微波针灸仪的设计与针刺时微波功率从生物体内反射的测量

我们于1978年研制成功可实用的全固化W-1(图1)及W-1A型微波针灸仪共三套^[1],该年10月通过全套例行试验^[2],并获得医院的疗效观察报告^[3].1979年《电子科学技术》杂志对此作了简短报导^[4].1980年^[5]及1981年提出的新型号,无论频率选择、方案确定,均以W-1A型的设计及电路为兰本.     

在600℃封闭系统中Hg0.8Cd0.2Te的热处理

采用汞空位扩散模式,解释了高温(600℃)短时间(10'~15')热处理后使Hg_0.8Cd_0.2Te变成P型的现象,把热处理后样品逐层减薄,同时用范德堡法^[1]在77K (液氮温度)下进行霍尔测量,得出在不同汞压、不同时间下样品中汞空位的分布.由此验证了汞空位扩散模式,并计算得600℃下Hg_0.8Cd_0.2Te中汞空位扩散系数D_L为2×10⁵微米²/小时左右;汞空位最终浓度L_f与汞压成反比,其比例常数(K_F)/K_i为5×10¹⁹·厘米^-3大气压;汞空位激活能Q为0.6电子伏特左右.     

二氟一氯甲烷的激光裂解

从CF₂HCl裂解制备C₂F₄已有很久历史.七十年代以来不少作者从热分解^[1]、分子束技术^[2]、以及多光子解离^[3~7]等方面对反应机理作了详尽的研究.本文利用连续CO₂激光为热源,研究了CF₂HCl的非均相反应机理.     

模耦合对激光线宽的影响

通过对于Lamb激光量子理论^[3,4]的推广,S.Singh^[1]和S.Chu^[2]已研究了双模激光的量子统计性质.本文将使用Lamb的全量子理论处理方法,获得激光场密度算符非对角元的运动方程,进而求得激光在双模运转下的线宽并讨论模耦合对线宽的影响.     

半无限极性晶体内的极化子与温度的关系

随着科学技术的发展,人们越加重视对极性晶体表面层中极化子性质的研究^[1~4].但对有限温度情况下表面极化子的研究很少.梁希侠和顾世洧^[5]研究了在零温情况下半无限极性晶体内的极化子,本文将讨论有限温度下,半无限极性晶体内极化子的性质.     

碱金属锂蒸气中新的红外辐射带(b3∑g+-x3∑u+)

Konowalow等人首先从理论上预言了在钠和锉的双原子分子里获得b³∑_g⁺-x³∑_u⁺的受激辐射^[1,2].文献[3]在钠蒸气里观察到b³∑_g⁺-x³∑_u⁺辐射带,但是至今尚未见到关于Li₂(b³∑_g⁺-x³∑_u⁺)辐射带的报道.     

砷化镓上等离子体阳极氧化膜的红外吸收光谱

GaAs的等离子体氧化在国内外已有报道.该薄膜的表面态密度约为10¹¹/cm²·eV量级,击穿场强大于10⁶V/cm.可用于MOSFET器件、半导体激光器和发光二极管的钝化膜,选择性(锌)扩散的掩蔽膜^[6,7].本文报道GaAs上等离子体阳极氧化(OPA)膜的红外吸收光谱以及该氧化膜在一定波段内对GaAs衬底的增透作用。     

洁净低温凝聚膜的制备

近年来,人们开展了对非晶态金属的电学性能研究^[1,2];特别是对非晶态的超导电性的研究日益增多^[3~5].但是在实验工作中,非晶态样品大多采用单辊急冷技术制备,其厚度在几十微米数量级,属于"大块"金属样品的范畴.为了探讨处于非晶状态薄膜的电性能,并消除杂质(包括氧化)对非晶薄膜的影响,我们曾在超高真空及低温条件下用蒸发和低温凝聚方式制备了薄膜,并测量了它们的电阻与温度的关系.     

半无限极性晶体中强耦合极化子的温度依赖性

随着固体科学和技术的发展,晶体表面和界面极化子的性质,一直受到人们的重视^[1,2].近年来,已有不少作者^[3,4]研究了表面和界面极化子,其中很多工作集中于弱,中耦合的情形.     

干燥HCl对热氧化生长SiO2的影响

采用干燥的HCl气体,作为HCl热氧化的气体源,制成铝膜MOS结构,其固定氧化物电荷几乎为零,界面陷阱密度低于1×10¹⁰陷阱/厘米²-电子伏特,对于人为的异常高的(大约3×10¹³离子/厘米²)可动钠离子沾污,仍具有99.5%以上的钝化效率.讨论了达到这些性能的原因.     

