Cq＋离子与Ar原子碰撞反应过程中转移电离的研究

应用位置灵敏探测和飞行时间技术,测量了C^q＋（q=1,2,3）离子与心原子碰撞反应中的转移电离截面与单电子俘获截面之比,并与DuBois的He^q＋（q=1,2）与Ar的实验结果进行比较．同时在玻尔的过垒模型基础上,给出进一步的定性解释．     

矩形截面大偏心受压构件计算分析

利用容许应力法计算实体矩形截面大偏心受压构件时需解一个关于y的无二次项的一元三次方程:y3+py+q=0[方程(1)],以往的各类文献对偏心受压构件的介绍,多侧重于构件的受力特点、破坏形态及其与构件的截面尺寸、长度、材料的关系等等,极少有涉及方程(1)的求解论述,实际上方程(1)的解直接决定了截面的检算结果;利用高等数学原理,从数学角度详细分析了方程(1)的解,列举出解存在的八种情况:①p0,q0;②p0,q0;③p0,q0,fmin0;④p0,q0,fmin0;⑤p0,q0,fmin=0;⑥p0,q0,fmax0;⑦p0,q0,fmax0;⑧p0,q0,fmax=0。结合工程应用,对大量偏心受压构件进行计算、归纳、总结;提出对八种情况进行取舍的意见。尤其应注意情况③时的解,情况③有两正解,求解不当可能会得到错误结果。     

低能惰性气体原子与H2(D2、T2)分子碰撞分波截面理论的研究

用密耦计算方法及Tang-Toennies势模型计算了E=0.05eV时,He、Ne、Ar、Kr、Xe与H2(D2、T2)碰撞体系的分波截面,从而得到了H2分子及其对称同位素替代情形下整簇惰性气体原子与H2(D2、T2)分子碰撞分波截面随量子数增加和体系约化质量的变化规律.     

Ar原子与H_2低能碰撞分波截面的理论研究

使用Tang-Toennies势模型通过密耦近似(Close-Coupling)方法计算了Ar原子与H2分子在碰撞能量分别为E=0.15eV、0.25eV、0.35eV时的分波截面,对计算结果进行了讨论,总结了该碰撞体系的弹性微分截面(00-00)以及分波散射截面在弹性散射00-00和非弹性散射00-02、00-04的变化规律。     

高电荷态离子Ar~(q+)与Nb作用产生的X射线谱

利用光谱技术在超导离子源SECRAL上研究了10~20keV·q的Arq+(q=16,17)离子入射在金属Nb表面产生的X射线谱.实验结果表明,高电荷态Ar16+离子在金属表面中性化过程中存在着多电子激发,Ar16+的K壳层电子被激发产生空穴,级联退激发射Ar的Kα特征X射线.Ar空心原子的K层发射X射线的强度随入射离子的动能减弱,靶原子Nb的L层发射X射线强度随入射离子动能的增加而增强.Ar17+单离子的Kα-X射线产额比Ar16+单离子的Kα-X射线产额大3个数量级.     

高电荷态离子Arq＋与Nb作用产生的X射线谱

利用光谱技术在超导离子源SECRAL上研究了10～20keV．q的Arq＋（q=16,17）离子入射在金属Nb表面产生的X射线谱．实验结果表明,高电荷态Ar16＋离子在金属表面中性化过程中存在着多电子激发,Ar16＋的K壳层电子被激发产生空穴,级联退激发射Ar的Kα特征X射线．Ar空心原子的K层发射X射线的强度随入射离子的动能减弱,靶原子Nb的L层发射X射线强度随入射离子动能的增加而增强．Ar17＋单离子的Kα-X射线产额比Ar16＋单离子的Kα—X射线产额大3个数量级．     

两核子转移反应~(36)Ar(~(11)B、~9Be)~(38)k

用115Mev~(11)B 束轰击~(36)Ar 产生两核子转移反应,用固体探测器望远镜在θL=8°处测量了反应产物的能谱,观察到~(38)k 的3~ ,7~ 和5~ 等三个能级.对有关的单核子转移反应用 DWBA 进行了计算,以检验束缚态和光学模型参数.用壳模型计算了有关核的谱幅度.最后,假定反应机制是顺序转移的多步过程,用耦合反应道理论(CRC)计算了截面.理论截面与实验截面比较的结果表明,顺序转移可能是该反应的主要机制.     

