八配体CdF2和CaF2中掺杂Co^2＋的电子光谱和g因子研究

在晶体场理论基础上，考虑到掺杂离子引起晶体局域结构畸变和利用Ｃｏ＾２＋离子的３ｄ轨道函数，研究了八配位立方晶体ＣｄＦ２和ＣａＦ２中掺杂Ｃｏ＾２＋离子的ｄ－ｄ电子光谱和ＥＰＲｇ因子，研究表明，局域结构畸变对ｇ因子的影响不应忽略。     

八配体CdF_2和CaF_2中掺杂Co￣(2+)的电子光谱和g因子研究

在晶体场理论基础上，考虑到掺杂离子引起晶休局域结构畸变和利用Ｃｏ￣（２＋）离子的３ｄ轨道函数，研究了八配位立方晶体ＣｄＦ２和ＣａＦ２中掺杂Ｃｏ￣（２＋）离子的ｄ－ｄ电子光谱和ＥＰＲ＿ｇ因子．研究表明，局域结构畸变对ｇ因子的影响不应忽略。     

LiF：Co^2＋和NaF：Co^2＋晶格中的Co^2＋—F^—键长

本文从光谱数据出发，用参量化的ｄ轨道理论确定了ＬｉＦ：Ｃｏ＾２＋和ＮａＦ：Ｃｏ＾２＋晶体中的Ｃｏ＾２＋－Ｆ键长，结果表明：ＬｉＦ：Ｃｏ＾２＋中，Ｃｏ＾２＋－Ｆ键长基本与未掺杂ＬｉＦ晶体中的Ｌｉ－Ｆ距离相同；而ＮａＦ：Ｃｏ＾２＋中的Ｃｏ＾２＋－Ｆ键长很大收缩，完全不同于未掺杂ＮａＦ晶格中的Ｎａ－Ｆ键长，从杂质离子半径与被取代离子半径的差别引起的局域畸变及静电平衡机制引起局域畸变出发进行的讨论表明，所     

LiF：Co~（2＋）和NaF：Co~（2＋）晶格中的Co~（2＋）－F~－键长

本文从光谱数据出发，用参量化的ｄ轨道理论确定了ＬｉＦ：Ｃｏ２＋和ＮａＦ：Ｃｏ２＋晶体中的Ｃｏ２＋－Ｆ－键长．结果表明：ＬｉＦ：Ｃｏ２＋中，Ｃｏ２＋－Ｆ－键长基本与未掺杂ＬｉＦ晶体中的Ｌｉ＋－Ｆ－距离相同；而ＮａＦ：Ｃｏ２＋中的Ｃｏ２＋－Ｆ－键长则有很大收缩，完全不同于未掺杂ＮａＦ晶格中的Ｎａ＋－Ｆ－键长．从杂质离子半径与被取代离子半径的差别引起的局域畸变及静电平衡机制引起局域畸变出发进行的讨论表明，所得结果是合理的     

MgO：V^2＋和MgO：Cr^3＋的四角畸变与零场分裂

Ｃｒ＾３＋和Ｖ＾２＋离子分别掺进晶体ＭｇＯ时，将引起局域结构产生四角畸变，本文研究了掺杂晶体ＭｇＯ；Ｖ＾２＋和ＭｇＯ；Ｃｒ＾３＋的ＥＰＲ零场分裂Ｄ，理论计算和实验观察基本一致；并指出，ＭｇＯ：Ｖ＾２＋局域结构的四角畸变程度应小于ＭｇＯ：Ｃｒ＾３＋。     

单晶Co^2＋：MgGa2Se4光学吸收谱的理论解释

该文考察了ｄ电子ｔ２ｇ轨道ｅｇ轨道局域性差别的影响，并计及Ｒａｃａｈ参量Ａ对光谱跃迁的贡献，导出了３ｄ＾７电子组态在Ｔｄ对称下的哈密顿矩阵公式。从理论上研究了Ｃｏ＾２＋：ＭｇＧａ２Ｓｅ４中Ｃｏ＾２＋离子的吸收光谱，理论结果与实验结果吻合很好。     

接着在PVPV膜上的PdCl^2—4／PdCl^2—6体系电子自交换反…

本文采用旋转圆盘电极法和线性动电势扫描法测定了ＰｄＣｌ＾ｄ２－４／ＰｄＣｌ＾２－６体系电子自交换反应速率常数ｋｅｘ，研究了Ｋ２ＰｄＣｌ６溶液浓度、ＰＶＰ膜厚度以及不同支持解 质对ｋｅｘ的影响。     

