齐分子噻吩的中性态和掺杂态的几何结构特性

采用半经验的Austin Model1(AM1)方法，计算了齐分子噻吩聚合物的中性态和带电态的几何结构性质，与中性态相比，带电态下其分子结构表现在C－C键键长发生显著改变，单电荷掺杂导致化子元激发；双电荷掺杂产生双极化子，即使增加链长至16PT，仍在键中产生双极化子而不是两个分立的单极化子；掺杂4个电荷时，会在聚合物中产生两个分离的双极化子。     

C60-P-苯并咪唑衍生物分子结构和电子光谱的理论研究

用半经验AMl法研究了C60-P-苯并咪唑衍生物的分子轨道、电荷分布和几何构型,计算结果显示：分子（1）具有较低的跃迁能,LUMO轨道分布在C60上,电荷从取代基向C60转移,预测（1）可能在基态下产生长寿命的电荷分离态。     

Nd_(0.5)Ca_(0.5)MnO_3电荷有序态下电荷输运机制的研究

制备了单相多晶Nd0.5Ca0.5MnO3样品,研究了该体系在电荷有序态下的电荷输运机制.研究表明,该体系在低温下表现为半导体输运特性,在250K处发生了电荷有序相变;电荷有序态下的电荷输运机制满足可变程跃迁模型.     

Nd0.5 Cao.5MnO3电荷有序态下电荷输运机制的研究

制备了单相多晶Nd0.5Ca0.5MnO3样品,研究了该体系在电荷有序态下的电荷输运机制.研究表明,该体系在低温下表现为半导体输运特性,在250K处发生了电荷有序相变;电荷有序态下的电荷输运机制满足可变程跃迁模型.     

激光Al等离子体电荷态分布诊断研究

本文分别利用光谱法和飞行时间法对真空环境中激光烧蚀产生的Al等离子体中离子的电荷态分布进行了诊断研究.利用时空分辨的光谱测量装置测量了激光Al等离子体极紫外波段的辐射光谱,通过光谱模拟诊断了等离子体中离子的电荷态分布,并分析了其演化行为.利用飞行时间装置测量获得了激光Al等离子体中离子的飞行时间谱,进一步诊断了等离子体中离子整体的电荷态分布.研究表明,光谱法能够诊断激光等离子体中离子的局部和瞬态的电荷态分布,飞行时间法能够诊断整体的电荷态分布,两种诊断方法相互补充,可以全面和准确地认识激光等离子体中离子的电荷态分布及其演化行为.     

利用Peres判据测量混合态量子系统的纠缠

量子纠缠是量子信息和量子计算的关键资源,研究初态为混合态的电荷量子比特与单模量子化光场之间的纠缠,根据Peres的可分离态的密度矩阵部分转置正定(PPT)判据,测量系统的纠缠并观察初态的混合度λ和失谐量Δ对系统纠缠随时间演化的影响.     

1,3-cis-Retinal-C60-P的结构和电子光谱的理论研究

用半经验AM1法研究1,3-cis-Retinal -C60-P的分子轨道,电荷分布,几何构型.计算结果显示,标题物具有较低的跃迁能.HOMO轨道主要分布侧链上, LUMO轨道则主要分布在 C60上.电荷向缺电子体 C60转移.理论预测其在基态下可能产生电荷分离态.     

卟啉及金属卟啉的瞬态表面光伏特性

通过对比研究卟啉单体、 二聚体及金属卟啉单体的瞬 态光电压性质, 发现其光生电子-空穴对完全分离的时间： 单体小于二聚体, 卟啉配体小于金属卟啉. 卟啉配体电荷载流子缓慢衰减, 而金属卟啉在短时间内, 电子在接近半导体表面空间电荷区域里实现了载流子的快速分离. Cu卟啉的光生电荷载流子瞬态光电压信号与卟啉配体有相似之处, 且与其他金属卟啉也有相似之处. 在金属离子Co²⁺,Ni²⁺,Cu²⁺,Zn²⁺的影响下, 电子-空穴对开始分离的时间大约在2×10^-7 s, 负信号是由接近半导体表面空间电荷区域内快速载流子分离所致, 金属卟啉中心离子d电子数不同, 光生电荷载流子快速分离时间也略有不同.     

电荷量子化介观LC电路的准经典解

基于量子力学的力学量平均值是实验可测量值和相干态的定义, 给出电荷量子化介观LC串联电路电荷平均值和电流强度随时间的演化公式, 以及相干态波函数和满足Schr-dinger方程的准经典波函数的形式解, 形成了描述电荷量子化介观电路的准经典方法.      

介观RLC电路的量子化及量子涨落

借助于热库与LC系统耦合的模型,介绍了一种介观RLC电路的量子化方法.在此基础上,计算了电荷、电流在不同态中的量子涨落.电荷、电流的平均值与相干态的本征值有关,但量子涨落却与相干态的本征值无关.     

