器对γ射线的灵敏度.现系统可突破常规系统带宽的极限记录.系统带宽潜力达500MHz以上,用于极快辐射脉冲测量将显示出它的独特优点.  相似文献   

10.
合成了准刚性环化合物2,3.二氢-9,10-二羟基-1,4-蒽醌(DHHA),并用核磁共振谱、红外光谱和质谱确定了结构.循环伏安实验表明DHHA在玻碳电极上有一对明显的氧化还原峰,在加入DNA后,其氧化峰电位出现了正移,且峰电流出现了明显的降低,表明二者的作用模式可能为沟槽结合,当DNA浓度处于9.0×10-6mol/L-4.5×10-5mol/L之间时,DNA的浓度与氧化峰的电流强度具有良好的线性关系,所以,在此范围内可以对DNA进行定量检测.计时库仑实验、微分脉冲实验以及紫外.可见光谱实验都进一步证实DHHA与DNA的相互作用,且它们的作用模式可能为沟槽结合.  相似文献   

11.
采用干燥的HCl气体,作为HCl热氧化的气体源,制成铝膜MOS结构,其固定氧化物电荷几乎为零,界面陷阱密度低于1×1010陷阱/厘米2-电子伏特,对于人为的异常高的(大约3×1013离子/厘米2)可动钠离子沾污,仍具有99.5%以上的钝化效率.讨论了达到这些性能的原因.  相似文献   

12.
采用汞空位扩散模式,解释了高温(600℃)短时间(10'~15')热处理后使Hg0.8Cd0.2Te变成P型的现象,把热处理后样品逐层减薄,同时用范德堡法[1]在77K (液氮温度)下进行霍尔测量,得出在不同汞压、不同时间下样品中汞空位的分布.由此验证了汞空位扩散模式,并计算得600℃下Hg0.8Cd0.2Te中汞空位扩散系数DL为2×105微米2/小时左右;汞空位最终浓度Lf与汞压成反比,其比例常数(KF)/Ki为5×1019·厘米-3大气压;汞空位激活能Q为0.6电子伏特左右.  相似文献   

13.
本文研究了硅全离子注入的平面型GaAs双栅MESFET.有源层注入条件为110ke V、3.5×1012cm-2,接触层注入条件为50keV、8×1012cm-2,退火条件为800℃30分钟.FET的铝栅1.5×300μm,Au-Ge-Ni为欧姆接触.  相似文献   

14.
本文对反应溅射SiO2薄膜作了红外光谱研究,发现反应溅射法所获得的SiO2薄膜中,硅与氧的反应并不完全.我们认为这是造成它与硅之间界面态密度升高的原因之一.为了改善Si与反应溅射SiO2薄膜的界面特性,将溅射在硅片上的SiO2薄膜,在含CCl4的气氛中于950℃温度下进行氧化与退火处理.结果使Si-SiO2的界面特性大大改善,对于n型(100)晶向的硅片其界面态密度下降到5.3×1010cm-2·V-1.以此SiO2薄膜作为栅,成功地制出了MOS场效应晶体管.  相似文献   

15.
本文导出光截止法中透光因子的解析式,它们分别适用于短波和长波.这些表式被用于实验测量并证明对改善精度和测量速度是很有用的.根据这些表式,获得精度为10-5的3000个数值的表,进而得到碲镉汞组分x和透光因子F的一个有用的精确到2×10-4的解析式.  相似文献   

16.
一种新型高精密低频相位校准标准已研制成功,它采用相位误差倍减技术,在20Hz~100kHz (点频)内,相移量范围是0~n×360°(n是整数),准确度为±(1×10-6×F±0.001)度,F为工作频率,单位为Hz.相移量分辨率为(3×10-8×F)度.输出信号实测的失真度优于1×10-4,幅度稳定度优于1×10-5/10min.  相似文献   

17.
双层辉光离子渗金属技术等离子体诊断初探   总被引:4,自引:0,他引:4  
利用朗谬尔静电探针技术对双层辉光离子渗金属的等离子体参数进行了初步诊断,结果表明,等离子体电位和电子温度随气压的升高平缓下降,而等离子体密度则随气压的增加而提高,等离子体电位和电子温度均随源极电压和工件阴极电压的增加而降低,在适当的工艺条件下,源极和阴极之间产生了不等电位空心阴极效应,等离子体密度从10^10数量级增加到10^12cm^-3。  相似文献   

18.
本文用光注入的"等温衰减电流(IDC)法"观察α-CuPc蒸发膜的陷阱能态分布,得到了该试样在不同温度和不同场强下的等温衰减电流曲线,而不同温度下曲线最大值的温度位移是一条直线,从而得到陷阱深度Et=0.58eV和热释放频率因子v=1.7×108s-1.并用Poole-Frenkel理论解释了等温衰减电流曲线的场强依赖关系.  相似文献   

19.
气相色谱法快速测定绝缘材料热解产物中CO_2含量   总被引:1,自引:0,他引:1  
采用压力平衡反吹技术及逸气分析/气相色谱在线联用手段对电机线圈绝缘材料环氧粉云母热解产物中的CO2含量进行测定。分析时间为12min,检出限为5×10-3mg/L.精密度为CV=2.82%.回收率为98.12%。  相似文献   

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