PtCl4^2—／PtCl6^2—体系电子自交换速率常数的测定

本文研究了籍静电引力接着ＰｔＣｌ４＾２－／ＰｔＣｌ６＾２－的ＰＶＰ修饰电极，采用动电势扫描法、旋转圆盘电极法和电位阶跃法等测定了不同Ｈ２ＰｔＣｌ６溶液浓度、ＰＶＰ膜厚度和支持电解质条件下ＰｔＣｌ４＾２－／ＰｔＣｌ６＾２－体系的Ｋｅｘ值。     

Bi2（Sr,Ca）3Cu2Oy超导体的EXAFS研究

利用扩展Ｘ射线吸收精细结构（ＥＸＡＦＳ），研究了Ｂｉ２（Ｓｒ，Ｃａ）２Ｃｕ２Ｏｙ超导体中Ｃｕ原子与Ｂｉ原子的局域结构．结果表明：Ｃｕ原子第一配位层是五配位的氧原子，第二配位层是四配位的Ｃａ原子和一配位的Ｃｕ原子，但不含Ｓｒ原子的结构信息，这是Ｓｒ－Ｏ层与Ｃｕ－Ｏ层层间距较大所致；同时测定Ｂｉ原子第一配住层含有２．３个氧原子，用非公度调制结构模型解释了Ｂｉ原子的配位状况．     

接着在PVP膜上的PdCl_4~（2－）／PdCl_6~（2－）体系电子自交换反

本文采用旋转圆盘电极法和线性动电势扫描法测定了ＰｄＣｌ／ＰｄＣｌ体系电子自交换反应速率常数ｋｅｘ，研究了Ｋ２ＰｄＣＩ６溶液浓度、ＰＶＰ膜厚度以及不同支持电解质对ｋｅｘ的影响。     

La_（3－x）／2Ba_（（3－x）／2）Ca_xCu_3O_y超导体正电子寿

用ｘｔ子寿命谱方法研究Ｃａ局域替换Ｌａ（３－ｘ）／２Ｂａ（３－ｘ）／２ＣａｘＣｕ３Ｏｙ中的Ｌａ和Ｂａ引起的电子结构变化；并结合氧含量和转变温度的测量，分析了电子密度增加的原因．实验表明，随着Ｃａ含量的增加，体系正常态的正电子寿命明显减小，这表明正电子探测的电子密度增加．     

Bi2Sr2CaCu2O8＋X单晶的比热和热导率研究

Ｂｉ_２Ｓｒ_２ＣａＣｕ_２Ｏ_（８＋Ｘ）单晶的比热和热导率研究王如竹，吴静怡，王卓，施健卉，杨红艳，潘晓峰，杨晓春（动力机械工程系）材料的比热、热导率以及热膨胀率和温度的关系对于理解物理系统是至关重要的．尤其是比热，它反映了系统能级的总的能态，因此表征...     

吉林新立油田CO_2非混相驱模拟研究

利用专门建成的高压线性物理模拟装置，以吉林新立油田为原型进行了一系列ＣＯ２非混相驱模拟实验。实验内容包括ＣＯ２注入率、ＣＯ２段塞大小、交替注方式、气水比、水气同注及注ＣＯ２时机等因素对驱油效果的影响。研究结果表明：影响ＣＯ２非混相驱效果的最关键因素是ＣＯ２段塞大小和油层压力。注入率对驱替效果也有较大的影响，交替注入和气水比的影响是次要的。实验结果还表明：对新立油田而言，在较低的含油饱和度下，ＣＯ２非混相驱仍能有效地提高原油采收率。     

CaO-SiO2-P2O5-H2O系统中CBC材料的原料配比研究

以硅溶胶、磷酸和硝酸钙为原料,以１８种不同化学成分的原料配比分别合成了ＣａＯ－ＳｉＯ２－Ｐ２Ｏ５－Ｈ２Ｏ系统中的ＣＢＣ材料。引入磷率（ＰＭ）或硅率（ＳＭ）及氧化钙标准值（ＣＳｔ）的概念,综合材料的化学成分及矿物组成的分析,以测得的劈裂抗拉强度指标为依据,对材料的配料问题进行研究。结果表明,欲制得高劈裂抗拉强度的材料,应控制ＰＭ为２．０－３．０,ＣＳｔ为９０￣１０５,或化学组成范围为：ＣａＯ,５３．     

