微量Ga对电容器阳极用铝箔组织及比电容的影响

采用X射线衍射定量检测含微量Ga高压电解电容器阳极用退火箔的立方织构,用金相显微镜及扫描电镜观察其显微组织,用图像分析软件分析腐蚀箔的腐蚀结构,研究了微量Ga对组织结构、腐蚀结构及比电容的影响.结果表明:Ga的质量分数由05×10-6提高至116×10-6时,铝箔的立方织构的体积分数略微下降,但在520V的比电容却由0662μF/cm2增加到0706μF/cm2;当Ga的质量分数增加至214×10-6时,显微组织及织构变化不明显,但比电容下降至0693μF/cm2.这是因为适当添加微量Ga能促进电化学腐蚀发孔,增加箔的表面积,提高其比电容;但Ga的质量分数高于116×10-6时,将增加箔的并孔数量,减少其表面积,导致比电容下降.     

成品退火对高纯铝箔立方织构的影响

高纯铝箔主要用于制作高压电容器的阳极材料,电容器的比电容大小与阳极箔材中立方织构的含量密切相关立方织构含量越高,箔材腐蚀后有效表面积越大,其比电容也相应越大.作者采用晶体取向分布函数(ODF)研究和分析了成品退火工艺制度及冷却速度对不同铁含量高纯铝箔立方织构的影响.研究结果表明含Fe0.0011％的高纯铝箔在二级退火190℃/3h+520℃/2h条件下立方织构含量较高,R织构比例较小.由于铁的含量及存在状态严重影响了高纯铝箔的立方织构含量,当铁含量较高或过饱和固溶在基体中时,成品退火时主要出现原位再结晶,立方织构较弱,R织构较强.因此,含Fe0.0016％的高纯铝箔成品退火后虽在空冷时立方织构含量较高,但其立方织构含量均低于含Fe0.0011％的高纯铝箔中的立方织构含量.     

最终退火处理对铝箔立方织构的影响

对铝纯度为99.79%和99.99%的两种铝箔进行了多种退火处理,利用蚀坑法分析统计了热处理后铝箔的立方织构含量.化学成分对铝箔立方织构度有决定性的影响,纯度高的Al99.99%铝箔通过热处理后可获得较高的立方织构含量,最高可达92%.铝箔退火时,随退火温度的升高、保温时间的延长,纯度为Al99.99%的铝箔中立方织构含量增加,但在高温(高于580℃)时,保温时间的延长对立方织构含量无明显影响;对铝纯度较低,Al99.79%的铝箔,立方织构含量增加不明显,高于550℃的退火温度会降低立方织构含量,并随着保温时间的延长,降低幅度加大.     

微量元素、织构和位错对低压(16V)电容器用阳极箔比电容的影响

本文研究了含微量 Mg—Nd、Cd 的低压(16V)电容器阳极铝箔比电容。实验表明:成份位于一定范围的退火 Al-Mg-Nd 和 Al-Cd 合金箔,与纯铝箔相比,有较高的比电容。其原因在于微量元素提高了铝箔表面(100)织构的含量;同时,也增加了正方形蚀坑的晶粒数目,这些晶粒分布在三角形或其他形状蚀坑的晶粒之间,且各种蚀坑的形状、大小适宜,分布均匀。由此所组成的位错蚀坑密度愈大,低压用铝箔的比电容也愈高。     

低压电容铝箔国产化的研制(英文)

本文利用金相、X光和电子显微镜等技术,对国产和进口低压电容器用铝箔的成分和组织结构等进行了对比分析。通过对铝箔直流腐蚀形貌的观察,研究了提高铝箔比电容的机理。成功地开发了一种新型国产电容铝箔,经工厂实际生产应用证明,各种技术指标均达到进口电容铝箔的水平,能取代进口箔,具有巨大的社会效益和经济效益。     

Cu对高压电解电容器阳极铝箔再结晶织构的影响

采用织构定量检测等方法研究了铜元素对高压电解电容器阳极铝箔立方织构的影响, 讨论了相关的影响原理.结果表明, 微量铜元素的变化会改变其在位错附近的偏聚状态, 进而影响轧制铝箔的塑性变形过程和取向分布状态, 因此铜元素会影响其再结晶行为和退火铝箔的立方织构量.较低的铜含量和较高的晶粒长大温度有利于立方织构占有率的提高.     

