典型环境因子对沈阳北运河底泥总氮释放的影响

以沈阳北运河为对象,采用静态模拟的方法,研究上覆水总氮浓度、p H值和温度等典型环境因子对底泥中总氮释放的影响,并采用动力学模型对实验结果进行了拟合分析.结果表明:上覆水总氮浓度和温度对底泥总氮释放过程及释放量影响显著(P 0. 05),上覆水总氮浓度越低,温度越高,总氮释放速率常数越大,总氮释放量越多.偏酸性条件下底泥释放总氮量显著低于中性和偏碱性条件(P 0. 05).研究结果为沈阳市河流污染控制及黑臭水体治理提供了重要依据.     

焦化废水的混凝预处理研究

选取混凝法对焦化废水进行了处理.采用正交设计的方法考察了絮凝剂种类、投加量、絮凝时间和pH值对处理水色度、浊度和CODcr的影响,并对几种混凝剂的组合应用作了进一步的研究.结果表明,混凝剂的投加量和pH值对CODcr的去除影响差异极显著(P<0.01);混凝剂种类对浊度的去除影响差异极显著(P<0.01);当硫酸铁投加量为500 mg/L和聚丙烯酰胺(PAM)投加量为1 mg/L时,在pH值8.5,絮凝时间15 min的条件下,处理后的焦化废水CODcr和浊度可分别降低22%和97%以上.     

环氧蓖麻油优化合成条件的研究

以环氧值为指标,通过正交试验法对环氧蓖麻油的合成条件进行了优选.结果表明,影响环氧蓖麻油合成的因素依次为温度、乙酸的量、时间、磷酸(催化剂)的量、双氧水的量.最佳合成条件为:反应时间2.5 h,温度60℃,蓖麻油∶磷酸∶乙酸∶双氧水(质量比)为1∶0.021∶0.25∶0.7.在此条件下,蓖麻油的环氧值为2.50(g/g).最后,采用FI-IR和TG/DTG方法对产品进行了表征.     

钨添加量对Pt-WO3/C催化剂活性的影响

以仲钨酸铵(N5H37W6O24·H2O)为钨前驱体,氯铂酸(H2PtCl6·6H2O)为铂前驱体,通过乙二醇(EG)法制备了Pt-WO3/C催化剂.采用X射线衍射光谱(XPS)对催化剂进行了表征,采用线性扫描(LSV)研究了钨前驱体添加量对催化剂活性的影响.结果表明:催化剂中钨含量远远小于钨前驱体添加量;钨前驱体添加量对催化剂活性有较大影响;当N5H37W6O24·H2O/H2PtCl6·6H2O为3/8时,催化剂活性最好,是Pt/C催化剂的1.6倍.     

Zn_(0.5)Cd_(0.5)S:Eu~(3+)半导体材料的燃烧法制备及发光性能研究

以硫脲为硫源,采用燃烧法制备了Zn0.5Cd0.5S:Eu3+半导体材料.研究了Eu掺杂量对Zn0.5Cd0.5S:Eu3+半导体材料的结构,形貌,固体漫反射以及发光性能的影响.利用X-射线粉末衍射仪(XRD),扫描电子显微镜(SEM),紫外-可见分光光度计(UV-vis)和荧光分光光度计(PL)对样品进行了表征.结果表明:Eu掺杂量对样品的结构和形貌没有明显的变化,但对其发光性能却有着显著地影响.当Eu掺杂量为3%时所制备的Zn0.5Cd0.5S:Eu3+半导体材料的发光性能为最强.     

水滑石对水溶液中牛血清白蛋白的吸附

采用水相沉淀热结晶法制备水滑石(LDHs),研究其对牛血清白蛋白(BSA)的吸附量及LDHs可能存在的结构变化,探讨pH值、初始质量浓度以及偶联剂质量分数对BSA吸附量的影响.结果表明,pH值对LDHs吸附BSA的影响最大,在pH值为6.2,BSA初始质量浓度为6.0 g/L时饱和吸附量可达到56.82 mg/g.偶联...     

