内切环介观结构中的电子输运特性

采用一维量子波导理论，在给定节点处波函数的边界条件情况下，研究内切环介观结构中的电子输运特性．研究结果表明，电子透射几率随内环半径以及内外环半径差的改变均做周期性振荡。     

内含一个气泡介观环的电子输运性质

采用介观结构中一维量子波导理论，在给定节点处波函数的边界条件情况下，研究了内含一个气泡的介观环结构的电子输运特性。结果表明，在这一介观结构中，反共振（T=0）现象在零极对称传输振幅中得到很好的描述，并且电子透射几率随环半长以及气泡半长的改变均做周期性振荡．     

电子—声子相互作用对金属介观环中持续电流的影响

在连续模型中研究了电子－声子相互作用对一维金属介观环中由磁通Φ诱发的持续电流的贡献．持续电流随磁通Φ的变化具有周期性．周期为磁通量子Φ０＝ｈ／ｅ．研究表明,电子－声子相互作用不仅降低系统能量而且对持续电流有抑制作用．持续电流与系统中的电子数（Ｎ）有明显的依赖关系．当（Ｎ）增加到足够大时,持续电流趋于零．     

内含两个气泡介观环的电子输运

采用介观结构中一维量子波导理论,在给定节点处波函数的边界条件情况下,研究了内含两个气泡介观环结构的电子输运特性.结果表明电子的透射系数随外环半长及两个气泡半周长的改变均做周期性振荡.     

量子环上双电子激发态的研究

研究外加电场以及荷电杂质电场对量子环上双电子激发态的影响.结果表明:激发态对含有双电子的量子环中的能谱和持续电流具有控制作用,在某些情况下相邻能级和持续电流的振幅可增至几个数量级.该结论对于设计和研制微器件具有指导意义.     

双势垒异质结构中自旋相关的散粒噪声

利用Landauer-Büttiker散射理论和传递矩阵方法研究了两端具有铁磁接触的双势垒异质结构(F/DB/F)中自旋相关的散粒噪声。计算结果表明:电流和散粒噪声随阱宽的增加发生周期性的振荡,随着垒厚的增加产生了明显的相位差,与自旋向上电子相比,垒厚对自旋向下电子的电流和散粒噪声影响更大。Rashba自旋轨道耦合强度的增加加大了电流和散粒噪声的振荡频率。偏压的增加减小了电流和散粒噪声的振荡频率,增大了电流和散粒噪声的峰谷比和峰值。电流和散粒噪声随自旋轨道耦合强度和偏压的变化强烈依赖于两铁磁电极中磁化方向的夹角。     

四终端铁磁/半导体/铁磁异质结的自旋输运性质

提出了含有δ势垒的四终端铁磁/半导体/铁磁异质结模型,研究了该模型透射概率的性质.结果表明:透射概率随半导体长度的增加产生周期性振荡,且与δ势垒强度及电子的自旋方向相关,Rashba自旋轨道耦合强度、外磁场对透射概率均有影响.     

1维格子组成环形带绝缘体上的持续电流

通过磁通的介观正常金属环存在持续电流.最近,有人指出在由能带绝缘体制成的环中也存在持续电流,持续电流是由完全占满价带的电子产生的.用环形1维格子的布洛赫态组成1维环的电子态的方法,研究了环形能带绝缘体组成的环里的持续电流,推导出了由任意价带的绝缘体组成的1维环中的持续电流.     

半导体纳米环中激子的磁场效应

在有效质量近似下,采用矩阵对角化方法,研究了半导体纳米环中激子的磁场效应.研究发现半导体纳米环中激子的谐振子强度随磁通变化呈现Aharonov-Bohm振荡,振子强度的振幅随纳米环的半径增加而减少.讨论了线性、三阶非线性和总光学吸收系数随环半径和磁通的变化关系,结果表示半导体纳米环中激子的光吸收随磁通的变化显示Aharonov-Bohm效应.     

半导体纳米环中激子的磁场效应（英文）

在有效质量近似下,采用矩阵对角化方法,研究了半导体纳米环中激子的磁场效应.研究发现半导体纳米环中激子的谐振子强度随磁通变化呈现Aharonov-Bohm振荡,振子强度的振幅随纳米环的半径增加而减少.讨论了线性、三阶非线性和总光学吸收系数随环半径和磁通的变化关系,结果表示半导体纳米环中激子的光吸收随磁通的变化显示Aharonov-Bohm效应.