ZnSe／Zn1—xCdxSe非对称双量子阱中电子声子相互作用

采用转移矩阵方法研究了ZnSe/Zn1-xCdxSe非对称双量子阱结构中界而光学（IO）声子模和电子－IO声子相互作用哈密顿量，发现IO声子的色散关系和电子－IO声子耦合强度是波矢的复杂函数，并且长波声子是主要的，使用简化的相干势近似数值计算ZnSe/Zn1-xCdxSe非对称双量子阱结构，结果表明高频声子与IO声子的相互作用较低频声子与IO声子的相互作用强。     

有限单量子阱结构中电子—界面光学声子相互作用

本文给出了有限单量子阱结构中电子与有（界）面光学声子相互作用的类弗留里希哈密顿算符，电子－声子耦合函数被计算和讨论。     

氮化物抛物量子阱中电子-声子相互作用对极化子能量的影响

采用改进的LLP变分方法．研究氮化物抛物量子阱（GaN／Al0.3Ga0.7N）材料中的电子-声子相互作用．给出极化子基态能量、第一激发态到基态的跃迁能、不同支长波光学声子模对极化子基态能量的贡献随阱宽L的变化关系,在数值计算中考虑了氮化物（纤维锌矿）GaN和AlxGa1-xN构成的抛物量子阱材料中长波光学声子模的各向异性．结果表明,基态能量和跃迁能量随阱宽L的增大而减小。阱宽较小时．减小的速度比较快＋阱宽较大时．减小的速度比较慢．最后缓慢地接近GaN体材料中的三维值．在GaN／Al0.3Ga0.7N抛物量子阱中定域准LO声子对极化子能量的贡献比较大．阱宽较大（L=27nm）时约33meV,这一值比GaAs／Al0.2Ga0.7As抛物量子阱中的相应值（约3meV）大的多,并且定域准LO声子的贡献远远大于定域准TO声子的贡献．     

ZnO/Mg_xZn_(1-x)O量子阱中的极化子效应

通过Lee-Low-Pines(LLP)变分方法研究了纤锌矿ZnO/MgxZn1-xO有限深量子阱中电子与光学声子(定域声子、半空间声子)相互作用对极化子能级的影响,给出了极化子基态能量、跃迁能量和电子-声子相互作用对基态能量的移动随着阱宽和组分的变化关系.结果表明,在窄阱中,对系统能级的移动半空间声子要高于定域声子,而在宽阱中恰好和窄阱中的情况相反.定域(半空间)声子对极化子能级的移动随着阱宽的增大而变大(变小),最后接近体材料的三维值(0).当阱宽不变时,随着Mg组分x的增加,定域声子对极化子能级的移动缓慢增大,而半空间声子对极化子能级的移动则缓慢减小,最后接近于0.     

对称量子阱中电子—界面声子相互作用对极化子性质的…

采用Ｈａｇａ方法，对量子阱中极化子的有效质量和自陷能进行了研究。考虑到量子阱中电子波函数的束缚和界面声子的影响，计算了不同支声子与电子相互作用对自陷能的贡献，讨论了极化子的有效质量和自陷能随量子阱宽度的变化关系，进一步说明了量子阱的尺度和界面声子的重要性。     

对称纤锌矿结构量子阱中的准受限声子及电声相互作用的哈密顿量

在介电连续模型下,得出多层对称纤锌矿结构异质结、量子阱中的准受限声子的P-本征极化模,色散关系和电子与准受限声子相互作用的哈密顿量.此结论具有普遍的意义,对进一步研究纤锌矿结构异质结、量子阱中的准受限声子及其电声耦合强度,具有一定的理论价值.     

Zn_(1-x)Cd_xSe/ZnSe异质结中的界面极化子

采用准二维模型计及 Zn1-x Cdx Se/Zn Se半导体异质结界面附近的能带弯曲效应 ,讨论了异质结界面极化子的基态能量 ,有效质量随电子面密度以及 Cd组份的变化关系 .     