Ag的掺杂量对Zn_(0.5)Cd_(0.5)S/Ag半导体材料光催化性能的影响

采用燃烧法制备了Zn0.5Cd0.5S/Ag半导体材料.利用X-射线粉末衍射仪(XRD),扫描电子显微镜(SEM),荧光分光光度计(PL)以及紫外-可见分光光度计(UV-vis)对所制备得到的样品进行了表征.研究了Ag的掺杂量对Zn0.5Cd0.5S/Ag半导体材料的结构、形貌、发光性能和光催化效果的影响.结果表明,Ag的掺杂量对样品的形貌基本没有影响,但是对样品的结构、发光性能以和光催化效果有着显著地影响.研究表明:随着Ag掺杂量的增加,半导体材料中出现了AgS杂相;另外,样品的发光强度逐渐降低;而当Ag的掺杂量为0.1时,所制备的Zn0.5Cd0.5S/Ag半导体材料对亚甲基蓝溶液(MB)的光催化效果最好.     

溶解氧浓度对好氧阶段生物脱氮途径的影响

采用连续流一体化生物反应器(CIBR)系统,研究了4种曝气量(0.3,0.6,0.9和1.2 m3/h)对好氧阶段生物脱氮途径的影响.实验结果表明:当曝气量为0.3 m3/h时硝化反应未能顺利进行,其余3种曝气量下均顺利完成硝化反应,曝气量越大,硝化速率越大;总氮(TN)损失量分析表明低曝气量有利于同步硝化反硝化(SND)的发生,当曝气量为0.3 m3/h时TN损失量高达9.76 mg·L-1,当曝气量高于0.3 m3/h时以传统硝化作用为主.研究表明溶解氧(DO)质量浓度影响生物脱氮途径的根本原因是DO影响了氨氧化菌(AOB)、亚硝酸盐氧化菌(NOB)和反硝化菌(DB)的活性,可通过在线控制方式实现各种脱氮途径.     

环氧蓖麻油合成研究

以磷酸为催化剂、采用过氧乙酸法对蓖麻油(CO)进行环氧化研究,探索了反应时间、反应温度和双氧水的用量等变量参数对蓖麻油环氧化的影响,得到各变量参数对反应的影响大小为:时间>温度>酸量>双氧水的量>催化剂的浓度.利用FI-IR对环氧蓖麻油(ECO)进行了表征,然后对比了CO和ECO的TG和DTG热稳定性.     

基于灰色关联法的混凝土抗冻性能指标影响分析

冻融循环破坏是影响混凝土耐久性因素之一.通过冻融循环抗冻性能测试试验和灰色关联法,探究混凝土组成因素(水灰比、含气量、粉煤灰掺量)变化对其抗冻性能指标(质量损失、动弹性模量、抗压强度)的影响,得出影响大小的次序为(从大到小):含气量、粉煤灰掺量、水灰比.结果表明在冻融循环作用下,含气量为影响混凝土抗冻性的主要因素;水灰比对抗压强度影响较大,含气量对动弹性模量影响较大,粉煤灰掺量对质量损失影响较大.     

Zn1-xMnxS 纳米颗粒的制备及发光性质

水热法制备Mn离子掺杂的ZnS(ZnS∶Mn)纳米颗粒,研究不同比例掺杂Mn离子对Zn_(1-x)Mn_xS纳米颗粒光致发光性质的影响.通过X射线衍射(XRD)和透射电子显微镜(TEM)对样品的物相和形貌进行分析表征,结果显示Zn1-xMnxS(x=0、0.01、0.03、0.05、0.07、0.10)为六方纤锌矿结构的球形纳米晶,晶粒大小均匀,粒径在15~20nm之间.室温下,用350nm波长的紫外光激发Zn1-xMnxS纳米粒子,可以得到浅施主能级与锰t2能级之间的跃迁产生的蓝色发光,发光强度随锰掺杂量的增大先增强后减弱,发射峰位随锰掺杂量的变化有一定移动.究其原因可能与硫空位有关,硫空位影响ZnS的浅施主能级,锌锰比对硫空位的数量和能级位置有一定影响.     

