等效法测二极管伏安特性电路的改进

在分析了等效法测量二极管伏安特性电路存在的不足的基础上,提出电路的改进方法,并实测了2AP9二极管的伏安特性曲线.     

有关“二极管特性曲线测定”实验的讨论

普通物理实验教材中,对“二极管特性曲线测定”实验未加讨论直接采用了Ｉｄ＝Ｉｅ（ｅｘｐ（ｅＶ／ｋＴ）－１）的解析公式,要求由实验结果求出指数ｅ／ＫＴ,从而求出电子电荷ｅ,或波尔兹曼常数ｋ,并和理论值比较,考察实验误差。这种要求由于实际结果偏离解析公式较大,因而不尽合理,本文讨论了有关实验结果,并对上述结论作了必要的说明,最后建议对该实验的要求作合理的调整,即要考察Ｖ－Ａ的一般关系。     

用CCD分析钨——镍二极管的辐射特性

本文介绍了利用ＣＣＤ线阵器件对特制的钨－－镍二极管辐射特性进行测试与分析的工作，这项工作不仅为在大学物理实验教学中开设黑体辐射创造了条件，而且为分析物体的辐射牧场生提供了一种光电图象的新方法。     

自然光照条件下硅光电池组件伏安特性

本文给出了利用DS—125型光电池(阵)户外特性测试仪测得的自然光照条件下硅光电池组件的伏安特性。对同类产品在自然光照下和人工模拟光照下测得的电性能进行了比较。同时也对单晶硅和多晶硅两类不同晶体硅组件在两种不同测试条件下获得的结果进行了比较。 作者认为,由于模拟光下测得的光电池组件输出比自然光照下的输出值为大,因此,若以模拟光照条件下的峰瓦值来确定光电系统的容量时,应考虑1.10—1.20的修正系数。     

循环伏安法实验数据采集及处理系统

编制了一个循环伏安法数据采集及处理系统,程序使用ＴｕｒｂｏＣ２．０语言在Ｄｏｓ６．２２操作系统图形环境下编写调试,采用全中文会话方式,能够准确采集电压信号,具有自动求取相关电化学参数,屏幕图形的动态跟踪显示,显示比例的自动调整,图形及有关数据打印输出等功能,可用于科研和教学中循环伏安实验的数据采集和处理。     

夫兰克--赫兹实验曲线的分析

本文就夫兰克－赫兹实验的曲线，作了较为详尽的补充分析。指出IA－VKG曲线的峰间距为4.9V，不是最低激发态到基态间跃迁的能量，此峰间距并非定值，与具体的实验条件有关。     

GaN分子光谱特性及其势能曲线的理论研究

采用从头计算组态相互作用方法研究了GaN分子的基态和较低的电子激发态的势能曲线,通过数值求解分子的原子核运动薛定谔方程,获得了束缚电子态的光谱参数.对GaN分子光谱参数研究的结果可为以后的实验研究提供理论支持.     

碳糊电极阳极吸附伏安法测定利福平

在0.40mol/L的HAc-NaAc(pH4.9)缓冲液中,利福平在碳糊电极(CPE)上有一灵敏的吸附氧化峰,峰电位为0.86V(vs.SCE).该氧化峰的二阶导数峰电流与利福平的浓度在1.0×10-8~2.0×10-6mol/L(富集60s)范围内成良好的线性关系,相关系数为0.998,检出限为5.0×10-9mol/L(S/N=3,富集90s),探讨了利福平在碳糊电极上的伏安性质和电极反应机理,并且成功应用于人体尿液中利福平含量的测定.     

负荷特性对PV曲线的影响及追踪PV曲线的直接迭代算法

分析负荷特性对复杂系统等值PV曲线的影响,认为负荷特性及电源出力增长规律影响PV曲线;并分析追踪PV曲线的计及负荷特性广义潮流直接迭代算法.仿真分析结果表明该算法无需增加附加方程,能方便地分析负荷特性对电压稳定的影响,计算效率高.     

低温二极管的计算机模拟及分析

在通用半导体器件模拟软件ＰＩＳＣＥＳ（版本为９００９Ｉ，ＳｕｎＯＳ４．１（Ｚｈｉｐｉｎｇ））的基础上，修改了模型方程，加进了低温参数模型，成功地开发和编制了适于低温半导体器件模拟软件ＳＥ－ＰＩＳＣＥＳ，模拟了７７Ｋ下二极管的稳态特性、瞬态特性和交流小信号分析，并将模拟结果和３００Ｋ下的作了对比分析。     

利用差示脉冲伏安法研究水杨酸分子印迹聚合物吸附特性

以水杨酸为模板分子,丙烯酰胺为功能单体,乙二醇二甲基丙烯酸为交联剂合成了水杨酸分子印迹聚合物.在B-R缓冲溶液中,采用差示脉冲伏安法研究了水杨酸分子印迹聚合物吸附性能,平衡结合实验结果表明,水杨酸分子印迹聚合物的吸附量明显大于非印迹聚合物NIP的吸附量.选有与水杨酸分子结构类似的对羟基苯甲酸研究水杨酸分子印迹聚合物对水杨酸的选择性,表明此水杨酸分子印迹聚合物对水杨酸的吸附量总是大于对对羟基苯甲酸的吸附量,水杨酸分子印迹聚合物对水杨酸具有良好的选择性.     

盐酸氯丙嗪在碳纤维电极上伏安行为研究

通过循环伏安法,研究了盐酸氯丙嗪在不同的pH底液条件下在碳纤维电极上的氧化还原性质,得出了底液pH值与盐酸氯丙嗪的氧化峰电势及峰电流之间的关系,确定了碳纤维电极上伏安法检测盐酸氯丙嗪的最佳实验条件．     

半导体伏安行为的计算机模拟

推导了适用性广泛的有关半导体在氧化还原对溶液中的伏安行为的数学表达式,利用计算机FORTRAN语言计算了表达式中出现的表征浓差极化的定积分的数值解.然后,用最小二乘法对用M351-1腐蚀综合测试仪测得的不锈钢彩色膜的伏安曲线进行了曲线拟合,求得了表观传递系数.并由此表观传递系数利用文中推得的表达式求得了过电位在彩色膜和Helmholtz层之间的分配系数.     

铀-棓酸丙酯配合物的溶出伏安行为

用线性电位扫描伏安法对铀(Ⅵ)-棓酸丙酯配合物的溶出伏安行为进行了研究,指出其体系的伏安行为具有配位性、吸附性和电极反应的不可逆性,测定了12个重要的物理化学参数,初步推导了整个电极反应的历程。