Yb:YAG晶体光谱的温度特性

通过测量不同温度下Yb：YAG晶体的吸收光谱和低温光谱发现,即使在低温下,Yb：YAG晶体也具有非常丰富的吸收带和发射带,这主要是由于Yb的4f电子所受屏蔽较少,易于与周围晶格产生较强的相互作用,并且YAG基质有非常丰富的声子振动峰,当两个Strak能级的间隔与晶格声子振动能量相匹配时,一个强的振动结构就会出现．Yb：YAG晶体低温下的选择激发荧光光谱进一步表明了Yb^3＋离子强的电子一声子耦合作用的存在．这种作用也导致了Yb：YAG晶体零声子线的温度展宽和线移．当温度从8K升温到300K时,零声子线从6．3cm^-1展宽到42cm^-1．随温度升高,零声子线逐渐红移,300K时,零声子线相对于8K时向长波移动了约8cm^-1．     

Yb∶YAG晶体光谱的温度特性

通过测量不同温度下Yb∶YAG晶体的吸收光谱和低温光谱发现,即使在低温下,Yb∶YAG晶体也具有非常丰富的吸收带和发射带,这主要是由于Yb的4 f电子所受屏蔽较少,易于与周围晶格产生较强的相互作用,并且YAG基质有非常丰富的声子振动峰,当两个Strak能级的间隔与晶格声子振动能量相匹配时,一个强的振动结构就会出现.Yb∶YAG晶体低温下的选择激发荧光光谱进一步表明了Yb3+离子强的电子-声子耦合作用的存在.这种作用也导致了Yb∶YAG晶体零声子线的温度展宽和线移.当温度从8 K升温到300 K时,零声子线从6.3 cm-1展宽到42 cm-1.随温度升高,零声子线逐渐红移,300 K时,零声子线相对于8K时向长波移动了约8 cm-1.     

KZnF3:Mn2+晶体光谱和EPR谱热移动的研究

对掺杂晶体，由于杂质离子的大小及其所带电荷与它所替代的基质晶体离子不同，这些杂质离子附近的局部结构和局部性质(如局部热膨胀系数和局部压缩率)就会与基质晶体的数据不一样．研究这些杂质中心的局部结构(或称缺陷结构)和局部性质对认识杂质与基质晶体的相互作用，进而认识材料掺杂     

YAG晶体端面的高反硬膜

YAG 晶体棒端断上的硬质氧化物高反膜是采用TiO:和ZrO:混合物做高折射率材料,SiO_2做低折射率材料,交替λ/4多层硬质介质膜系,以提高激光器使用寿命.现已取得满意结果,并在实际中使用.1 反射原理1.1 如何确定高反射带用折射率高、低交替的λ/4厚度介质膜系,只要层数足够多,能得到近于100%高的反射率.多层介质膜特征矩阵的基本周期矩阵表达式为:     

镁铁双掺杂LiNbO3晶体的光谱研究

测试了镁铁双掺杂LiNbO3晶体的紫外－可见和红外吸收谱，发现掺镁阈值以下的晶体在482．5nm处有一小吸收峰，认为是由晶体场引起的FeLi^3 离子d-d禁戒跃迁所至，在掺镁超过阈值的晶体中此峰趋于消失，说明Fe^3 离子掺镁阈值前后所处的晶体场发生了变化，进而推测了铁离子的占位发生了变化。结合OH^-谱3504cm^-1吸收带的出现，进一步说明了阈值以上Fe进入Nb位。     

高掺铒光纤激光器输出特性的研究

对高掺铒光纤激光器的输出特性进行了研究,实验中观察到随泵浦能量增加,激光器由连续运转变为脉动输出（微秒量级）,继续增加泵浦能量,在展开的脉冲包络中观察到了纳秒调制信号,其密度小于2ns,用离子对交叉驰豫模型及光 的非线性效应－受激布里渊散射对实验结果进行了定性解释。     

掺铒硅基纳米发光薄膜的形成过程与性能研究

采用MEVVA离子源强束流离子注入机,将稀土Er离子注入单晶硅、Si和Er离子双注入单晶硅及热氧化硅,Er在硅基薄膜中的掺杂原子分数可达10％,即数密度约10^21cm^-3,注入态样品快速退火后有纳米晶Si形成;77K和室温时用441．6nm光激发有Er^3 较强的1．54μm特征发光发射,探讨了在硅基材料中高浓度Er掺杂薄膜中纳米结构的形成与Er^3 的光致发光性能。     

掺镁掺钛LiNbO3晶体的光谱与光折变特性研究

测试了一组掺杂不同浓度Ti、Mg杂质的LiNbO3:Ti:Mg晶体的ON-谱，用光斑法观察了这组样品的光折变特性，实验结果表明，在LiNbO3:Ti:MgI晶体中，钛可以起到复合镁的作用，使得LiNbO3晶体的掺镁阈值浓度增高，并且掺镁阈值浓度始终大于接钛浓度，提出了[Ti·Mg]的复合杂质模型，能很好地解释实验现象，根据这种模型和实验证明：LiNbO3:Ti晶体中掺入大于Ti浓度5％mol以上的Mg，晶体仍可成为抗光折变的。     

掺铒硅基玻璃的制备及光谱性质

通过溶液－凝胶技术制备了掺铒（Er)的硅基玻璃,测定了硅基玻璃中Er^3 的电子吸收光谱、红光外谱和光致发光光谱（PL谱）。结果显示,在室温下,Er在硅玻璃中产生波长1．54μm的红光荧光,其强度随掺杂浓度的不同而改变,0．5w%掺杂浓度下出现最大值。电子吸收显示Er^3 的特征吸收谱线,根据电子吸收光谱确定了Er^3 在硅基玻璃中的部分能级。     

紫外激光激发下Er3+ ∶YAG晶体的荧光谱

利用时间分辨激光诱导荧光光谱技术, 用262 nm和276 nm紫外激光对原子数分数为x(Er³⁺)=10.5%和x(Er³⁺)=8.4%两种情况下Er³⁺ ∶YAG晶体的4D5/2和2H9/2能级分别共振激发, 记录了每种情况下的荧光发射谱, 对其中所有荧光谱峰对应的能级跃迁做了详细标定. 用Judd-Ofelt理论计算其辐射跃迁几率, 发现实验荧光强度比和理论辐射跃迁几率比基本一致.     

