杂氮硅三环的~(29)SiNMR研究

杂氮硅三环类化学物具有特殊的价键结构和生理活性,引起人们的广泛兴趣。曾用各种物理化学方法研究了这类化合物的结构,表明它们具有五配位硅和四配位氮间的跨环结构,但仍有争议。~(29)Si的化学位移范围约400ppm,对化学环境的变化很敏感,因此用     

用X-光电子能谱(XPS)确定1-乙烯基杂氮硅三环化合物的结构

近十年来,一类新的具有生物活性的杂氮硅三环型有机硅化合物受到人们的重视。1966年Voronkov等提出这类化合物具有五配位硅和四配位氮间的跨环结构:     

硅的新型亚稳金属性同素异形体

从理论上提出了硅的一种新型金属性亚稳相,并通过弹性常数和声子谱的计算验证了该结构在常压下的稳定性.该结构可以通过以?-La Si5为前驱物,将其中的La原子去除获得.该结构中隧道型空隙的存在使其密度低于金刚石型结构的Si-I相.在这种结构中,有40%的硅原子为5配位,其他硅原子为4配位.电子结构的计算表明该结构具有金属导电性.导电性主要由于5配位原子的存在导致价电子出现离域性.配位数的改变也使得硅原子之间发生了一定的电荷转移,出现离子性.该结构的化学键中同时存在共价性、金属性和离子性.     

变质反应中硅氧键总平均值的变化

以X射线单晶结构分析的精测资料为依据,计算了33个变质反应前后的硅氧键总平均值,得出结论：增温趋向使硅氧键长的总平均值减小,而增压趋向使硅氧键长的总平均值增大,这个结论在理论上的意义在于,在硅酸盐体系中,增温趋向使硅氧键的共价性增强,增压趋向使硅氧键的离子性增强。高压下四面体的硅氧键会增长,超高压下四配位的硅会变成六配位,硅氧键会突然大大增长,即硅氧键的总平均随压力增加而增长,是一个由量变到质变的过程。     

矿物中硅的配位与局部结构的同步辐射K边X射线吸收光谱研究

在通常的硅酸盐矿物中,硅为四面体配位。但在下地幔的高温高压条件下(大于10GPa),硅主要为八面体配位。此外,八面体配位的硅也出现在某些合成硅酸盐化合物中。X射线晶体结构分析、红外和Raman光谱是研究硅在无机结晶物质中的配位与位置对称性的常规方法。但在过去的15年里,魔角自旋核磁共振谱已成为研究硅在硅酸盐矿物和其他无机材料中配位与局部结构的最有效方法。最近也有文献报道了用硅的K边X射线吸收谱和电子能量损失谱研究硅的配位。本文采用了同步辐射作光源得到的硅K边X射线吸收光谱来研究硅在硅酸盐矿物和无机材料中的配位与局部结构。     

苯二氮受体在发育中和成体大鼠脊髓的分布

苯二氮(艹卓)类(benzodidzepines BZ)是一类抗焦虑药物,它通过机体内苯二氮(艹卓)受体(BZ-R)的介导起作用.虽然Huntley等(1990)和Vitoricd等(1990)报道过苯二氮(艹卓)受体在脑内的分布及年龄性变化,但是在脊髓内的分布情况迄今尚无报道.本文用苯二氮(艹卓)受体单克隆抗体的免疫组织化学反应,观察了苯二氮(艹卓)受体在不同年龄组大鼠脊髓的分布,为进一步探讨此受体在脊髓内的生理和药理的作用机理提供形态学依据.     

天然蒙脱石的~(29)Si和~(27)Al固体高分辨核磁谱研究

蒙脱石中Al的配位状态是使蒙脱石具有不同性质如荷电性、表面酸性、催化和裂解活性等的重要因素.虽然,Lhomas等(1950)就曾假定酸处理会使蒙脱石八面体片中的部分铝呈现四配位,而且这种四配位铝可作为活性粘土的标志.但是至今尚未见到这种四配位铝的直接谱学证据.固体高分辨核磁谱学技术的出现为这种探测成为可能.自从Lhompson(1984)用魔角旋转核磁共振(MAS NMR)在Wyoming膨润土中探测到四配位铝的信号以来,对於这些四配位铝是否存在於蒙脱石中尚有怀疑.本文对我国的膨润土用MAS NMR等手段进行了研究.     