退火工艺对高压阳极铝箔发孔均匀性的影响

采用金相显微镜、扫描电镜研究不同退火工艺处理铝箔在盐酸硫酸腐蚀体系中表面腐蚀发孔的均匀性和表面形貌特征,用二次离子质谱仪分析铝箔表面Fe,Si,Cu和Mg等微量元素沿深度方向的分布。研究结果表明:退火工艺可以改变铝箔微量元素的表面聚集形式,从而改变腐蚀发孔率和发孔均匀性;在500℃退火时,Cu元素在表面富集太少,表面腐蚀发孔不均匀;在575℃退火时,铝箔表面富集了足够的微量元素,发孔面积明显增加。在二级退火方式下,各种微量元素表面聚集都很少,发孔率低。升温速度和冷却速度对铝箔内微量元素的聚集也有一定程度的影响。     

3004铝合金在轧制及退火过程中织构的演变

应用取向分布函数(ODF)研究和分析了热轧、冷轧及退火对3004铝合金织构的影响·结果表明,热轧后织构类型为(100)[uvw],且(100)[011]旋转立方织构为最强;在冷轧过程中,所有样品的冷轧织构表现为典型的铜式织构特征,随形变量的增加,织构由弱到强,最后稳定在铜织构、黄铜织构和S织构3个织构组分;冷轧样品退火后,退火织构主要由立方织构、退火R/S织构和铜织构组成,其中在300℃和400℃的退火样品中存在强度较高的再结晶立方织构{001}〈100〉,100℃和200℃的退火样品中再结晶立方织构{001}〈1...     

微量Ga对高压阳极铝箔腐蚀发孔性能的影响

采用金相显微镜和扫描电镜观察腐蚀形貌,结合动电位极化曲线测试点蚀电位,研究微量Ga对高压阳极铝箔腐蚀发孔性能的影响.结果表明,含Ga铝箔经退火后,点蚀电位约为-0.85V,比退火态不含Ga铝箔的点蚀电位负移约80 mV;退火后Ga在铝箔表面发生富集,增强了铝箔在含氯离子溶液中的点蚀倾向.当Ga含量20×10-6时,铝箔腐蚀区面积比约98％,腐蚀区内蚀坑数量众多、分布均匀,扩面效果显著;Ga含量达到80×10-6时,虽然腐蚀区面积比高,但腐蚀区内局部区域形成粗大蚀坑,腐蚀均匀性有所降低.因此,添加适量Ga可显著改善铝箔在HCl-H2SO4溶液中的腐蚀发孔性能.     

温度对电容器用TiCxN1-x／Al复合铝箔比电容的影响

采用多弧离子镀技术制备高容量电容器用TiCxN1-x/Al复合铝箔电极,研究不同温度下TiCxN1-x/Al复合铝箔的比电容特性,并通过扫描电镜和X射线衍射分析不同温度下铝箔的表面微观结构和物相变化规律.结果表明,TiCxN1-x/Al复合铝箔的比电容高达1 600 μF/cm2,经退火处理后,TiCxN1-x涂层表面颗粒有逐渐长大趋势,晶体结构也从非晶态向晶态转变,当退火温度高于200 ℃时,复合铅箔比电容下降较快.     

电容铝箔微观结构的TEM和X射线衍射研究

本文采用不同形变热处理高纯铝箔,经电解抛光和减薄后,用高压透射电镜观测了蚀坑形貌与其它微观结构,同时根据 X 射线晶面衍射强度分析,建立了铝箔易见蚀坑形貌与高 F_(hkl)值的实质联系,为制取高比电容铝箔,提供了理论依据.     

高纯电容铝箔中残留杂质化合物的研究

本文通过电镜观察和电子计算机运算,标定了高纯电容铝箔经不同温度淬火后残留杂质化合物的成分和结构,同时研究了电阻率、显微硬度随热处理条件而变化的规律。TEM观察表明:500℃/5min淬火后,残留化合物有FeAl_6、FeAl_3,α-AlFeSi和其它杂质粒子。500℃/min淬火后,残留化合物有(AlFeSi)T相粒子和其它杂质粒子。600℃/5min淬火,没有杂质粒子存在。由电阻率和显微硬度的变化规律说明,杂质粒子在淬火过程中发生溶解。完成溶解过程所需要的时间随淬火温度上升而缩短,在500℃时约15min,550℃时约10min,600℃时约5min。杂质的存在状态对铝箔比电容影响很大。SEM观察表明:杂质以第二相粒子形式存在将造成腐蚀不均,比电容下降。杂质固溶于铝基体中,腐蚀不均现象可以避免或减弱,比电容上升。     

微量元素对高纯铝箔立方织构的影响

采用晶体取向分布函数(ODF)研究和分析了在高纯铝中分别加入不同含量的微量稀土或铍对成品高纯铝箔立方织构的影响．研究结果表明添加微量稀土和铍,能改变高纯铝箔变形织构组分含量,单独加稀土时,形变织构变化不大;在单独加铍时,其S取向{123}<634>和Cu取向{112}<111>变化较大,随铍含量增加,其S取向密度f(g)减少,Bs{110}<112>取向密度增加．再结晶退火后,随稀土加入量增加,立方织构{100}<001>取向密度增加,R织构{124}<211>取向密度减少;铍添加较少时能增加成品箔材中立方织构{100}<001>强度,但随铍含量增加,立方织构含量急剧减少,R织构强度相应增加．稀土和铍在铝中溶解度都极小,与铁等微量杂质元素可能形成化合物析出后,能净化基体,减小铁对形成立方织构的阻碍作用,促进再结晶立方取向核心的形成与长大,增加立方织构比例．     

