黑色HgS溶解性的热力学分析

运用化学热力学基础理论和方法研究了黑色HgS在无氧化性强酸、强碱溶液中的溶解性.结果表明,黑色HgS确实能溶于单一氢卤酸与碱金属卤化物的溶液,但不能溶于强碱溶液.     

HgS纳米粒子的研制

采用软化学合成法合成了HgS纳米粒子。新合成的HgS的IR谱，XRD测试结果与标准样的完全一致。TEM测试HgS的粒径为30nm左右，颗粒大小均匀、不结团。结晶水是固相反应的关键，它不仅有分散的作用，还有催化的作用。一般地，一种带结晶水的无机盐与另一种盐发生固相反应，颜色的变化是固相反应的指示剂，稳定颜色的生成是固相反应的终点。若目标产物易分离，则该反应是在物理因素(研磨等)作用下，便可得以进行的有实际意义的固相反应。     

HgS/CdS/HgS球状纳米系统中电子能量与寿命的探讨

建立了球状HgS／Cd6／HgS纳米系统中电子状态满足的方程，找出并分析了相应态中电子的能级和寿命随系统几何尺寸的变化规律。     

水、油田气和有机物中氯的测定——用HgS/Hg_2 Cl_2氯离子选择性电极

在化工和化肥生产中氯是有害的,因此测定气体和水中痕量氯十分重要。我们用自己研制的 HgS/Hg_2Cl_2 氯离子选择性电极在工厂和油田测定氯、实验结果说明该电极简单,准确、快速,对1×10~(-1)～1×10~(-6)M Cl~- 有 Ne(?)st 响应。     

圆柱形复合量子线中电子的能量和寿命

在有效质量近似下，用数值计算方法得到在圆柱形复合量子线中电子的准定态能量和寿命．对HgS／CdS／HgS量子线系统具体计算表明：在分立准定态区域中，电子的能量随波矢按平方规律增大而增大，随势阱宽度增大而减小；而寿命随波矢和阱宽的变化则相反．     

半导体球形异质结中界面光学声子及电声相互作用

在介电连续模型下,运用传递矩阵的方法研究多层球形异质结中的界面光学声子,得出了多层球形异质结中的界面光学声子的本征模解、色散关系和电子与界面光学声子相互作用的哈密顿.对5层球形异质结CdS/HgS/CdS/HgS/H2O中的界面声子的色散关系和电声相互作用的耦合强度进行了数值计算,结果发现在5层球形异质结中,存在着7支光学界面声子,但仅有一支界面声子对电声相互作用的耦合强度具有重要的影响.     

层间作用和线度对多层球状纳米系统电子势能的影响

摘要：确立考虑层间作用情况下多层球状纳米系统的物理模型和电子势能满足的方程,应用格林函数法和傅立叶展开,求出系统的电子势能。分别以CdS/HgS/CdS封闭型和HgS/CdS/HgS开放型球状纳米系统为例,讨论了层间作用和线度对系统电子势能变化规律的影响。结果表明：与比不考虑层间作用的情况相比,层间作用的存在,使封闭型球系统的电子势垒平均高度有所降低,而开放型的电子势垒平均高度有所增高;层间作用愈大,电子势垒高度降低（或增高）得愈多,电子势能曲线起伏愈大。系统内核的线度愈大,电子势能曲线起伏愈小,电子势垒高度降低（或增高）得愈小,层间作用的影响也减小。     

纳米HgS/聚苯乙烯复合材料的制备及其光学性质研究

以醋酸汞和硫代乙酰胺(TAA)为原料,采用化学共沉淀的方法在聚苯乙烯(PS)溶液中制备出分散均匀的纳米硫化汞与聚苯乙烯的复合物.利用X线衍射(XRD)、电子能谱(EDS)、透射电子显微镜(TEM)技术对样品的结构和形貌进行了表征,通过红外光谱(FT-IR)研究HgS和聚苯乙烯之间的相互作用,结合紫外可见光谱(UV-vis)和荧光光谱(PL)的测试研究纳米晶的发光性能.结果表明:合成的复合材料中HgS直径在15 nm以下,为立方闪锌矿构型,纳米晶和基质之间存在强的相互作用力.此外,该复合材料还表现出良好的光学性能.     

层间互作用势对HgS/CdS柱状超晶格电子能带结构的影响

给出了柱状超晶格层间互作用势随径向的变化关系,用微扰法求出了考虑层间互作用情况下HgS/CdS柱状超晶格电子能带结构,讨论了层间相互作用对电子能带结构的影响.结果表明:考虑层间相互作用后HgS/CdS柱状超晶格中电子仍具有能带结构,且能带宽度随势垒宽度的减小而增大,而禁带宽度则相反.内层介质半径增大时,能带宽度将增大,而禁带宽度将减小;层间作用的存在使能带结构向上移动,而带宽稍有增大,禁带宽度稍有减小.     

