单温区管式炉气相输运生长NbSe_2超导单晶

化学气相输运(CVT)生长单晶通常采用双温区管式炉。利用普通单温区管式炉中的温度梯度实现了化学气相输运,并成功生长出了Nb Se2单晶。运用扫描电子显微镜,X射线衍射仪等方法对制备的Nb Se2单晶进行了形貌和结构的表征,并测量了低温下Nb Se2单晶的磁化率和电阻性质。结果表明,实验上生长出来的Nb Se2单晶具有金属光泽,晶体尺寸约为2 mm×2 mm,超导转变温度和转变宽度分别为7.1 K和0.3 K,超导体积分数约为79%。因此,单温区管式炉生长晶体的方法也可用于其他功能材料单晶的制备。     

大尺寸YBa_2Cu_3O_(7-δ)单晶的生长及其超导电性

1 引言自从Bednorz和Muller发现高温超导体以来,Y-Ba-Cu-O体系的研究取得了重大进展。YBa_2Cu_3O_(7-δ)单晶的生长及其结构和物性的研究已受到人们广泛的重视,特别是生长高质量,大尺寸的YBa_2Cu_3O_(7-δ)超导单晶更是如此。至今,国际上仍未见较大尺     

零电阻温度为110K的Bi-Sr-Pb-Ca-Cu-O超导材料的制备与研究

采用固相反应法制备含Pb的Bi-Sr-Ca-Cu-O新体系超导块材,超导电性与热处理工艺密切关联。在液氮温区以上体系存在Tc为110K和85K两个超导相。寻求最佳工艺条件可获得稳定性较好的零电阻温度为110K的块状样品。     

BSCCO系高温超导体工艺及性能研究

Bi-Sr-Ca-Cu-O新体系高温超导体,其超导转变温度高,不含稀土元素.且与稀土类元素相比价格低廉、性能稳定,又比Tl-Ba-Ca-Cu-O材料安全简便,它的发现为高温超导材料的研究开辟了一个新方向. Bi-Sr-Ca-Cu-O(简称BSCCO)氧化物超导体的制备方法很多,诸如固相反应烧结法、熔融浇铸法,还可和热压烧结法、熔融织构法,而最普遍和简便的是固相反应烧结法.本文以BSCCO体系的固相反应烧结制备工艺及性能进行研究.     

铁基超导体隧道结的构筑和约瑟夫森效应研究

作为超导体中最重要的物理特性之一,约瑟夫森效应不但是超导电子学应用的基础,同时也在基础研究中有着重要的价值.本文针对铁基超导的两个体系:KCa₂Fe₄As₄F₂和FeSe_0.5Te_0.5,开展了约瑟夫森效应研究.利用导电层-绝缘层-导电层交替堆叠的结构特点及其导致的强各向异性,对KCa₂Fe₄As₄F₂单晶c方向的电输运行为进行了探究.通过微纳加工等手段,成功降低了样品的尺寸和临界电流,从而大大减小了热效应对测量的影响,最终通过基于超导电子隧穿的A-B方程拟合临界电流随温度的变化行为获得了超导能隙方面的信息,并且观察到了临界电流随面内磁场周期性振荡的超导量子衍射行为,证明了该体系中本征约瑟夫森效应的存在.另外,利用机械剥离的方式制备了超薄FeSe_0.5Te_0.5单晶的约瑟夫森隧道结,并获得了其临界电流随温度和磁场的变化行为.分...     

高温超导薄膜射频溅射靶的简便制作

本文报导了一个极其简便的高温超导薄膜溅射靶的制作方法。并制得可控制名义组分的Bi-Sr-Ca-Cu-O的超导薄膜,其T_(CM)温度为84K,零电阻温度为60.3K。     

高灵敏显色剂四苯基叶啉测定超导薄膜中微量铜的研究

本文报导了用自制的高灵敏显色剂四苯基叶啉与微量铜的显色反应条件,并应用于超导薄膜Bi-Sr-Ca-Cu-O的铜测定。常见的31种离子不干扰铜的测定。其方法回收率及相对标准偏差均获得满意的结果。     

pH值对液相合成YVO4及Tm∶YVO4晶体原料的影响

经过X射线粉末衍射和红外光谱测定比较 ,提出了液相合成YVO4 及Tm∶YVO4 的最佳条件 ,应将溶液的 pH值控制在 7左右 .使用该法合成的原料用提拉法可成功地生长出 10mm× 2 0mm～ 35mm× 4 0mm的大尺寸优质单晶 ,而且剩料经多次使用仍可生长出优质单晶     

Bi_(2-x)Pr_xSr_2Ca_2Cu_3O_y超导体的研究

本文报导在零电阻温度为83K的Bi-Sr-Ca-Cu-O超导体中以不同含量Pr替代Bi的样品制备工艺、超导性能测试、X射线衍射及电镜的测量。测试表明Bi_(2-x)z Pr_x Sr_2 Ca_2 Cu_3 O_y中的Pr的摩尔含量x<0.2时样品的T_c在77K以上。这些样品随Pr含量的增加晶胞常数b,c有所增大,而a略有减小趋势。     