3004铝合金的再结晶和织构

采用ＯＤＦ织构分析和偏光金相法研究了冷轧后高温快速和常规两种不同再结晶退火制度对３００４合金织构和晶粒组织的影响。结果表明：退火方式的不同对合金织构组分影响不大，但影响各组分之间的相对强弱和分布；高温快速退火有利于立方织构的发展和晶粒的细化，处理后板材中存在更强的立方织构和软弱的残留轧制织构；高温快速中间退火还有利于成品薄板各向异性和深冲制耳率的降低。     

高纯电子铝箔立方织构形成的微观过程

采用EBSD微取向分析方法,通过分析高纯铝箔冷轧后退火的再结晶初期立方取向晶核的形成过程及立方取向晶粒的长大行为,探讨了高纯铝箔中立方织构形成的微观过程.结果表明,在高纯铝箔轧制基体上没有发现立方取向{001}<100>的晶核优先形成,但是再结晶完成以后却会出现较强的立方织构,因此高纯铝箔立方织构的形成主要是借助于立方取向晶粒的取向生长机制实现的.立方取向晶核容易在S取向{123}<634>的形变晶粒之间产生.     

铝箔微观组织对其力学性能的影响

采用拉伸实验和透射电子显微镜分析了铝箔微观组织对厚度为6～7 μm的铝箔力学性能的影响. 实验结果表明: 铝箔中化合物的形貌及析出位置较退火工艺对铝箔抗拉强度的影响更大, 处于晶界的块状化合物破坏了晶界的整体联系, 增加了铝箔微观组织的不均匀性;提高铝箔强度时应尽量避免化合物在晶界处析出. 亚晶的尺寸与位错密度紧密相关, 亚晶尺寸小, 单位体积内亚晶界增加, 位错密度也随之增加. 铝箔具有较小的亚晶尺寸, 因而具有较高的抗拉强度.     

3004铝合金再结晶织构及其显微组织

应用取向分布函数(ODF)和透射电镜(TEM)研究了3004铝合金再结晶织构及其显微组织·结果表明:在退火样品中存在较强的再结晶U({001}〈100〉)立方织构,且该织构随退火温度的升高而增强,在350℃和450℃时强度级别分别达8级和12级,再结晶R/S({124}〈211〉)织构、S({123}〈634〉)和C({112}〈111〉)织构组分强度较低·TEM形貌像表明:经250℃,120min退火后,样品中回复过程已基本完成;在300℃以上退火时,随着退火温度的升高,再结晶晶粒不断长大,第二相粒子继续析出,弥散地分布于晶粒内的亚晶界上,并被位错所包围,在再结晶过程中起到了促进形核的作用·     

异步轧制对高压电解电容器用铝箔织构的影响

利用异步轧制技术对高压电解电容器用高纯铝进行冷轧,研究了异步轧制参数对铝箔冷轧织构的影响.结果表明:异步轧制的搓轧区效应,可使铝箔形成不同于同步轧制的6种主要织构的含量与分布.慢辊侧的织构总体含量高于快辊侧总体含量;S{123}(634)织构、C{112}(111)织构的变化趋势相同,立方织构{001}(100)、旋转...     

小形变量轧制下电工钢中立方织构的形成

尝试了小形变量轧制对立方织构电工钢织构形成的影响.结果表明,对含碳量较低的Fe-3.2%Si铁硅合金的初次再结晶组织施加小形变量形变和退火后,可以得到具有柱状晶结构的晶粒组织,并且得到比较集中的立方织构.柱状晶组织形成过程中伴随着∑5和∑11晶界的减少和最终消失,这种低∑重位晶界的移动主要是由于(100)取向晶粒与基体晶粒之间存在沿〈100〉或〈110〉转动36.9°或50.5°的取向关系.     

高硅钢近柱状晶初始组织的形变、再结晶行为及磁性能

采用电子背散射衍射技术对高硅钢近柱状晶初始组织直接热轧、温轧、冷轧和退火组织及织构演变进行分析,并测定相应退火板的磁性能.该实验条件下组织与织构演变规律体现了表层剪切细小组织和中心层粗大组织的竞争关系,其中中心层组织与原始立方取向相关或表现为α线取向.柱状晶的影响在最终退火组织中仍存在,少量立方取向区域可遗传到最终退火板中,虽然没有大量出现,仍有效削弱了{111}织构.形变退火过程中与原始立方取向线有关的晶粒尺寸普遍较大,有利于磁性.样品最终的磁感应强度低于文献报导的强{120}〈001〉或{100}〈021〉织构样品,但高于普通无取向高硅钢,且轧向和横向磁感应强度值差异小,所以柱状晶组织有利于无取向高硅钢的制备.