金属硫化矿物交代反应的电位序

本文根据金属硫化矿物-水系热力学平衡原理,探讨了金属硫化矿床氧化带中所发生的电化学作用,提出了金属硫化矿物交代反应的电位序:HgS→Ag_2S→Cu_2S→CuS→Cu_5FeS_4→CuFeS_2→FeS_2→CdS→PbS→Bi_2S_3→ZnS→NiS→CoS→FeS→MnS。硫化矿床氧化带所揭露的大量实际地质资料可用该电位序得到圆满解释。     

硫化镉,纳米硫化锌,硫化汞,氧化汞的合成

本文在室温固相化学反应法的基础上使用了表面活性剂,使合面条件降低,合成方法完善.在温和的条件下,制备出了粒度小于100纳米的硫化镉、硫化锌、硫化汞、氧化汞.     

空心CdS纳米晶的合成及发光性能研究

以氯化镉和硫化钠为原料,在水相体系中合成CdS纳米晶,通过透射电子显微镜观察发现,在100℃下合成的CdS纳米晶具有空心结构,粒径为20～30nm,且壁厚均匀,约为3～5nm;在70℃下合成的CdS纳米晶为实心结构,粒径约为20nm,存在较严重的团聚现象.紫外-可见吸收光谱表明：空心CdS纳米晶的吸收波长与实心CdS纳米晶相比蓝移136.74nm,这表明其禁带宽度增大0.11eV.光致发光光谱表明：空心CdS纳米晶的表面缺陷态发射较实心CdS纳米晶有所增强,这是其存在内表面的结果.     

CdTe/聚乳酸纳米杂化材料的制备及其荧光性能

以十二烷基胺(DDA)为表面修饰剂,将巯基水相法合成的CdTe纳米晶转移至有机溶剂三氯甲烷中,然后采用“物理共混法”实现了CdTe/聚乳酸(CdTe/PLA)纳米杂化材料及其透明荧光膜的制备.通过紫外-可见光谱仪(UV -vis)、荧光(PL)、紫外透射反射分析仪等表征方法考察相转移前后CdTe纳米晶的光学性能,并系统研究了CdTe/PLA纳米杂化材料的荧光性能.结果表明:相转移后CdTe纳米晶的粒径未发生明显变化,其量子产率却提高了;所制备的CdTe/PLA纳米杂化材料具有优越的荧光性能,CdTe纳米晶在聚合物中仍然保持良好的分散性和较好的量子尺寸效应.     

Preparation, characterization and thermal behavior of silver behenate nanocrystals

TO PROVIDE A VISIBLE IMAGE, CONVENTIONAL WET PROC- ESSED PHOTOGRAPHIC IMAGING MATERIALS REQUIRE THE PROC- ESSING IN AQUEOUS BATH SUCH AS DEVELOPING AND FIXING[1].BY CONTRAST, THERMOGRAPHIC OR PHOTOTHERMOGRAPHIC MA- TERIALS PROVIDE USERS WITH A SIMPLE AND …     

Performance and Reliability of Multilayer Silicon Nanocrystal Nonvolatile Memory

Nonvolatile memories (NVMs) with triple layers of silicon nanocrystals were fabricated with conventional CMOS technology.This paper explores the program/erase performance and reliability of NVMs with three layers of nanocrystals.The results indicate that the nanocrystals in the triple-layer nanocrystal NVM (NCNVM) are difficult to fully charge during the programming process.The programming speed of the triple-layer NCNVMs is quicker than that of single-layer NCNVMs,which means that the second and third layers of nanocrystals in the triple-layer NCNVM affect the charge of the first layer nanocrystals.Reliability tests show that the memory window has little degradation after 1×104 cycles.     

低温固相合成形貌和晶相可控的CdS纳米晶

用表面活性剂为形貌控制剂,通过低温固相反应成功制备出具有不同晶相和形貌的CdS纳米晶.研究结果表明,在反应过程中,表面活性剂所形成的结构对最终纳米晶的形貌起着决定性的作用.若以表面活性剂聚氧乙烯9醚为形貌控制剂,则所制备的产物为立方晶系的β-CdS球形纳米粒子,纳米粒子的直径为5-15 nm;而用聚乙二醇400为形貌控制剂时,则所制备的产物为六方晶系的CdS纳米棒,纳米棒的直径为20-80 nm、长度为100-400 nm.用X射线粉末衍射和透射显微镜技术对所制备纳米晶的成分、晶相、形状和尺寸进行了表征分析.对不同形貌CdS纳米晶的形成机理作了深入的讨论,提出了CdS纳米棒的表面活性剂软模板诱导自组装生长机理.     

上转换材料NaYF4∶Er3+,Yb3+纳米晶的制备

采用溶胶 凝胶法合成NaYF₄∶Er³⁺,Yb³⁺纳米晶. 在980 nm红外激光照射下, 肉眼可观察到明亮的上转换发光; X射线粉末衍射（XRD）结果表明, 该纳米晶属于立方晶体结构; 透射电镜（TEM）照片显示, 晶粒为圆球形, 分散性好, 平均尺寸为70 nm, 符合生物标记过程中对材料的要求. 用荧光光谱仪记录了该上转换光谱, 并对发光机理进行了探讨.