高电荷态离子129Xeq+激发Au表面产生的X射线谱

目的研究高电荷态离子129Xeq (q=28,29,30)入射金属Au表面产生的特征X射线谱。方法应用高电荷态离子束流激发。结果在束流强度小于139 nA条件下,单离子的X射线产额可达10-8量级,特征X射线的产额随入射离子的动能和势能(电荷态)的增加而增加。结论与传统的X射线产生方法不同,高电荷态离子可以激发重原子的内壳层特征X射线谱,其产额高,品质好。     

氢分子离子在强场中的电荷共振增强电离

通过理论模拟氢分子离子处在高振动态下的库仑爆炸核初始动能释放谱,详细地研究了强场中氢分子离子在相应振动态的电荷共振增强电离过程.计算结果表明:振动态为υ=5的电荷共振增强电离过程和振动态为υ=6、7的电荷共振增强电离过程是不相同的.     

富勒烯C60-2,3-二(2-吡啶基)喹喔啉稠合体的结构和电子光谱的理论研究

用半经验AM1法研究富勒烯C60-2，3-二(2-吡啶基)喹喔啉稠合体的分子轨道，电荷分布，几何构型。计算结果显示，标题物具有较低的跃迁能。HOMO轨道主要分布在杂环上，LUMO轨道则主要分布在C60上。电荷向缺电子体C60转移。理论预测其在基态下可能产生电荷分离态。     

界面陷阱对硅纳米晶粒基MOS电容的电荷存储特性的影响

利用电容－电压（C－V）测量研究了界面陷阱对于硅纳米晶粒基金属－氧化物－半导体（MOS）电容结构的电荷存储特性的影响,研究表明硅纳米晶粒的界面陷阱与SiO2/Si衬底界面态对电荷存储有着不同的影响作用,长时间存储模式下的电荷存储行为主要是由存储电荷从深能级陷阱直接隧穿到SiO2/Si衬底界面态决定。     

介观含源RLC并联电路的量子涨落

由于耗散的存在，介观RLC并联电路中的磁通量和电荷不是一对线性厄米算符，因此，构造了一对正则变量，并用该对正则变量作为算符实现了介观RLC并联电路的量子化，在外源作用下，介观RLC并联电路系统由初始本征态将演化到平称Fock态，在平移Fock态中，计算了磁通量和电荷的量子涨落。     

齐分子噻吩乙炔的几何结构特性

采用半经验的Austin Model 1(AM1)方法,计算了齐分子Poly(Thienylene Vinylene)(PTV)的中性态和掺杂态的几何结构特性.与中性态相比,带电态下齐分子PTV的几何结构表现在C-C键键长发生显著的变化,单电荷掺杂导致极化子元激发;双电荷掺杂产生双极化子元激发,即使增加链长,仍在链中产生双极化子而不是两个分立的单极化子;掺杂4个电荷时,在齐分子PTV链中产生两个分立的双极化子.     

微观sdIBM - 2下~(188)Os核的研究

本文在微观sdIBM - 2框架下 ,计算了1 88Os核的能谱、约化E2跃迁矩阵元、E2跃迁玻色子结构函数 (BSF)以及第一个 2 +态到基态的跃迁电荷密度 (TCD)。理论结果与实验值作了比较 ,理论能谱成功地再现了实验能谱 ,低能态间的约化E2跃迁矩阵元以及 2 +1 态到0 +1 态的跃迁电荷密度与相应的实验值符合也较好 ,表明此模型对该核的较低能态描述较为合理。     

无自旋态反绝热极限下MX链晶体中的量子晶格涨落效应

MX链的准一维、电子跃迁、电子——声子耦合和电子——电子相互作用等物理特性决定着系统的相转变和对称破缺电荷密度波态的稳定性。从紧束缚Hamiltonian模型出发,在反绝热极限条件下,对费米子无自旋态MX链系统进行了研究。讨论了系统的电荷密度波态,二聚化相变、绝缘相能隙等。并根据基态能量的解析性质,得到确定导体相的Luttingcr指数。计算结果表明,在反绝热极限情况下,系统存在一非平凡相变点。电声子耦合强度大于临界值时,系统处于二聚化电荷密度波态,小于临界值时,系统处于Luttinger液体相。     

SU_3电荷、超荷相干态

本文分別建立了玻色子和費米子两种情况的SU_3电荷、超荷相干态。同时提出了带电費米子相干态。     

不同氧化态的铬、锰二元无机络离子的电荷分布

本文用EHMO-电荷自洽迭代方法及VOIP比较方法计算了不同氧化态下中心金属原子铬和锰的电荷值,计算结果与Pauling阐述的电中性原理一致。对电荷迭代方法作了改进,保证了收敛,节省了计算时间。提出了VOIP比较法,为非电荷自洽迭代的EHMO方法提供选择参数的依据。