超支化聚三唑固态聚电解质及其锂离子和锌离子导电性

带刚性结构的超支化聚合物具有优良的溶解性，度低黏与力学性能优异，可用于制备固态电解质.含叠氮基的单体M1和含炔基的单体M2在亚铜离子Cu⁺的催化下发生叠氮-炔点击化学反应，得到超支化聚三唑hb-GPTA.该聚合物具有良好的溶解性、成膜性和热稳定性（热分解温度为350 ℃）.将该聚合物分别与三氟甲基磺酰亚胺锂 (LiTFSI)及三氟甲基磺酸锌 (Zn(OTf)₂)进行掺杂，制备固态电解质，对其电化学性能进行表征.结果表明，hb-GPTA/LiTFSI体系具有更高的电导率（32.7 μ S·cm^-1），电化学窗口为5.2 V；相比之下，hb-GPTA/Zn（OTf）₂体系电导率较低（0.42 μS·cm^-1），但其在-1~6 V电压范围内一直保持稳定.结合电化学稳定性分析结果，可以推断含三氮唑的聚合物在制作锌离子电池方面具有潜在的应用价值.     

超支化聚三唑固态聚电解质及其锂离子和锌离子导电性

带刚性结构的超支化聚合物具有优良的溶解性，度低黏与力学性能优异，可用于制备固态电解质.含叠氮基的单体M1和含炔基的单体M2在亚铜离子Cu⁺的催化下发生叠氮-炔点击化学反应，得到超支化聚三唑hb-GPTA.该聚合物具有良好的溶解性、成膜性和热稳定性（热分解温度为350 ℃）.将该聚合物分别与三氟甲基磺酰亚胺锂 (LiTFSI)及三氟甲基磺酸锌 (Zn(OTf)₂)进行掺杂，制备固态电解质，对其电化学性能进行表征.结果表明，hb-GPTA/LiTFSI体系具有更高的电导率（32.7 μ S·cm^-1），电化学窗口为5.2 V；相比之下，hb-GPTA/Zn（OTf）₂体系电导率较低（0.42 μS·cm^-1），但其在-1~6 V电压范围内一直保持稳定.结合电化学稳定性分析结果，可以推断含三氮唑的聚合物在制作锌离子电池方面具有潜在的应用价值.     

氧分压对Zn0.99Mn0.01O稀磁薄膜结构和磁学特性的影响

采用脉冲激光沉积技术在Al2O3衬底上制备了Mn掺杂的ZnO稀磁薄膜.通过不同氧压下所制备样品的微观结构、光学性质和铁磁特性分析,研究了氧分压对Zn0.99Mn0.01O稀磁薄膜微观结构和磁学特性的影响.结果表明,所沉积薄膜均具有良好的c轴择优取向.在氧分压为5 Pa时得到的(002)衍射峰半高宽最小,但薄膜的室温铁磁...     

锌氧化物的制备优化和掺杂对其性质的影响

以铜片为阴极,采用恒电流法从硝酸锌溶液中电沉积出氧化锌薄膜.分别讨论了溶液浓度、温度和掺杂对薄膜结构和组成的影响,以及掺杂对薄膜光学性质的影响.结果表明在低浓度和低温时,将有金属锌析出.当掺杂时,氧化锌的粒径将减小.当掺杂氯化铜时,氧化锌的吸收带边将从375nm增加到458nm,带隙能相应地从3.3eV降到2.7eV.     

