注氢(111)硅片高温退火后形成的二次缺陷

硅材料与氢的相互作用是影响其结构完整性的重要方面．高分辨电子显微术被用于研究注氢硅片高温退火时形成的二次缺陷．实验发现高温退火如低温退火处理一样会导致(111)注氢硅片中出现裂纹，但不同之处在于裂纹的下部还有大量的位错发射，而且有些裂纹并未完全裂开，表现为非晶带．另外，高温退火还导致空腔的出现，空腔呈截角八面体形状，以{111}和{100}面为内表面，可以有非晶状的内壁．空腔平行于正表面成串状排布．空腔间有位错带与之相连。     

基于机器视觉的玻璃磨边缺陷检测

玻璃边部的磨削质量的快速检测是保证玻璃品质的重要措施,本文对现有的玻璃磨边缺陷进行了分类与成因分析,选用了一套合理的玻璃磨边缺陷检测光源,设计了一套基于机器视觉的玻璃边部缺陷检测装置,提出一种结合了快速傅立叶变换、高斯滤波、亚像素边缘阈值分割、数学形态学运算、频域处理和最小二乘法的检测方法,实验证明所提出的检测方法能够快速有效地检测出亮斑、白线和爆边3种缺陷.     

MEMS用低应力硅片的研制

通过对硅片加工过程中的高温退火、切割、研磨、化学腐蚀、抛光等工序工艺过程的研究,找出了影响MEMS用硅抛光片应力参数的关键工艺,表明通过调整关键工艺参数,能够有效地控制MEMS用硅抛光片的应力参数。     

基于环形热源的锥形光纤加工方法

锥形光纤在光源与光纤的耦合中得到了广泛的应用。在加工锥形光纤的各种方法中,熔融拉锥的方法应用较广。针对传统熔融拉锥方法存在加热不均匀的缺点,提出了椭球反光镜环形热源的加工方法。实验表明,该加工方法得到的锥形光纤的表面光洁程度明显提高。     

硅片不同表面钝化工艺的稳定性研究

研究分析了热氧化钝化,用PECVD双面沉积SiNx:H膜钝化以及碘酒钝化三种表面钝化工艺的稳定性,通过WT-2000少子寿命测试仪对采用这三种钝化工艺的单晶硅片,多晶硅片以及物理提纯硅片在暗条件不同储存时间的少子寿命进行测量,分析得到三种表面钝化工艺的效果以及稳定性。研究结果表明:碘酒钝化效果好,用PECVD双面沉积SiNx:H膜钝化和热氧化钝化稳定性好。     

源代码缺陷描述方法研究

软件源代码安全性缺陷排除是软件过程改进的一项重要措施。目前与源代码安全缺陷研究相关的组织有CWE等,业界也出现了一批优秀的源代码安全检测工具,但是这些机构和组织对源代码中缺陷的描述方法不一,没有统一的标准。本文借鉴业界对源代码缺陷的描述,结合实际工作需要,提出了一种计算机源代码缺陷的描述方法。     

锥形水射流的实验研究

提出了锥形水射流锥膜雾化模型,并对锥形水射流的雾化能力和降尘效果进行了实验研究,所得结果供从事降尘和灭火工作的研究人员和设计人员参考。     

关于锥形流量计的研究使用

锥形流量计作为一种新式的差压式流量计,除了具有差压式流量计的测量原理,而且还有许多其他差压式流量计不具备的优点：精度高,信号稳定性好,压损小,量程宽,对直管段要求不高,不易堵塞等。     

衬底硅片质量对SDB工艺的影响研究

硅-硅直接键合技术广泛应用于SOI、MEMS和电力电子器件工艺中,衬底抛光片的质量对键合质量及器件性能起着至关重要的影响。衬底抛光片的质量包含几何尺寸精度及表面状态质量,会影响键合过程中的界面应力,或造成键合界面空洞的产生,从而影响键合质量。     

冷轧管材芯棒破损检测方法探讨

在理论与实验的基础上,探讨了冷轧管材的几种芯棒破损检测方法.提出磁检测方法,分析了其检测信号源布置特点,比较了磁敏感元件检测时的诸多特点和各自的缺点.结果表明:采用磁检测方法是最为可靠合适的.     

Effect of roughness and wettability of silicon wafer in cavitation erosion

Material damage of silicon wafer with different roughness and wettability was investigated by using the self-made vibration cavitation apparatus in de-ionized water. Various roughness and wettability of silicon wafer were achieved by changing their morphology and depositing Au, diamond-like carbon films （DLC films） on them. Surface morphology was observed with a scanning electron microscope （SEM） and a surface profilometer, and wettability was characterized by the contact angle measurement. The cavitation erosion results showed that many tiny pits and cracks appeared on the wafer surface as a result of brittle fractures; the number and size of the pits and cracks increased with experiment time, which made material flake away finally; cavitation occurred more easily on the silicon wafer surface with the augment of roughness or contact angle by changing surface morphology or depositing Au, DLC thin film on it, which consequently aggravated cavitation damage.     