抛物量子阱中界面声子对极化子能量的影响

采用LLP中间耦合方法，对抛物量子阱中极化子能量和电子—声子相互作用对极化子能量的影响进行了研究。计算中不仅考虑了电子与局域LO声子相互作用，而且还考虑了电子与四支界面声子的相互作用，研究结果表明，抛物量子阱中电子—声子相互作用对极化子能量的贡献很明显，阱宽较小时，电子与界面IO声子耦合起重要作用，而在宽阱中，电子与局域LO声子耦合起重要作用。     

Zn_(1-x)Cd_xSe/ZnSe异质结中的束缚极化子

对半导体单异质结系统 ,引入三角势近似异质结势 ,考虑电子、杂质与声子的相互作用 ,利用改进的 LLP变分法讨论在界面附近束缚于正施主杂质的极化子基态能量 .对 Zn1-xCdx Se/Zn Se系统的杂质态结合能进行了数值计算 ,给出了结合能、声子贡献随杂质位置、电子面密度和组分的变化关系 .结果表明 ,杂质 -声子相互作用显著且声子对结合能的作用为负 .     

纤锌矿GaN/AlN量子阱中束缚极化子能量

采用改进的Lee-Low-Pines(LLP)变分方法,处理纤锌矿GaN/AlN量子阱材料中电子与受限长波光学声子的相互作用,给出束缚极化子基态能量和结合能随量子阱宽度L的变化关系.在数值计算中考虑了纤锌矿GaN和AlN构成的方量子阱材料中长波光学声子模的各向异性.结果表明,束缚极化子基态能量和结合能随阱宽L的增大而减小,阱宽较小时减小的速度比较快,阱宽较大时减小的速度比较慢,最后缓慢地接近GaN体材料中的三维值.纤锌矿GaN/AlN量子阱材料中电子-声子相互作用对束缚极化子能量的贡献比较大,该值远大于闪锌矿GaAs/AlAs量子阱材料中的相应值.作为对比,给出闪锌矿GaN/AlN量子阱材料中束缚极化子基态能量和结合能随阱宽的变化关系.     

电子—声子相互作用非对称双势垒共振隧穿的影响

理论研究了非对称双势垒结构中光学声子发射率和光学声子辅助隧穿电流。对A│xGa1-xAs/GaAs/AlyGa1-yAs结构作了数值计算,得到对声子辅助隧穿实验电流峰的一种新的理论上的合理辨认。对宽量子阱理论上只有一个声子辅助峰,且接近阱内LO声子的能量。发现界面光学（IO）声子辅助隧穿是主要的。理论结果能正确解释实验。     

量子阱中极化子基态自陷能的耦合求解方法

用一种新的变分方法研究准二维量子阱中极化子系统的自陷能等问题．只有纵光学声子和表面声子的对称模对极化子的基态能量有贡献．作为例子,对ＧｓＡｓ／ＡｌＡｓ量子阱中极化子的基态波函数和自陷能进行了数值分析．与先前的结果相比,当有效耦合常数稍大时极化子具有更低的自陷能．     

有限温度下量子阱中的磁极化子

将半导体量子阱中界面磁极化子的自陷能分为ＬＯ和ＩＯ声子部分，研究自陷能的温度依赖性。     

量子阱中的双极化子

在同时考虑电子与ＬＯ声子及ＩＯ声子相互作用的情况下,用ＬＬＰ正则变换的方法研究了半导体量子阱中双极化子的性质．给出了由于电子－ＬＯ声子及电子－ＳＯ声子相互作用而产生的诱生势,并且以ＧａＡｓ／Ａｌ０．３Ｇａ０．７Ａｓ为例进行了数值计算．通过计算可得出如下结论：（１）双极化子的诱生势可以分为两部分,其中一部分仅与一个电子的坐标ｚ１（ｚ２）有关,另一部分则不仅与两个电子的坐标ｚ１和ｚ２都有关,还与两个电子间的相对距离ρ有关;（２）诱生势ＶＩＬ（ρ）和ＶＩ,σ（ρ）的绝对值随着双极化子中两个电子间相对距离ρ的增加而减小;（３）由于电子与ＩＯ声子相互作用而产生的诱生势ＶＩ,σ（ρ）的绝对值随量子阱宽度Ｎ的增加而减小．本文方法适用于弱耦合和中耦合两种情况