铁电液晶的非线性和动态响应

研究了双手性分子铁电液晶３Ｍ２ＣＰＯＯＢ的非线性光学性质。实验发现这种材料具有很大的自发极化强度（〉１０＾－３Ｃ／ｍ＾２），较易获得相位区配及二次谐波的输出。测得二阶非线性光学系数、二次谐波强度与温度和液晶盒厚度的关系。在阶梯电场作用下，二次谐波强度动态响应为几百微秒到几百毫秒。     

CO在NiO（100）表面吸附的DV—Xα研究

采用ＳＣＣ－ＤＶ－Ｘα嵌入簇模型方法，研究了ＣＯ／ＮｉＯ（１００）吸附体系。比较表面电场作用与轨道作用对ＣＯ性质的影响，并考虑到ＢＳＳＥ校正，对ＣＯ在ＮｉＯ（１００）面上的吸附行为有了较深入的认识。计算结果表明，ＣＯ以Ｃ端垂直吸附阳离子吸附位；Ｏ与表面的作用主要为静电作用，表面电场作用是使得吸附态ＣＯ的ＩＲ峰蓝移的原因。     

CO在NiO（100）表面吸附的DV－Xα研究

采用ＳＣＣ－ＤＶ－Ｘａ嵌入簇模型方法，研究了ＣＯ／ＮｉＯ（１００）吸附体系。比较表面电场作用与轨道作用对ＣＯ性质的影响，并考虑到ＢＳＳＥ校正，对ＣＯ在ＮｉＯ（ｌ００）面上的吸附行为有了较深入的认识。计算结果表明：ＣＯ以Ｃ端垂直吸附于表面阳离子吸附位；ＣＯ与表面的作用主要为静电作用，表面电场作用是使得吸附态ＣＯ的ＩＲ峰蓝移的主因。     

过渡塑性相工艺制造Ti-B-C复合陶瓷材料

给出了以ＴｉＨ２和Ｂ４Ｃ为原料通过过渡塑性相工艺（ｔｒａｎｓｉｅｎｔｐｌａｓｔｉｃｐｈａｓｅｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ）制备Ｔｉ－Ｂ－Ｃ复合陶瓷材料的方法。同时进行了ＴｉＨ２－Ｂ４Ｃ体系和Ｔｉ－Ｂ４Ｃ体系的对比实验，结果表明，ＴｉＨ２在８００℃以下分解获得高性能的Ｔｉ粉和Ｂ４Ｃ发生了如下反应：（３＋ｘ）Ｔｉ＋Ｂ４Ｃ→２ＴｉＢ２＋（１＋ｘ）ＴｉＣ１１＋ｘ（０≤ｘ≤１）。在相同条件下以ＴｉＨ２作为过渡塑性相的ＴｉＨ２－Ｂ４Ｃ体系比Ｔｉ－Ｂ４Ｃ体系具有优越的烧结性能，在１６００℃时热压烧结４ｈ可以获得高性能的ＴｉＢ２－ＴｉＣｘ复合陶瓷材料（断裂韧性为７．７ＧＰａｍ１／２，抗弯强度为７６５ＭＰａ）。还利用Ｘ衍射和扫描电镜对这种材料的显微结构进行了研究。     

PbI2—PbBr2—KCl系统玻璃的形成及其析晶行为

ＰｂＩ２可以单独形成玻璃。ＰｂＩ２－ＰｂＢｒ２－ＫＣｌ三元系统玻璃具有良好的玻璃形成能力。通过恰当的热处理，不仅可获得透红外性能与原始玻璃一致的微晶玻璃，同时还克服自发析晶倾向和大幅度地提高玻璃的显微硬度。以此三元系统为基础，有望开发出一类具有实用前景的透红外玻璃材料。     

BCI—代数的分解定理

本文首先证明了ＢＣＩ－代数同态的泛性质，通过泛性质证明了ＢＣＩ－代数的分解定理，并利用分解定理证明了ＢＣＩ－代数的短四引理，获得的有关结果是文相应定理的深化与发展。     

PbI_2－PbBr_2－KCl系统玻璃的形成及其析晶行为

ＰｂＩ_２可以单独形成玻璃。ＰｂＩ_２－ＰｂＢｒ_２－ＫＣｌ三元系统玻璃具有良好的玻璃形成能力。通过恰当的热处理，不仅可获得透红外性能与原始玻璃一致的微晶玻璃，同时还可克服自发析晶倾向和大幅度地提高玻璃的显微硬度。以此三元系统为基础，有望开发出一类具有实用前景的透红外玻璃材料。     

BCI—代数外直积的伴随半群到BCI—代数的伴随半群外直积的同态

给出了ＢＣＩ－ 代数外直积的伴随半群到ＢＣＩ－ 代数的伴随半群外直积的一个单同态,证明了这两个半群的最大子群是同构的,并且讨论了其广义ａ－ 结合部分外直积的伴随半群与其广义ａ－ 结合部分的伴随半群外直积的关系。     