NaCl的层厚度对NaCl—Si（111）界面电子特性的影响

根据Ｙａｎｉｖ的界面理论，利用紧束缚近似下的格林函数方法，研究了绝缘体ＮａＣｌ的层厚度对ＮａＣｌ－Ｓｉ（１１１）界面电子特性的影响。结果表明，（１）Ｓｉ上覆盖一层ＮａＣｌ时，导致局域在Ｓｉ－边的价带态密度显著降低和导带态密度显著升高，这可能是由于ＮａＣｌ的离子性将Ｓｉ的价带电子排斥到导带的缘故；（２）当ＮａＣｌ层厚增加时，局域在Ｓｉ－边的态密度几乎不受影响，这与ＮａＣｌ－Ｓｉ（１１１）界面热垒形成     

跨临界CO2制冷循环性能的研究

文中对理想的跨临界ＣＯ２制冷循环,进行了理论分析和性能计算,揭示了该循环的一些特点：对于一定的冷却器出口温度,对应一个使系统性能系数最佳的冷却压力,而且系统性能系数最佳时的冷却器出口温度与冷却压力的对应关系,可以用一个简单的代数式表示;提高蒸发温度可显著提高循环的性能系数;当冷却压力较低时,提高循环的吸气过热度,可显著地提高系统的性能系数;冷却器出口温度越高,效果越明显,当蒸发温度和冷却器出口温度较高时,减小回热器传热温差,可有效地提高系统的单位容积制冷量和性能系数．这些结论,对于跨临界ＣＯ２制冷系统的运行操作具有重要的指导作用．     

FeS2-H2O系综合平衡电势-pH图及其应用

根据综合平衡原理,建立和讨论了一种新型的ＦｅＳ２－Ｈ２Ｏ系电势－ｐＨ图及该体系中溶液态物质的浓度分布函数单质硫只有较小的稳定区且依赖于溶液中含硫物种总浓度Ｃｔ（Ｓ）和Ｈ２Ｓ气体的分压大小,当Ｃｔ（Ｓ）固定时,分压小于某临界值后单质硫的稳定区将消失Ｆｅ２Ｏ３（Ｓ）和ＦｅＳ２（Ｓ）的稳定区均很大,Ｆｅ２Ｏ３的稳定性与溶液中含铁总浓度Ｃｔ（Ｆｅ）有关,而ＦｅＳ２的稳定性与Ｃｔ（Ｓ）、Ｃｔ（Ｆｅ）及Ｈ２Ｓ气体的分压均有关图３,表３,参４     

CdCl2:Co2+晶体中Co2+离子电子Raman谱

用晶场理论方法,采用点荷偶极模型,对ＣｄＣｌ２：Ｃｏ２＋晶体中Ｃｏ２＋离子的电子Ｒａｍａｎ谱进行了理论计算理论．计算的结果与实验符合得很好     

含钯(Ⅱ)-铁(Ⅲ)混合价金属有机化合物的研究──FcCH_2N(CH_3)_2-Pd-X-L类金属有机化合物的电化学性质和价电子互换作用

ＦｃＣＨ２Ｎ（ＣＨ３）２Ｐｄ－Ｘ－Ｌ是一类含有不同金属离子的混合价化合物．本文介绍合成方法并讨论不同性质的配位基以及配位基在分子中的键合情况对化合物Ｆｅ（Ⅱ）氧化电势的影响，剖析Ｆｅ（Ⅱ）－Ｐｄ（Ⅱ）价电子互换作用的条件和影响的因素．     

Na_2ZnCl_4·3H_2O：Mn~（2＋）晶体EPR参量及其单轴压力效应的

假设在Ｎａ２ＺｎＣｌ４·３Ｈ２Ｏ：Ｍｎ２＋晶体中，处于Ｃ３轴上与Ｍｎ２＋发生作用的是Ｈ２Ｏ配体而非Ｃｌ－；用对角化能量矩阵的方法计算Ｄ、ａ和ｇ，以及单轴压力效应ｄＤ／ｄｐ和ｄａ／ｄｐ，结果与实验相当一致，表明：Ｈ２Ｏ取代Ｃｌ－的假设是合理的，晶体场理论对Ｎａ２ＺｎＣｌ４·３Ｈ２Ｏ：Ｍ同样适用．