Er：YAG激光采血装置的研制

介绍了一种用于无接触、无感染的Er:YAG激光验血采样装置的设计及临床应用。     

敏化离子Yb3+对Er3+:Yb3+:YCa4O(BO3)3晶体光谱参数的影响

通过对Er^3 单掺和Er^3 、Yb^3 双掺YCa4O(BO3)3（简称为Er:YCOB和Er:YYCOB）室温吸收谱的测量和计算，发现Yb^3 的敏化作用十分显著，以至于Judd-Ofelt(JO)理论的传统算法不能奏效。本文用数值法和联立法求解了全部JO参数，计算了能量转移的量值。JO参数表明，Er:YYCOB在InCaAs二级管激光泵浦下，有望产生1500nm左右的红外激光输出。而Er:YCOB，由于Er^3 离子在此波长附近的重复吸收损耗较大，红外激光输出的可能性很小。     

Er~(3+)/Yb~(3+):KY(WO_4)_2晶体能量传递特性

测量了在室温下Er3+/Yb3+:KY(WO4)2(KYW)晶体的吸收光谱和荧光光谱,利用Judd-Ofelt理论计算得到晶体中Er3+离子的光谱参量.根据Dexter理论计算了Er3+/Yb3+:KYW晶体中能量共振临界距离R0、掺杂离子的平均距离R及能量传递作用参数C,分析Er3+/Yb3+:KYW晶体中Er-Er间和Yb-Er间的能量传递特性.     

波长1320nm的Nd~（3＋）：YAG锁模脉冲激光器

在１３２０ｎｍＮｄ￣３＋：ＹＡＧ脉冲激光器的基础上进行了声光主动锁模的实验研究,给出了实验装置及实验数据。     

高发光强度上转换材料Y2O3 ∶Er,Yb纳米晶的制备

将反相乳液合成方法与水热处理方法相结合, 获得Y₂O₃ ∶Er,Yb纳米晶的前驱体, 经过一定温度灼烧, 获得了高发光强度的上转换Y₂O₃ ∶Er,Yb 纳米晶,经水热处理的纳米晶样品具有更好的晶体结构, 有利于激发电子在Er离子^{4F_9/2能级上的分布，进而导致红色发射强度极大地提高.}     

波长变换材料YAG:Ce3+微粉的制备及性能

以高分子网络凝胶法制备Y3Al5O12（YAG）：Ce^3＋微粉，同时对所得微粉使用日本RF—5301pc荧光分光光度计测试其发射光谱和激发光谱，了解其光谱特性，并用TEM分析颗粒形貌，X射线进行物相分析。与普通的共沉淀法合成的YAG：Ce^3＋相比，高分子网络凝胶法于比较低的温度下（900℃）获得YAG物相，合成的YAG：Ce^3＋微粉光谱谱峰存在明显的蓝移现象。     

闪光灯泵浦1300 nm波段Nd3+:YAG和Nd3+:YAP脉冲激光器的比较研究

描述了闪光灯泵浦1300nm Nd^3＋：YAG和Nd^3＋：YAP脉冲激光器的比较研究,并给出和分析了这二种脉冲激光器的输出能量、效率等实验结果。     

钛宝石端面泵浦Yb~(3+):YAG激光器输出功率的理论分析

从准三能级速率方程出发,模拟分析了940 nm钛宝石激光端面泵浦Yb3+:YAG输出1 030 nm激光的性能.在此过程中,着重考虑了泵浦光的吸收饱和以及Yb3+的自吸收损耗.结果表明:由于输出波长在1 030 nm附近的Yb3+:YAG晶体存在严重的自吸收损耗,入射功率必须足够强时才能有激光输出,因此激光器的阈值较高;同时,自吸收损耗与Yb3+离子浓度、晶体厚度有关,存在最佳的晶体厚度和Yb3+离子浓度,使激光器的输出功率最大.泵浦光的吸收饱和使激光器运转时激光下能级的粒子数减少,吸收系数下降,相同入射泵浦功率时,激光器的输出功率较低.     

Al3+掺杂NaGdF4:Er3+/Yb3+纳米晶上转换发光性能的研究

稀土离子掺杂的上转换纳米材料具有优异的光学性能,在光电等领域具有广阔的应用前景。本文采用溶剂热法,以乙二胺四乙酸(EDTA)为络合剂合成了的粗细均匀的六棱柱形的六方相Al3+掺杂NaGdF4:Er3+/Yb3+纳米棒。X射线研究表明适量的Al3+掺杂对NaGdF4的晶相没有产生影响,但使主衍射峰的位置发生偏移。在980nm激光激发下,与未掺杂的纳米晶相比,在Al3+的掺杂浓度为15%时,红绿光发光最大强度分别增强了5.7倍和5倍,且4F9 /2能级的荧光寿命被延长。Al3+掺杂对上转换发光的改善是因Er3+附近局部对称性的降低和粒子表面吸附基团的减少所致。