助溶剂法生长Bi_4Ti_3O_(12)单晶的形貌和缺陷研究

采用助溶剂缓慢降温自发成核法生长钛酸铋Bi4Ti3O12(BIT)单晶,晶体呈淡黄色,尺寸达到40mm×20mm×0.4mm。BIT单晶(001)面生长速度最慢,其(001)面成为热力学上稳定存在的自然显露晶面。在光学显微镜下观察到BIT晶体中出现的两种缺陷:包裹体和枝晶,对其形成的机制进行分析并提出了减少和消除缺陷的相应措施。用光学显微镜对BIT单晶的90°电畴结构进行了较好的观察和分析。     

122型铁基超导材料晶体结构探析

基于第一性原理的密度泛函理论(DFT),采用全势线性增强平面波结合改进的局域轨道方法(APW+lo)和一般梯度近似(GGA),对122型铁基超导体系的AeT2Pn2化合的结构、能量、磁矩、电子能带和电子态密度进行了计算和分析.研究AeT2Pn2体系的超导温度同晶格中的键长,键角,磁性,电子能带和电子态密度之间的关系,从这类体系的晶格结构层面给出了对提高超导温度有利的几个因素.结果表明,相对于122型的其他体系具体而言,BaFe2As2系列材料的超导温度相对较高.     

一水甲酸锂单晶的培养

用水溶液降温法生长了光学优质的一水甲酸锂大单晶，尺寸约为３．５ｃｍ×４ｃｍ×５ｃｍ．给出 了一甲酸锂单晶体透光率和二次谐波相位匹配的实验结果．     

萃取浮选光度法测定Bi—Sr—Ca—Cu—O超导薄膜中的铋

研究了用萃取浮选光度法测定铋的各种条件,还试验了常见离子对本法的影响.研究发现:0～20μg/25ml 的铋符合比耳定律,络合物组成比铋∶茜素虹S∶亮绿为1∶3∶3,平均摩尔吸光系数为2.02×10~5.方法用于Bi-Sr-Ca-Cu-O 超导薄膜中的铋的测定,获得了较为满意的结果.     

硫酸锂大单晶生长的研究

本文报导了适应高温蒸发法要求、能自动控制蒸发量的恒温育晶设备;并对硫酸锂单晶生长中原料纯化、晶种的选取和安置、溶液状态、过饱和度的控制、晶体缺陷(主要是炸裂)的发生规律等问题进行了研究;解决了抑制杂晶生长,防止晶体炸裂等问题,找到了培养硫酸锂大单晶的最佳条件,生长出外形完整,光学均匀性好的硫酸锂大单晶,尺寸达50×110×45(mm),重三百多克,测试结果与国外文献报导相符,提供有关单位使用,效果良好。     

Tl-2212,2223相超导单晶的制备与光学性质

本文对采用自助熔剂法生长的T1-2212,2233单晶的结构进行了分析,并对其超导特性、调制光谱和光致发光谱进行了研究。     

N-乙基壳聚糖的单晶

用光固化法制备N—乙基壳聚糖／聚丙烯酸复合膜．在复合膜中观察到单晶和悬挂着单晶片的微纤．单晶的长和宽约为300-400nm，比常见的品粒尺寸小得多．与通常单晶的极稀溶液制备条件不同，该单晶是在复合膜中形成的．水的诱导结晶作用和体系的高浓度形成了一种几乎是无限缓慢的结晶条件，单晶正是由于这样条件才能得以形成。     

Te自助熔剂定向凝固法生长CdTe晶体

碲化镉(CdTe)晶体是一种制造室温X射线和γ射线探测器最为理想的半导体材料,在医学、食品、安检、核废料监测等应用领域前景广阔。采用一种Te自助溶剂定向凝固技术生长CdTe晶体,在区熔温场及坩埚旋转系统的综合作用下,获得了平坦状的理想固液界面形貌。生长?25 mm的CdTe晶体横截面单晶区域面积可达70%,从?56 mm的CdTe晶体中可截取尺寸达15 mm×15 mm×3 mm的单晶,电学测试表明CdTe晶体在未掺杂改性条件下电阻率达10~8Ω·cm。红外透射显示,CdTe晶体中包含尺寸范围为1～20μm的Te夹杂,这是CdTe单晶生长过程中出现的主要微观缺陷。该工作取得的相关成果对未来CdTe晶体生长技术发展具有一定参考价值和借鉴意义。     

T1-2212，2223相超导单晶的制备与光学性质

本文对采用自助熔剂法生长的T1-2212，2233单晶的结构进行了分析，并对其超导特性，调制光谱和光致发光谱进行了研究。     

掺Si对Bi-Pb-Sr-Ca-Cu-O体材料的超导电性和微结构的影响

自从Maeda等人发现Bi-Sr-Ca-Cu-O材料的超导电性以来,Bi系体材料和薄膜材料的研究已取得了重大的进展。为了实际应用的需要,直接在Si或SiO_2衬底上制备Bi-Sr-Ca-Cu-O膜是很必要的,因此需要知道Si对Bi系材料超导电性的影响。本文报道了掺Si对Bi-Pb-Sr-Ca-Cu-O体材料的超导电性的影响的初步研究结果。     

超导膜的临界电流

基于文献[2]所求得的补偿方程和矢势解,研究了T_c附近超导膜的临界电流,特別是討论了两种非局域性——穿透非局域性和尺寸非局域性在超导膜电流效应中的作用。