锌胁迫对互花米草生长、金属累积和有机酸变化的影响

研究互花米草在不同锌处理条件下(250mg·kg~(-1)和1 000mg·kg~(-1))的生长状况和物理参数的变化.研究结果显示,当锌浓度为250mg·kg~(-1)时,可以提高植物分蘖密度.在锌胁迫条件下,叶绿素含量显著下降.相反,电解质渗透率、丙二醛、脯氨酸和可溶性糖却在增加.当锌浓度为250mg·kg~(-1)时,叶、茎、根状茎和细根的生物量都有所增加,但当锌浓度为1 000mg·kg~(-1)时,其生物量却被抑制.互花米草中总锌、水溶性锌和水溶性锌/总锌都随着锌处理浓度的增大而增大.草酸和枸橼酸是互花米草中含量最多的两种酸,在叶片和细根中,草酸和锌的富集呈正相关.在互花米草的叶片中,有机酸(抗坏血酸和富马酸)和锌的生物富集之间存在正相关关系.因此,有机酸(包括草酸、抗坏血酸、富马酸)可能在互花米草叶片中的锌富集和解毒作用中起到重要作用.而且,草酸可能和细根中锌的固定和锌从互花米草地下部分到地上部分的转移过程有紧密的关系.     

锌合金在KOH溶液中的腐蚀性能

采用熔化浇铸的方法制备了一系列Zn-In合金和Zn-Pb合金．通过析氢量气法和动电位极化测量了它们在6mol／LKOH溶液中的腐蚀速度．结果表明,添加少量的In或Pb明显地抑制了Zn腐蚀,并且In的添加效果优于Pb．此外,通过交流阻抗技术对它们在碱性溶液中的腐蚀机理进行了探讨．结果表明,高频时,Zn,Zn-Pb,Zn-In合金的电极过程受电子传递步骤控制;低频时,在Zn,Zn-Pb,Zn-0．01％In合金的电极表面出现吸附现象,而对于含In0．05％或0．10％的Zn电极,扩散传质步骤是速度控制步骤．     

White organic light-emitting devices using Zn（BTZ）2 doped with Rubrene as emitting layer

Zn(BTZ)2 was synthesized from the complex reaction between zinc acetate dihydrate and 2-(2-hydroxyphenyl) benzothiazolate. Then Zn(BTZ)2 was used as main light-emitting material doped with different amounts of fluorescent dye Rubrene and fabricated a series of white organic light emitting devices. The configurations were as follows: ITO/PVK:TPD/Zn(BTZ)2:Rubrene/Al. The doping concentration of Rubrene in Zn(BTZ)2 was 1.2%, 0.12%, 0.08% and 0.05%, respectively. According to the EL spectra and CIE coordinates of the above devices, the optimum doping concentration (0.05%, weight percent) had been determined. The steady and bright white light emitting of the device with 0.05% doping concentration had been obtained, and the white emission covered a wide range of driving voltage (10--22.5 V). The CIE coordinates were (x=0.341, y=0.334) at the driving voltage of 20 V, which was very close to the equi-energy point (x=0.333, y=0.333), and the corresponding luminance and external quantum efficiency were 4048 Cd/m^2 and 0.63% (4.05 Cd/A), respectively. Lastly, we also discussed the emitting mechanisms of the material and the devices.     

长余辉发光材料Zn_2SiO_4:Dy~(3+)的制备及发光性能

以Zn2SiO4为基质，用高温固相法（ss），sol-gel法（sg）制备得到Zn2SiO4：Dy^3＋长余辉发光材料，该发光材料的制备及长余辉发光性能至今尚未见到文献报道．由该发光材料的激发谱发现，其在紫外的235-350nm范围有吸收，其发射光谱表明，在紫光（378nm，393nm）、橙光（595nm）、红光（691nm）部位有发射峰．通过对比掺杂与未掺杂样品发射光谱，说明样品发光是由基质Zn2SiO4产生的，Dy^3＋的掺杂只是使材料形成了陷阱能级进而发出长余辉，还阐述了Zn2SiO4：Dy^3＋的可能发光机理．