铟锡氧化物电极中In的扩散对有机薄膜电致发光器件发光区暗斑形？…

为了研究有机薄膜电致发光器件发光区暗斑的形成,制备了Ａｌ／８－羟基喹啉铝／铟锡氧化物／玻璃衬底结构的发光器件,观察了器件失效前后的表面形貌,并对器件进行了微区Ａｕｇｅｒ能谱分析。结果表明,铟锡氧化物电极表面Ｉｎ向有机层内的扩散是产生微区高电场,从而形成发光区暗斑的一个不可忽视的重要因素。     

OLED用三氧化钨缓冲层的研究

采用反应直流磁控溅射法在衬底温度为300℃玻璃基板上制备了掺钨氧化铟(IWO)作为OLED器件的阳极,然后室温条件下在IWO上制备了三氧化钨缓冲层.XRD分析表明三氧化钨为非晶结构.对比测试了有无WO3缓冲层的两种OLED器件,发现带有WO3缓冲层的OLED器件的亮度和功率均是无三氧化钨缓冲层的器件的两倍,而且发光效率最高可以达到对比器件的4倍.从器件能带排列的角度初步讨论分析了提高器件性能的原因.     

深蓝色OLED材料均三嗪衍生物的合成与表征

简要本文合成了三种均三嗪衍生物TPTPA、TITPA和TCTPA,并利用其在电学和光学特性,将其作为发光/电子传输层材料制作有机电致发光器件(OLEDs). 其中,TCTPA具有比TPTPA和TITPA更高的荧光量子产率(PL). 从TPTPA到TCTPA其最低未占据轨道能级(LUMO)逐渐减少,这说明了TCTPA由于其共轭结构的增大,具有更高的电子迁移率. 以TCTPA作为发光/电子传输层的无掺杂OLED器件,在20V时亮度达到最大值2 612 cd/m2,其最大亮度效率和最大功率效率分别为1.72 cd/A 和1.35 lm/W. 将Ir(PPy)3、PVK、PBD等化合物,分别掺杂到以TCTPA为发光/电子传输层的OLED器件中,均展示出比无掺杂器件更高的亮度及效率.     

蓝色Al/LiF双层电极有机电致发光器件

合成并采用ＤＰＶＢ作为发光层,Ａｌ／ＬｉＦ双层电极作用阴极,得到了高亮度（〉９８００ｃｄ／ｍ＾２）、高诳率（１．７ｌｍ／Ｗ）的蓝色有机电致发光器件。     

ZnO 空穴缓冲层对OLED 性能的影响

本文利用无机材料ZnO作为空穴缓冲层,制备了结构为ITO/ZnO/NPB/Alq3/Al的有机电致发光器件。用计算机控制的KEITHLEY2400-PR655系统测量器件的电压-电流-亮度特性。研究结果表明,当ZnO薄膜的厚度为2 nm时,器件的电流效率可达1.65 cd/A,最大亮度为3 449 cd/m2;而没有加入缓冲层的同类器件,最大亮度仅为869.7 cd/m2,最大电流效率为0.46 cd/A。由此可以看出,加入ZnO空穴缓冲层后,最大亮度提高3.97倍,最大电流效率提高3.59倍。分析认为适当厚度的ZnO薄膜降低了发光层空穴的浓度,提高了电子和空穴的复合率,从而降低了电流密度,提高了器件的电流效率,改善了器件性能。     

单一白色发光层的OLED制备与发光性能研究

研制了两种类型单一白色发光层的有机电致发光器件(OLED),即小分子Zn(BTZ)2的掺杂型器件：ITO／PVK：TPD／Zn(BTZ)2：Rubrene／Al和聚合物LPPP的混合型器件：ITO／混合型发光层／Al,获得了较高的器件亮度和发光效率,且色坐标均非常接近于白色等能点,进而对上述器件的发光和电学性能进行了初步研究。     

有机电致发光器件(OLED)

系统介绍了有机电致发光器件的器件结构与发光机理,从有机半导体的能带和OLED器件的结构,分析了载流子在有机物中传输,OLED发光过程,以及各有机薄膜层的作用,指出了如何提高器件的发光效率和提高器件性能的途径。最后概述了OLED器件的现状及发展前景。     

有机电致发光器件的电极研究

介绍了有机电致发光器件的电极研究进展,着重分析了电极性能的改进机制。对于阳极,为了利干空穴的注入和可见光透射,一般应选择功函数较高的透明导电材料。由于铟锡氧化物(ITO)是目前使用最为广泛的阳极材料,所以着重探讨了对ITO膜各种处理方法的改进机理,认为虽然氧空位浓度、C污染、Sn浓度都对ITO的表面功函数有影响,但C污染是主要因素;一种较好的处理方法是既能有效清除C污染,同时又尽可能使ITO膜的电阻率降低,所以中度氧等离子体处理是一种较为理想的途径。对于阴极,为了利于电子的注入,应选择功函数较低且化学性质较为稳定的材料;层状阴极可以较好地实现这一目的,并分别从隧穿效应、界面能带弯曲及减少淬灭中心等方面解释了金属/绝缘层双层阴极的改进机理,认为这三个方面共同起了作用,但主次不一。     