η3-苯并三唑-噻吩甲酰三氟丙酮的五核铜簇合物的合成和晶体结构

报道了以噻吩甲酰三氟丙酮和苯并三唑两种配体为桥的铜－氮簇合物Ｃｕ５（ＢＴＡ）６（ＴＴＡ）４·５ＤＭＦ的合成和晶体结构．配合物由Ｃｕ（１），Ｃｕ（２），Ｃｕ（３）和Ｃｕ（４）离子围绕中心的Ｃｕ（５）离子构成四面体骨架结构，簇合物的中心铜离子具有六配位的扭曲八面体结构，周边的４个铜离子具有五配位的扭曲四方锥结构．每个苯并三唑分子的３个氮原子同时桥连３个金属铜离子（η３　－形式），周围的铜离子与中心离子Ｃｕ（５）的距离为０．３５６２～０．３７５５　ｎｍ，而４个周围铜离子相互之间的距离为０．５７８７～０．６３０２　ｎｍ．     

硅三环系列化合物中氮硅间键和硼三环中氮硼间键的本质的量化研究

硅三环系列(Silatrane)和硼三环(Boratrane)属于一类在结构和应用上都很有意义的三环化合物(图1)。许多实验事实都已证实了在硅三环系列的氮、硅间和硼三环中氮、硼间成键,因此硅、硼在该类化合物中的价态异于通常,这就使得这些键的本质与成因成了研究者注视的焦点。     

藏在沙子中的瑰宝

硅——藏在沙子中的瑰宝纯净的硅具有银白色光芒,其物理性质界于导体与绝缘体之间。正是这一性质决定了硅在计算机领域,在航天工业等高科技领域中的作用不可替代。在计算机领域中,用半导体硅制成的芯片被科学家誉为"神算子"、"智慧果",它是计算机的心脏元件,它使计算机具备了神话般的存储、运算、推理等逻辑功能。连当代计算机技术的发源地——美国加利福尼亚州的圣克拉拉县,也以"硅     

由黄铁矿制成的太阳能电池

联邦德国Hahn-Meitner研究所最近研究成功由黄铁矿制成的太阳能电池.这种电池与以往的硅太阳能电池相比,富有弹性,重量轻,价廉.由黄铁矿制成的太阳能电池具有0.02毫米厚的半导体层,它能吸收的太阳光能为以往非晶态硅太阳能电池的10倍,但其重量只有它的几百分之一.因此,这种新型的太阳能电池最适合于空间应用.此外,对于以往的非晶态硅太阳能电池来说,硅的纯度是最重要     

InGaAs晶体固-液相变过程中的拓扑结构的演变机制

采用分子动力学模拟InGaAs晶体固-液相变过程,并运用径向分布函数、键角分布函数、配位数统计及可视化等方法,从微观结构的不同层面分析了固-液相变过程的结构演变.结果表明:对于InGaAs体系,固-液相变过程中的微观结构发生了很大的变化,在一级相变时,其原子平均能量和比体积、径向分布函数、键角分布函数、配位数和原子截面图、局部原子分布以及钻石结构分析都显示出很明显的变化.熔化过程中InGaAs晶体原子间共价键发生断裂,体系从四配位结构变成三配位结构,通过占主导作用的三配位结构,结合少量的四配位结构,形成三配位结构之间的互连接和三配位结构穿插四配位结构的连接形成的拓扑无序的液态结构.     

硅纳米孔柱阵列及其表面铜沉积

采用水热腐蚀技术制备了硅纳米孔柱阵列(silicon nanoporous pillar array, Si-NPA), 并以此为衬底通过浸渍沉积制备出一种具有规则表面结构的铜/Si-NPA纳米复合薄膜(Cu/Si-NPA). 形貌和结构分析表明, Si-NPA是一个典型的硅微米/纳米结构复合体系, 它具有三个分明的结构层次, 即微米尺度的硅柱所组成的规则阵列、硅柱表面密集分布的纳米孔洞以及组成孔壁的硅纳米单晶颗粒. 研究发现, Cu/Si-NPA在形貌上保持了Si-NPA的柱状阵列特征, 薄膜中铜纳米颗粒的致密度随样品表面微区几何特征在柱顶区域和柱间低谷区域的不同而交替变化, 并形成一种准周期性结构. 上述实验现象被认为来源于铜原子的沉积速度对Si-NPA表面微区几何特征的选择性. Si-NPA可以成为合成具有某些特殊图案、结构和功能的金属/硅纳米复合体系的理想模板.     