PTFE多孔膜驻极体电荷储存稳定性的机理研究

借助于等温表面电位衰减,开路热刺激放电电流测量等方法较系统地研究了充电气的聚四氟乙烯多孔材料的空间电荷稳定性了比较。通过热刺激放电电流谱分析和组合热脉冲技术探索了ＰＴＥＥ驻极体多孔膜内电荷重心的迁移规律,研究了多孔ＰＴＥＥ薄膜驻极体内脱阱电荷的输运规律。     

含Teflon—AF层的NLO聚合物驻极体双层膜系统的电荷衰减动态特性

采用开路热刺激放电法研究了恒压电晕充电极化的含Ｔｅｆｌｏｎ－ＡＦ层的非线性光学聚合物驻极体双层膜系统的电荷动态特性,结合电光效应和表面电位衰减测量结果分析表明：双层膜系统中偶极分子有序取向稳定性明显优于单层非线性光学聚合驻极体,其原因在于Ｔｅｆｌｏｎ－ＡＦ层中高储存稳定性的空间电荷有效地抑制了分子偶极驻极体层中偶极分子有序向的松驰。     

硼离子注入对硅基Si3N4薄膜驻极体性质的影响及力学性能的改善

利用硼离子B⁺注入方法来改善Si₃N₄薄膜的力学性质,并就B⁺注入对Si₃N₄薄膜驻极体性质的影响进行了较为系统的研究.实验结果表明,B⁺注入能够有效地降低薄膜的内应力,而对薄膜的驻极体性质有不利的影响;用化学表面修正能够在一定程度上提高材料的抗恶劣环境能力。     

化学表面处理对热生长氧化形成的SiO2驻极体电荷寿命的影响

以实验结果为依据研究了化学表面处理对ＳｉＯ＿２薄膜驻极体内电荷储存稳定性的影响。得知用ＨＭＤＳ或ＤＣＤＭＳ等有机试剂进行的化学表面处理将在ＳｉＯ＿２驻极体表面形成一个疏水的保护层。通常情况下，它将起到防止外界环境中的水吸附而形成的表面导电结构，对改善这一驻极体薄膜的电荷储存稳定性起到显著的作用；伴随着驻极体内长久电荷的捕获储存，在驻极体内发生的电化学反应将有水分子生成，而用化学表面处理后形成的疏水保护层有时也会阻止驻极体内部过剩的水分子向外扩散，造成用化学表面处理后驻极体内的电荷较快衰减这一反常现象的发生。     

退火对杂化膜驻极体PVDF／SiO2电荷贮存的影响

该文通过表面电位衰减实验和ＴＳＤ电流谱、研究了退火处理工艺对杂化膜驻极体ＰＶＤＦ／ＳｉＯ２电荷贮丰及稳定性的影响。用红外光谱实验对样品退火前，后驻极体性能改变的起因进行了初步探索，得出注极前样品的高温退火处理可明显改善杂化膜驻极体ＰＶＤＦ／ＳｉＯ２的电荷贮存及稳定性。     

驻极体辐射剂量计的制备和剂量测量研究

介绍了电晕法制备的驻极体在电离辐射γ射线剂量测试中的应用,重点介绍了驻极体的电晕法制备装置和驻极体剂量测试装置的设计制作,描述了剂量测量装置的感应电流法工作原理、结构和特点,说明了这些特点对准确测量辐射剂量的重要性,给出了电晕法制备驻极体的电荷稳定性及辐射剂量测试的实验结果.结果表明电晕法制备的驻极体及其所建实验装置能够用于γ辐射剂量的测量.     

交联聚乙烯中空间电荷分布及其机理研究

用PWP法与TSD法对交联聚乙烯中的空间电荷形成和演变过程进行了测量,两次TSD的测量结果有很大的不同,而在PWP法的测量结果中差别却并不明显,说明这两种方法的联合应用能更深入完全地反映空间电荷的实际情况。交联聚乙烯中空间电荷的形成包括注入电荷、杂质离子和小分子偶极子的转向,其中以小分子偶极子的转向为主,陷阱对电子的捕获能大幅度改变TSD电流信号的幅度,这些陷阱与交联聚乙烯中的小分子有关。     

两种FEP驻极体商品膜脱阱正电荷输运特性的比较

该文利用Ｔｅｆｌｏｎ ＥＥＰ Ａ型（美国杜邦公司）膜和国产ＦＥＰ商品膜，借助于ＴＳＤ电流谱测量和热脉冲技术研究了热活化过程中的正电荷平均电荷重心向体内的迁移规律，建立了脱阱电荷在体内的输运模式。文中还对正电晕充电的Ｔｅｆｌｏｎ ＦＥＰ Ａ型和国产Ｆ４，６薄膜驻极体的电荷贮存寿命和电荷在材料内的迁移等驻极体性能作了比较研究。     

MLNi4—x—yMnCoxAly贮氢电极性能的研究

ＭＬＮｉ４－ｘ－ｙＭｎＣｏｘＡｌｙ（ＭＬ：富Ｌａ混合稀土金属）贮氢电极的性能随着ｘ、ｙ值的改变发生明显变化，研究ｘ＝０，ｙ＝０；ｘ＝０，ｙ＝０．１；ｘ＝０．４，ｙ＝０．１三类电极性能的结果表明，Ａｌ、Ｃｏ元素的加入有利于提高电极的循环寿命和电荷保持率，但对电极的放电容量、快速放电能力以及放电电位等性能存在一定不良影响．     

基于因子分析的纺织机械企业技术创新能力内涵研究

通过对25家纺织机械企业的技术创新能力客观数据的因子分析,凝练指标,分析内涵,获得了纺织机械企业技术创新能力6个方面的构成要素,这些要素和最初所设定的指标含义具有了相当不同的方面,使技术创新能力具有了层次循环的特别含义。