碳钢电极和镍电极的腐蚀及钝化行为研究

本文运用恒电位法探究了碳钢电极和镍电极的腐蚀及钝化行为。将两种电极分别放置在不同电解质溶液中,改变温度和电解质溶液的组成,根据电极的极化曲线来判定其在对应的条件中是否腐蚀和钝化以及腐蚀和钝化的程度。实验结果表明,碳钢电极在NaOH溶液中只腐蚀不钝化,在氨水和碳酸氢铵混合溶液中既腐蚀又钝化,在硫酸溶液中不腐蚀也不钝化;镍电极在NaOH溶液中只腐蚀不钝化,在氨水和碳酸氢铵混合溶液中不腐蚀也不钝化,在硫酸溶液中既腐蚀又钝化。影响电极腐蚀和钝化的因素有温度,电解质种类与电解质溶液浓度。温度越高,电极腐蚀和钝化程度越强;电解质溶液浓度越大,电极腐蚀和钝化程度越强。电解质种类不同,腐蚀和钝化行为不同。     

关于玻璃电极导电机理的研究

通过对玻璃电极导电机理的研究，证明了25℃时玻璃电极电势φ是φ^Φ 0.0591(pH)，而不是φ＝φ^Φ－0．0591（pH)。     

有机发光器件ITO阳极表面能的研究

在测量TIO接触角的基础上，应用调和平均法计算了不同表面处理ITO阳极的表面能和极性度。结果表明：ITO的表面能和极性度随其表面处理方式而变化，并且表面能的变化主要来源于极性分量的增减；经氧等离子体处理后的ITO具有最大的表面能和极性度，这一结果对于优化ITO阳极/有机层界面的性质，改善有机发光器件的性能具有重要意义。     

ITO表面处理对有机电致发光器件光电特性的影响

分别采用超声波清洗、O2 Plasma、UV-ozone方法对ITO的表面进行处理,用原子力显微镜(AFM)观测了处理后ITO的表面形貌,并用经上述方法处理的ITO制作了结构为ITO/NPB/Alq3/Al的电致发光器件,比较了这些方法对器件性能的影响.结果表明,这些方法可以改变ITO的表面化学成分及结构,大幅度地提高器件的亮度、寿命和稳定性,尤其是氧离子轰击最为有效.     

有机发光器件中空穴注入对负电容的影响

对不同结构的有机发光器件(OLED)进行了电容-电压(C-V)特性测量,研究了不同空穴注入结构对OLED负电容的影响。结果表明,负电容的产生与OLED内部电场的分布有着密切的关系,负电容开始出现的频率与电压的平方根呈指数关系。与超薄的单层空穴注入层相比,掺杂的空穴注入层不仅能降低器件的驱动电压,而且其载流子传输特性和出现负电容时的初始电压对频率有着更强的依赖性。     

DCJTB掺杂浓度对有机电致白光器件性能的影响

通过改变红色荧光材料DCJTB的掺杂浓度设计了四个不同结构的器件,当DCJTB的掺杂浓度为0.8%时,平衡了器件中电子和空穴的传输能力,使载流子复合形成激子的几率增加,即使载流子的传输能力最优,又有效地抑制了器件的荧光淬灭效应,提高了器件的性能,器件的最大亮度为8 898 cd/cm2,最大效率为1.7 cd/A。     

Weibull分布下基于BRM的白光OLED寿命预测

为了在短时间内预测白光OI．ED的寿命,通过加大工作电流开展了3组恒定应力加速寿命实验,利用三参数威布尔（weibull）函数和双线性回归法（BRM）得到了OLED寿命信息．数值结果表明：加速寿命预测的实验方案是正确可行的;OLED的寿命服从Weibull分布;加速模型符合阿伦尼斯方程;精确计算的加速参数使得快速估算OLED寿命成为可能．     

OLED器件的IVL测试实验设计

文中介绍了一种微机控制下的电流-电压-亮度（IVL）测试系统的设计,该系统主要用于测试有机发光二极管（OLED）器件的电流-电压-亮度等光电参数,具有测试速度快和易于操作等特点;系统的研制成功可对OLED显示器件物理机制的研究提供测试手段。     

有机电致发光器件自动测量系统

设计并组建了一套可精确测量有机电致发光器件(OLED)电流密度-电压-亮度以及衰减曲线(亮度随时间的衰减)的自动测量系统．该系统工作时由计算机通过RS-232接口控制Keithley 2400 Source Meter向待测器件提供稳压(稳流)并测量相应的电流(电压)，控制New Port 1800-C Power Meter同步检测待测器件的光功率．采集到的数据最终送入计算机中进行处理、绘制性能曲线及存储．使用本系统对以JBEM为基质的蓝色OLED进行了测量．     

Synthesis and characterizations of nanosized tin-doped indium oxide by different soft-chemical routes

Nanosized tin-doped indium oxide (ITO) with different phase formation and morphologies has been successfully synthesized by two different soft chemical methods: combustion synthesis from the aqueous tin and indium nitrate solution containing urea as the fuel and hydrothermal treatment of the solution with the urea as the mineralizer. The sub?micrometer ITO nanoclusters with stratified morphology were obtained by calcining the obtained precursor from combustion process at 600℃ for one hour. However, by utilizing urea as the mineralizer during the hydrothermal treatment, the obtained ITO powders exhibit a composite morphology consisting of spheres and rods after calcining at 600℃ for one hour. Both of the processing routes yield a two-phase mixture consisting of rhombohedral and cubic forms of ITO.     

ITO薄膜的微结构及其分形表征

采用直流磁控溅射法制备氧化铟锡（ITO）薄膜,用XRD、TEM和分形理论测试和分析了不同退火时间ITO薄膜的微结构。XRD分析表明：退火时间持续增加,薄膜的晶格常数先减小后略有增大,这是薄膜中Sn~（4＋）取代Sn~（2＋）导致晶格常数减小和压应力不断释放导致晶格常数增大共同作用的结果。分形研究表明：分形维数随退火时间的延长先减小后增大,说明薄膜中平均晶粒尺寸先减小后增大,与XRD的研究结果一致。