功率肖特基势垒整流二极管科技成果及产业化发展

功率肖特基势垒整流二极管属新型电子元器件,具有高速和大电流低正向压降等特点,将科技成果转化为产业化大规模生产,可满足日益增长的国内外市场需求。     

p型Al/6H-SiC肖特基二极管特性的研究

作者研究了p型Al/6H -SiC肖特基二极管的基本制作工艺及其电学参数 .采用电流 -电压法 (I～V) ,测试了肖特基二极管的理想因子n和肖特基势垒高度b.对其基本电学参数n和b 的温度特性进行了研究 .分析了串联电阻对I～V特性的影响 .     

高压4H—SiC肖特基二极管的模拟及研制

结终端技术能提高4 H-SiC肖特基势垒二极管器件的耐压性能.利用仿真软件ISE-TCAD10.0对具有结终端扩展JTE保护的4 H-SiC SBD器件进行了仿真研究,并依据仿真优化好的参数试制了器件.实验测试结果表明,模拟优化结果与实验测试器件的结果一致性较好,实测此器件的反向电压值达2 000 V,接近理想击穿耐压88%,漏电流数值为0.1mA/cm2.     

终端场板结构对GaN基肖特基势垒二极管击穿电压的影响

为了提高肖特基势垒二极管(Schottky barrier diode,SBD)的击穿电压(breakdown voltage,BV),系统研究了终端场板结构的GaN-SBD.基于Silvaco TCAD软件,采用控制变量法即分别在不同场板长度(LFP)和绝缘层厚度(TFP)及GaN漂移区掺杂浓度(ND)条件下仿真了器...     

4H-SiC肖特基二极管温度传感器模型分析

在4H-SiC肖特基二极管正向电流热电子发射理论基础上,得出了理想因子、势垒高度及串联电阻随温度变化的特性值,并结合考虑三者随温度变化的特性提出了一种计算正向电流密度的理论模型.通过对肖特基二极管的正向特性在300～500 K的温度范围内的电流-电压曲线模拟,表明温度升高对正向特性的影响比较显著,肖特基二极管适合于高温工作,同时表明热电子发射是其主要运输机理.     

4H-SiC肖特基势垒二极管温度特性研究

采用平面工艺，用高真空电子束分别蒸发金属Ni、Ti做肖特基接触，采用多层金属Ni、Ti、Ag合金做欧姆接触，制作出Ni／4H—SiC、Ti／4H—SiC肖特基势垒二极管(SBD)．研究了在-100～500℃之间器件正向直流压降与温度变化的关系．实验表明：当通过肖特基势垒二极管的正向电流恒定时，器件正向直流压降随温度变化具有线性关系，斜率约为1．8mV／℃，由此，提出了以4H—SiC肖特基势垒二极管为基础的高温温度传感器模型．     

硅半导体放电加工中的肖特基势垒特性研究

金属夹具与半导体接触会形成肖特基势垒,为了研究该势垒对半导体放电加工的影响,利用二极管和电阻模型建立了等效电路.固定端和放电端形成的肖特基势垒,都可等效成二极管,在放电回路中一个处于正向偏置,另一个处于反向偏置.本文通过两端金属进电的方法,研究了肖特基势垒对放电电流的影响,理论研究发现了半导体放电伏安曲线的3个特征量:导通角、击穿点和击穿角,并通过实验方法测量伏安曲线,找到了这3个特征量的关系.击穿角由电路中的电阻决定,与肖特基势垒无关,而导通角和击穿点由肖特基势垒决定,与电阻无关.     

4H-SiC肖特基二极管载流子输运的温度效应

以Cree公司生产的碳化硅肖特基二极管为研究对象,对其进行I-V测试.通过对实验数据的理论模拟,研究了碳化硅肖特基二极管的载流子输运机理及温度效应.研究结果表明:温度升高,碳化硅肖特基二极管的肖特基势垒高度降低,漏电流急剧增加.正向导通时符合热电子发射机理,镜像力和隧穿效应共同作用使得反向偏压下的漏电流增加并能较好地和实验值相一致.     

Ni(pz)_4Cl_2型络合物性质理论研究中的计算方法

利用d8[(1-C2 )D 4h+C2 D 2h]全组态混合统一晶场理论模型 ,介绍了Ni(pz) 4 Cl2 型络合物的吸收光谱 ,基态ZFS、EPR参量 ,低温下的肖特基 (Schottky)热容量和顺磁磁化率的计算方法以及微机处理过程 ,总结出了利用微机对其拟合的一般规律     

Ni（pz）4Br2型化合物的光热磁性质的理论研究

本文利用ｄ＾８（Ｄ４ｈ）全组态混合统一晶场理论对Ｎｉ（ｐｚ）４Ｂｒ２型化合物的吸收光谱、棋态ＺＦＳ、ＥＰＲ参量、低温下的Ｓｃｈｏｔｔｋｙ热容量和顺磁磁化率进行了统一的计算和理论分析，理论结果与实验观测值符合甚好，从而对Ｎｉ（ｐｚ）４Ｂｒ２的光、热、磁性质作出子完整的、合理的理论解释。