In_(1-x)Al_xAs/GaAs一维超点阵结构的X射线衍射和Raman散射研究

用同步辐射和 Cu Kα X射线衍射方法对 In1 - x Alx As/ Ga As一维超点阵结构进行对比式研究 .从低角衍射数据求得超点阵的周期Λ ,由 Ga As(0 0 2 )附近衍射数据求得各结构参数 .对两种光源的衍射结果进行了分析和比较 .解释了该超点阵的 Raman散射谱 ,发现在 Ga1 - x Alx As混晶谱中不存在的 2 75 cm- 1 峰 .     

InxGa1-xAs/GaAs超晶格的X射线衍射研究

超晶格材料是用现代薄膜生长技术制成的一种新型材料。自从1970年美国首次在GaAs半导体上制成了超晶格结构后^[1],又研制出GaAs和各种Ⅲ-Ⅴ族化合物超晶格材料,而后Ⅳ-Ⅳ族、Ⅱ-Ⅵ族,以及非晶态半导体超晶格等也相继出现,有一些已经获得实用,制成了重要的微电子和光电子器件。     

拉曼散射和X射线衍射研究InxGa1-xAs材料

使用低压金属有机化学气相淀积(LP-MOCVD)技术,在InP(100)衬底上生长InxGa1-xAs材料.拉曼散射研究材料的结构无序和计算材料的应力,X射线衍射研究InxGa1-xAs的组分、结晶质量、位错密度.拉曼散射可以获得材料表面特性,x射线衍射可以获得材料整体结构信息,即衬底质量,缓冲层的特性,外延层特性.     

Fibonacci准周期超晶格的X-Ray衍射和Raman散射

本文主要简单地介绍了Fibonacci准周期超晶格的结构和性质,并利用X一Ray衍射以及喇曼散射的方法对Fibonacci准周期超晶格进行了观察和分析,实验结果证实了理论上的预言,并使我们对准周期超晶格的性质有了更进一步的理解.     

(CdTe—ZuTe)/ZnTe/GaAs(100)超晶格结构的X射线测定

用X射线衍射,并结合X射线动力学衍射理论模型的计算机模拟方法,对(CdTe-ZnTe)/ZnTe/GaAs(100)应变超晶格材料的结构进行了研究,得到了其结构参数和信息.     

多层结构的X射线双晶衍射研究

用Ｘ射线双晶衍射术研究了玻璃薄层－铂膜－α－Ａｌ＿２Ｏ＿３多层结构。发现不同材料的玻璃层，使多层结构因热失配对铂膜产生不同的应力。对铂薄膜电阻器件的测量结果表明：应力引起器件的电阻值变化；不同的应力状态，产生不同方向的附加电阻。选择适当材料的玻璃层，使热失配在铂膜内产生相反的应力，从而造成相反的附加电阻。以这种应力补偿方法提高了薄膜铂电阻的可靠性。     

聚乙烯电缆皮形变结构的X射线衍射分析

对聚乙烯电缆皮室温单轴拉伸测试。当拉伸速度达到一定数值时,其应力－应变曲线出“类屈服”现象。     

小角X射线散射研究聚丙烯腈预氧丝的微孔结构

利用小角X射线散射（SAXS）技术实现对聚丙烯腈纤维X射线小角散射强度的准确测定,基于X射线小角散射理论,利用逐级切线法,通过计算机数据拟合处理,对不同预氧化温度聚丙烯腈纤维的微孔洞大小、体积百分数进行了定量表征;给出了聚丙烯腈纤维微孔大小、小孔洞所占体积百分数随预氧化温度的变化规律。