化学法清洗硅片过程中清除颗粒的机理(英文)

对化学法清洗硅片过程中消除颗粒的机理作了定量的探讨。颗粒的清除是由于化学蚀刻和颗粒与表面排斥力共同作用的结果。首次提出了最浅蚀刻深度和最小蚀刻速度的概念。最浅蚀刻深度可通过颗粒与表面间作用能的关系进行计算。是小蚀刻速度则可通过蚀刻侧形进行计算。研究结果对于优化化学法清洗过程和设计高性能清洗液都具有重要意义。     

The multi-motion-overlap algorithms for minimizing the time between successive scans of wafer stage

In order to optimize the transitional time during the successive exposure scans for a step-and-scan lithography and improve the productivity in a wafer production process, an investigation of the motion trajectory planning along the scanning direction for wafer stage was carried out. The motions of wafer stage were divided into two respective logical moves （i. e. step-move and scan-move） and the multi-motionoverlap algorithms （MMOA） were presented for optimizing the transitional time between the successive exposure scans. The conventional motion planning method, the Hazelton method and the MMOA were analyzed theoretically and simulated using MATLAB under four different exposure field sizes. The results show that the total time between two successive scans consumed by MMOA is reduced by 4.82%, 2.62%, 3.06% and 3.96%, compared with those of the conventional motion planning method; and reduced by 2.58%, 0.76%, 1.63% and 2.92%, compared with those of the Hazehon method respectively. The theoretical analyses and simulation results illuminate that the MMOA can effectively minimize the transitional step time between successive exposure scans and therefore increase the wafer fabricating productivity.     

我国上市公司外部治理的功能缺陷及完善途径

以理论与统计数据相结合的方法，从完善我国证券市场功能的角度，提出了促进我国上市公司治理的对策建议。以期为上市公司治理结构的完善提出了可行方法与手段。     

循环锥约束互补系统的本征值问题

循环锥约束互补系统的本征值问题在数学中占有非常重要的地位.文章通过建立循环锥的壳与其对偶锥的壳之间的映射关系来解决循环锥约束互补系统的本征问题,并且在此基础上将它推广到第一卦限锥上.     

小振幅兆声对硅片化学机械抛光效果的影响

为了改善硅片化学机械抛光效果,提高硅片表面质量,一小振幅兆声振子引入化学机械抛光系统,通过对比表面粗糙度大小和分布,发现该振子对改善硅片化学机械抛光效果有明显促进作用。测试表明:振子频率为1.7 MHz,中心最大振幅约为70 nm;硅片表面振动频率为1.7 MHz,中心最大振幅小于10 nm;该振子独立抛光时,未发现硅片表面粗糙度明显降低,但它能引起抛光液微流动,使储存在抛光垫窠室中更多的抛光液进入接触区参与抛光。无振动抛光时,硅片中心区域抛光液供给不足,造成该区抛光效果较差;兆声致微流动能有效缓解这种不足,改善硅片中心区域抛光效果,不仅如此,它还能有效降低其他区域的表面粗糙度。与无振动抛光的硅片相比,经过兆声辅助抛光的硅片,表面粗糙度更小,分布更均匀。     

氧化硅材料光活性缺陷中心研究进展

氧化硅材料在光通信、半导体光电子器件及照明等领域具有广泛应用,对其光学性能研究进行总结、归纳具有重要意义。氧化硅材料本征E’、2种缺氧型以及各种富氧型光活性缺陷中心在光导纤维及紫外吸收等应用中扮演了很重要的作用,某些具有良好发光性能的缺氧中心及掺杂离子或半导体纳米粒子发光中心的深入研究使氧化硅材料在照明领域具有良好的应用前景。对氧化硅材料各类光活性缺陷中心阴离子配位场的修饰将对这些光活性缺陷中心的光学性能产生显著的影响,并有可能进一步提高其发光性能。     

蓝宝石晶片质量检测体系研究

阐述了蓝宝石晶片质量检测的重要性，根据蓝宝石晶片国家标准和国际质量保证体系，结合目前蓝宝石晶片生产和科研的实际情况，提出了蓝宝石晶片质量检测体系，包括蓝宝石晶片质量检测内容、检测方法和检测设备，通过试验研究，该质量检测体系能够满足光电子领域所需的蓝宝石晶片生产要求。     

单晶硅片化学机械抛光材料去除特性

根据化学机械抛光(CMP)过程中硅片表面材料的磨损行为,建立了硅片CMP时的材料去除率模型,设计了不同成分的抛光液并进行了材料去除率实验,得出了机械、化学及其交互作用所引起的材料去除率.结果表明,磨粒的机械作用是化学机械抛光中的主要机械作用,磨粒的机械作用与抛光液的化学作用交互引起的材料去除率是主要的材料去除率.