AlEt_2Cl／t－BuCl引发α－蒎烯阳离子聚合

考察了ＡｌＥｔ_２Ｃｌ／ｔ－ＢｕＣｌ引发体系的α－蒎烯阳离子聚合反应行为。结果表明，ＡＩＥｔ_２Ｃｌ单独不能引发α－蒎烯聚合，与ｔ－ＢｕＣｌ复合后才具有引发活性，其引发活性随ｔ－ＢｕＣｌ／ＡｌＥｔ_２Ｃｌ的不同而变化，质谱分析表明α－蒎烯聚合产物中存在ｔ－ＢｕＣｌ残基（ＣＨ_３）_３Ｃ，证明ｔ－ＢｕＣｌ参与了链的引发反应。进一步实验还表明，ｔ－ＢｕＣｌ与ＡｌＥｔ_２Ｃｌ相互作用除生成活性物质ＢｕＡｌＥｔ_２Ｃｌ_２外，还有烷基化的产物ＡｌＥｔＣｌ_２，ＡｌＣｌ_３生成，聚合反应条件及引发剂加料方式对α－蒎烯转化率及聚合产物组成都有影响。     

Γ～环的Brown～McCoy性质

若Γ一环的所有同态象的素根与Ｂｒｏｗｎ－－ＭｃＣｏｙ根一致，则称此Γ一环是ＢｒｏｗｎＭｃＣｏｙΓ一环，证明了Ｂｒｏｗｎ－－ＭｃＣｏｙ环的各种性质对Ｂｒｏｗｎ－－ＭｃＣｏｙΓ－－一环也成立．建立Γ一环Ｍ，Γｎ，ｍ一环Ｍｍ，ｎ及Ｍ的左算手环Ｌ的Ｂｒｏｗｎ－－ＭｃＣｏｙ性质之间的关系．     

电网络矩阵分析法的场论

本文用非图论的场论方法,推导电网络矩阵分析中七种方法的全部基本矩阵方程及其主要关系,从而给出电网络矩阵分析法的场论.     

分子（HX，X=F，CI，Br）的电学性质的全相对论研究

基于全对称群的Dirac方程,研究分子（HX,X=F,C1,Br）的电学性质,即偶极矩,四极矩,电场梯度和极化率及其随频率的变化．对这种轻元素分子的相对论和非相对论的能量差,即相对论效应随原子质量的增加仍然很快．偶极矩的电荷平衡分布,HF的差别最大,而对四极矩的电荷平衡分布,则HBr的差别最大．电偶极矩的一级近似是主要部分,电四极矩为二级近似则为次要部分．本文首次将力常数与电场梯度联系起来,因为从本质上讲,力常数是直接原因于电场梯度,而间接与光谱常数有联系,所以可由电场梯度可以计算分子的二阶力常数和谐振频率,对分子HF,HC1,HBr,其计算值与光谱值相合．计算所用的频率的数量级在108Hz范围,即在很低的射频区．极化率不应随频率而变化,但是,由于存在核自旋,如H核和F核的核自旋I均为1／2,C1和Br核的核自旋I均为3／2,都会产生核磁场．所以,对HF,HCl和HBr分子,极化率都随频率而增加;而对。He原子,无核自旋,亦无核磁场,所以极化率不随频率而变化．     

单层有机发光二极管中电场与载流子密度的分布

建立了单层 (有机发光二极管 )中载流子注入、输运和复合的理论模型 ,通过求解非线性Painleve方程得到了电场强度随坐标变化的解析函数关系式 ,计算并讨论了载流子迁移率对电场强度、载流子密度等的影响。结果表明 :空间电荷分布不均匀造成了电场强度的不均匀分布。当在器件中占主导地位的载流子具有较低的迁移率或少数载流子具有较高的迁移率时 ,有利于载流子的输运与复合 ,发光性能可得到较大提高。     

电偶极子激发的电场

分析电偶极子产生的电场,对于研究电介质的极化;电介质中的电场以及电磁波的辐射等具有重要作用.本文讨论了几种不同情况下电偶极子在空间激发的电场问题.     

脉冲电场致细胞膜电穿孔的机理分析

从膜分子的角度,采用昂沙格有效电场分析外加脉冲电场作用对膜分子电势能和运动状态的影响,对脉冲电场致细胞膜电穿孔的机理做出解释.     

静电场场位关系的分析

本文分析了静电场中电场强度与电势的两种关系,给出确定静电场中电场强度的简便方法.     

含复折射率缺陷的一维线性函数光子晶体的电场特性

用传输矩阵法计算光在掺杂金属缺陷的线性函数光子晶体中的电场分布, 考察缺陷层位置、 层数以及光子晶体半周期数对电场分布的影响, 并与不含缺陷的结构进行比较. 结果表明, 有缺陷光子晶体的电场分布强度明显增强.     

位于导电媒质中的平行板电容器

本文给出位于寻电媒质中充电平行板电容器内的电磁场分布情况、结论是:虽然板间电场随时间按指数规津衰减、但磁汤为零,电容器放电过程中,电场能的减少全部转化为导电媒质的焦耳热。     

星载电场仪的电场测量方法

空间电场是研究空间天气学和空间环境的一个重要参量,它与空间磁场监测相辅相成。本文详细评述了国外星载电场仪的电场测量方法。首先简述了空间电场测量在空间天气学应用研究方面的重要性和发展状况及趋势;针对国外不同卫星搭载的电场仪,讨论了空间电场的两种主要测量方法——双探针电场测量法和电子漂移电场测量法,指出了其工作原理、特点、使用范围和局限性;最后,对比这两种测量方法,并展望了星载电场仪的使用前景,这些对中国刚刚起步的星载电场仪研究是非常重要的。     

电偶极子的场及辐射

采用了镜像法等方法对电偶极子及其产生的静电场、电磁场及辐射等做了较系统和深入的分析、研究,使分析方便、简化,推出的结论有一定实际指导意义。