用光电导衰退法测量锗中少数載流子的壽命

引言半导体材料中少数载流子~(**)的寿命是一个非常重要的参数,它标志着半导体材料的性能及品格的完整性,而且在半导体器件特別是晶体管的制造时,半导体材料中少子寿命的大小对晶体管的性能有重大的影响。因此半导体材料中少子寿命的测量     

阶跃光激励下半导体的温度变化

建立了阶跃光激励下半导体材料温度变化的一维理论模型.采用本征函数法得到了阶跃光激励下半导体中光生载流子和温度随时间的变化关系,并研究了少数载流子寿命对这种变化的影响.同时,利用阶跃光激励的光热光偏转实验研究了少数载流子寿命不同的半导体样品的光热光偏转信号.实验结果与理论结果符合较好,表明阶跃光激励的光热技术可用于对半导体材料参数进行表征.     

用微波方法测量半导体非平衡载流子寿命

介绍用有哑铃状孔－缝端盖的微波谐振腔测量片状半导体材料非平衡载流子寿命的一种方法．腔体用圆柱ＴＥ０１１模高Ｑ腔,易于更换端盖,可以达到较高的测量精度．实验表明,对同一半导体材料测量得到的有效寿命不因端盖孔－缝的改变而变化,所以可以通过选用孔－缝尺寸不同的端盖,来测量不同电导率的材料,以提高信号幅度,从而提高精度．测量是无接触的,因此无需对样品进行加工．用小的孔－缝端盖还可以用来对半导体材料有效寿命的二维分布进行研究．     

半导体光电化学法测定半导体材料的物理参数

光电化学技术以它许多独特的优点为半导体性能测试提供了一种灵敏、方便,有时是其它方法也难以达到的综合性测试方法,尤其是对多层及异质结构材料多数的剖面分布测量.因此,它已广泛应用于材料性能测试和器件工艺.本文总结了半导体材料特性参数的光电化学测试技术,包括导电类型、p-n结位置、载流子浓度、少子扩散长度、深能级、禁带宽度、材料组份,以及部分参数的剖面分布的测定.介绍了国内外的研究进展.     

非辐射复合对微腔半导体激光器自发发射寿命调制特性的影响

考虑非辐射复合,采用小信号近似方法分析了微腔半导体激光器的自发发射寿命调制。数值模拟结果表明 ,非辐射复合对微腔半导体激光器自发发射寿命调制的调制带宽有一定影响,它可使特定注入电流下的共振峰消除,但由于耗散导致强度响应减弱     

用新的装置测定半导体的产生寿命及杂质浓度分布

研制了一个结构不复杂,但噪声较低、精度较高的电子测试装置。利用它我们就可直接得到Zerbst图,因而测得半导体的体内产生寿命和表面产生速度。除此而外,我们还可用它来绘出半导体掺杂浓度的纵向分布.     

抢占发展先机培育壮大科技产业集群

半导体照明产业是半导体发光技术和传统照明产业相结合的新兴产业，是最具发展前景的高技术产业之一。目前，国内外半导体照明产业发展迅猛。半导体照明技术是光电子产业的核心技术之一。随着第三代半导体材料氮化镓的突破和发光二极管(LED)的问世，半导体照明以其节能、环保和长寿命的优异特点正在引发一场新的产业革命——照明革命。     

半导体光磁电效应与系统的非线性特征

从Shockley-Read统计出发,引入载流子寿命与浓度的相关性,把载流子的输运方程化为了二阶非线性微分方程,用摄动法找到了方程的一阶近似解,并计算了半导体材料的短路电流和光导电流,揭示了大信号情况下半导体光磁电效应的非线性特征.     

圆柱腔TE011模端盖哑铃状孔—缝特性及其应用

介绍用微波谐振腔测量片状介质材料的电导率、介电常数和半导体非平衡载流子寿命的方法．对圆柱腔ＴＥ０１１模端盖上的哑铃状孔－缝的特性进行了研究，指出单个哑铃状孔－缝与ＴＥ０１１模耦合很弱，两个对称的哑铃状孔－缝与ＴＥ０１１模具有较强的耦合，后者可用于小损耗片状介质材料介电常数、半导体材料非平衡载流子寿命等参数的测量．因为测量是无接触的，所以无需对样品进行特殊加工．ＴＥ０１１模品质因数Ｑ值高，因而测量具有较高的精度．     

半导体表面吸附分子的表面增强喇曼散射

本文介绍了半导体材料表面吸附分子的表面增强喇曼散射(SERS)研究工作.至今,人们主要在二类半导体材料表面进行了SERS 实验:一类是半导体材料表面吸附分子的SERS 实验;另一类是被银修饰了的(silver-modified)半导体材料表面吸附分子的SERS 实验.文章还简单介绍了对半导体材料表面SERS效应所作的理论解释.最后对半导体材料表面SERS 研究的发展和应用前景作了展望.     