含硅共轭聚合物电致发光材料研究进展

聚合物电致发光材料在通讯、信息、显示和照明等许多领域显现出巨大的商业应用前景, 十几年来一直是人们研究的热点. 最近含硅共轭聚合物在光电功能材料的研究开发中受到越来越多的重视, 一方面是由于硅原子以化学键形式结合到基于碳氢氮硫的传统共轭聚合物中, 能显著改变聚合物的电子结构和状态, 从而改善聚合物的光电性能; 另一方面, 硅是一种广泛应用于现代电子电器等行业的无机功能材料, 含硅共轭聚合物作为一种有机-无机杂化材料具有很高的研究和开发价值. 硅原子的引入对共轭聚合物的结构设计和光电性能改善提供了更大的空间和可能性. 本文根据硅原子在聚合物中的位置, 综述了硅作主链的聚硅烷和poly(1,1-silole), 硅与碳共同作主链的π共轭单体与硅的共聚物, poly(2,5-silole)及其共聚物和含硅桥的共轭聚合物, 以及硅作取代基的π共轭聚合物等含硅共轭聚合物在电致发光材料领域的研究进展, 讨论了其今后的发展方向.     

纳米硅薄膜界面中的环形结构

纳米固体材料由于具有高浓度界面的结构特性以及相伴随着的新颖物性,1984年以后在材料各个领域得以迅速发展。近年来,随着纳米材料在许多领域的兴起,纳米硅薄膜也受到人们越来越多的关注。纳米硅薄膜是由大量的纳米尺寸晶粒及晶粒间界面构成。由于晶粒具有无规则分布的特征,使得界面具有不同的结构和键合特征。界面对纳米硅薄膜的结构和物性具有极其重要的影响。     

硅基SiNxOy薄膜的光致发光

为了实现硅基光电子集成,人们正在致力于探求合适的硅基发光材料.由于SiO_2薄膜是硅集成电路中重要的掩蔽膜和介质膜,因此人们正在将它作为一种有前途的发光材料进行研究,并获得了一些有价值的结果众所周知,SiN_xO_y薄膜也是硅集成电路中重要的掩蔽膜和介质膜,由于它比SiO_2薄膜具有更多的优点,并在超大规模集成电路中得到了越来越多的应用,所以研究SiN_xO_y薄膜是否可以成为一种合适的硅基发光材料也就显得十分有意义了.就我们所知,还没有文献报道SiN_xO_y薄膜光致发光(PL)特性的研究.     

电子酸性催化剂双重性的研究 (Ⅲ)硫化镍硅铝的反应性能与中毒作用

本报考察了硫化鎳硅鋁的反应性能(与鈷鉬硅鋁作了比較),抗毒性能和其氮中毒作用以及反应条件的影响。催化剂(鎳含量4.9～5.1重％)制法是将12～40目粒状担体焙烧后,以硝酸鎳溶液浸渍、烘干与焙烧,然后以氫气还原或硫化氫硫化。鈷鉬硅鋁(鉬含量6.5,鈷0.8重％)的制法是将12～40目共胶球状硅鋁,先浸鉬酸銨,烘干后再浸     

杂氮钛三环类化合物的X-射线光电子能谱(XPS)研究

作者曾报道了杂氮三环类化合物中两个重要成员:杂氮硼三环类化合物和杂氮硅三环类化合物的X-射线光电子能谱(XPS)及其EHMO(扩展的休克尔分子轨道)理论计算研究,实验与理论计算均确证这类化合物分子内配位键的存在。     

哌啶氮氧自由基电子转移反应研究新进展

哌啶氮氧自由基是一类稳定的自由基,其>N(?)O 官能团的邻位带有甲基取代基的化合物具有一定的化学惰性,与许多试剂都不发生反应.哌啶氮氧自由基的4-位可连接多种取代基,因而成为一种重要的自旋标记试剂,被广泛地应用于生物学、化学和物理学的研究中.哌啶氮氧自由基的研究受到了许多化学家的重视,研究范围越来越广泛,本文主要就哌啶氮氧自由基的氧化还原性质及单电子转移反应的研究加以综述.     

铁(Ⅱ)卟啉电子光谱的理论分析

铁(Ⅱ)卟啉是血红蛋白(Hb),肌红蛋白(Mb)和细胞色素等的基本组分。X-射线结晶学的结果指出,铁卟啉具有四方单锥构型,接近C_(4v)点群对称(图1a).在五配位高自旋铁(Ⅱ)衍生物中,铁原子并不位于卟啉环的四氮原子平面。当由高自旋五配位(去氧)转化为低自旋六配位(含氧或含一氧化碳)时,铁原子即进入卟啉环平面。在铁(Ⅱ)结合部位的平均键长如表1所示。