掺杂对SnO_2气敏元件的影响

半导体电阻式气体传感器是目前广泛应用的气体传感器之一,它是利用金属氧化物半导体与气体（氧化性气体或还原性气体）接触时,材料总电导率发生变化的原理来设计制作的.目前,半导体气敏元件主要有烧结型、厚膜型和薄膜型三种,作者制作的是旁     

化合物半导体体材料和特性

化合物半导体体材料是除元素半导体材料Si、Ge外的另一类重要的半导体材料。它作为基础材料，在电子学和光学方面的应用变得日益重要。在对Ⅲ—Ⅴ、Ⅱ—Ⅵ、Ⅳ—Ⅵ族、GaN和SiC等半导体材料所进行的大量研究和应用中，高质量的GaP、GaAs、S-I、GaAs和InP等化合物单晶体材料都是必不可少的。     

科技要闻

研发新型太阳能电池厦门大学物理与机电工程学院康俊勇课题组研发成功一种新型太阳能电池,即将氧化锌和硒化锌两种宽带隙半导体材料用作太阳能电池,大大稳定了太阳能电池的性能并使其寿命延长,实现了宽带隙半导体在太阳能电池中的应用。课题组发现有2个制约宽带隙半导体光电转换效率的瓶颈:一是能否形成光生电流;二是能否提高宽带隙半导体的吸光率。经过多次实验,课题组选用了2种宽     

锗中少數載流子壽命測量方法的比較

引言我們在进行锗中少数载流子~*寿命的测量工作中,共采用了四种測量方法:“光电导衰退法”“双脉冲法”“曼納电桥法”“光磁效应法”。这些测量寿命的基本方法,不但适用于锗,也适用于其它半导体材料。利用光电导衰法”“双脉冲法”可以测量硅中少子的寿命。用“光磁效应”可以测量小于0.1微秒的短寿命,比較适用于     

PTC新材料及其应用

PTC 是英文 Positive Temperature Coefficent的缩写,意即正温度系数.PTC 材料是具有正温度系数的材料.它是近年来发展很快的一种对温度敏感的新型半导体材料.当前以 BaTiO_3系的半导体陶瓷材料为应用的主流.利用这类材料的相交,出现的特殊阻温变化,显示有优异的电阻温度特性、电压—电流特性和电流—时间延迟特性,迄今被广泛应用于电子、机械、动力、医疗卫生、农业、食品、家用电器等各个领域,具有重要的商业价值.甚至,在火箭、人造卫星等军用和航天设备上,PTC 热敏电阻     

基于工业CT图像的材料疲劳寿命预测

工业CT(industrial computer tomography,ICT)是在无损伤状态下得到材料断层的二维灰度图像,以图像的灰度来分辨被检断面内部裂纹的萌生、扩展情况.在分析材料的工业CT图像基础上,提出了一种疲劳寿命预测方法.首先将裂纹的萌生、扩展过程分为显微尺度细观裂纹、CT尺度裂纹和宏观裂纹3个阶段;然后采用不同的裂纹萌生、扩展标准对材料疲劳寿命进行预测;最后相加各阶段预测寿命,得到材料疲劳寿命.与疲劳累积损伤理论法、名义应力法等方法相比,该方法预测的材料疲劳寿命具有较高的精度.     

超宽禁带二维半导体材料与器件研究进展

超宽禁带二维半导体作为二维材料研究领域的前沿之一,在紧跟第三、四代半导体朝着大带隙、大功率方向发展的同时,也为集成电路往小体积、高集成度方向的探索提供了思路.根据晶体堆积是否为范德华层状结构,超宽禁带二维半导体在材料层面的研究内容一方面是将已有的或成熟的非层状材料通过各种限制手段将第三维度压制在纳米量级,另一方面则是探索新型的范德华层状材料通过生长或剥离的方式得到其单层或少层结构.从器件层面看,超宽禁带二维半导体无论是以独立形式还是两两组合叠成异质结,形成的器件大多都以探测紫外波段的电磁辐射为目的,进一步可以做成包括成像系统、数字通讯等在内的光学传感器.若是辅助以柔性衬底,那么二维材料将发挥天然的可弯折优势,被广泛应用到柔性场效应晶体管、柔性紫外探测器、显示器等可穿戴电子器件中.而当材料有对外界刺激(如光照)表现出“记忆”特性时,说明可以将材料用于类神经突触传感或神经网络学习.此外,超宽禁带二维半导体中具有超大带隙的部分材料是极具潜力的电介质,它们往往拥有远比氧化硅大的介电常数与击穿电压,在减薄器件体积的同时也优化了器件的性能.最后,少数超宽禁带二维半导体是许多材料制备过程中的衬底,它...     

注~(31)P~ 硅片损伤层的喇曼光谱术研究

离子注入是一种制备半导体器件的重要工艺.离子注入会造成半导体材料晶格的损伤,从而引起材料光学性质的改变.随着注入剂量的增加,损伤区域不断扩大,以致形成非晶态层.制备半导体器件,通常必须对注入后的晶片进行热退火,以消除这种晶格损伤.因此,检测离子注入半导体中的晶格损伤具有重要的应用意义.检测离子注入后半导体中损伤层的方法已有多种,其中传统的方法包括背散射沟道方法和顺磁共振方法,在光学手段中包括反射率方法和椭圆偏振方法,1974年,法国的J.C.Bour-     

半导体材料范畴的界定

将半导体材料定义为广义半导体材料和狭义半导体材料2类,分别介绍了其各自范畴。提供了全球主要广义半导体材料厂商名录,分析了广义半导体材料在集成电路芯片制造中的占比情况及国产化率情况;对狭义半导体材料按材料组分、结晶状态、禁带宽度、光电子器件应用及微电子器件应用列举了常见的5种划分方法,并指出狭义半导体材料以代系划分仅限于微电子器件用,且其各有不同的应用领域,不完全是替代关系。     

氧化锌的p型掺杂和室温稀磁特性研究

众所周知,氧化锌它是半导体组成材料之一,可以直接作为原材料使用.该材料潜能非常大,可以在激子作用下产生巨大的能量.它的特性决定了它在日后的使用方向,是短波长光电最佳的选择材料.将氧化锌进行掺杂可以将其当成基光电器件必备条件之一.在不断研究中已经取得一定的成效,但是从它长远上分析,它比较难以实现p型掺杂,该文分析了其原因,并且分析了它的室温稀磁特性,为工业生产奠定基础.