共面非对称条件下Ar原子2p壳层三重微分截面的计算

将极化效应引入畸变波玻恩近似(DWBA)方法中, 得到修正的DWBA理论. 计算共面非对称动力学条件下, Ar原子2p壳层的三重微分截面, 结果表明, 极化效应在Ar(2p)电离过程中作用较大.      

矩阵的迹在密码中的应用

①Tr(Aα.Bβ)≤Tr(αA+βB)②Tr(∏nj=1Ajqj)≤Tr(∑nj=1qjAj)③Tr(∏nj=1Aqj)≤J(a,q,p)≤Tr(∑nj=1qjAj)④⑤Tr{∏nj=1Ajqj}≤J(a,q,p)≤J(a,q,p,λ,l)≤Tr(∑nj=1qjAj)⑤Tr(∏nj=1Aqj)≤J(a,q,p)≤J(a,q,p,λ,l)＜J(a,q,p,λ,l2)＜......J(a,q,p,λ,lm)≤Tr(∑nj=1qjAj)     

介于欧拉和雅可比的一个结论

设Q(q)=multiply from n=1 to ∞((1-q~n)(|q|<1))欧拉的五边形数定理为 Q(q)=sum from n=0 to ∞((-1)~nq~(n(3n+1))/2)(1-q~(2n+1))雅可比得到Q(q)~3=sum from n=0 to ∞((-1)~n(2n+1)q~(n+1)/2)本文得到Q(q)~2=sum from n=0 to ∞((-1)~nq~(n(n+1)/2)(1-q~(2n+2))p_n(q))其中p_n~h(q)=sum from r=0 to n(q~r(n-r)) 证明:由[1;p.36,eq.(3.3.6)] sum from j=0 to N((Q)_v/(q)_1(q)_(n-j)(-1)~iZ~iq~(j(j-1)/2))=(z)_N. (1)及[1;p.19,Cor.2.3.α=b=0,i=q,c=q~(2r+1)]     

指数和的渐近公式

设A(α ,x) = x≤ne axkq 满足 (a ,q) =1,n为一个正整数 .1≤d≤D 相似文献   

Stein流形上(p,q)型微分形式的Koppelman-Leray公式的拓广

为进一步研究 Stein流形上的 Koppelman- Leray公式 ,采用 Bochner- Martinelli的方法 ,并将之推广到 Stein流形上 .便可得到一个 Stein流形上 (p,q)型微分形式的 Koppelman- Leray公式的一种拓广式 ,该拓广式的特点是积分核中含有可供选择的实参数 m及 (D,s,φ)的 Leray截面 ,当 m=2时 ,可得到 Stein流形上已有的 (p,q)型微分形式的 Koppelman- Leray公式 ,而当取 m=3,4,… ,N(N< ∞ )时 ,可相应得到 Stein流形上一系列积分核彼此不同的积分公式 .由该拓广式还可得到 Cn空间中 (p,q)型微分形式 Koppelman- Leray公式在 Stein流形上的推广     

(∈,∈∨q_((λ,μ)))-模糊子半群和(∈,∈∨q_((λ,μ)))-模糊完全正则子半群

文中给出了(∈,∈∨q(λ,μ))-模糊子半群,(∈,∈∨q(λ,μ))-模糊完全正则子半群和广义模糊完全正则子半群的概念及它们之间的等价刻画.当λ=0,μ=0.5时,(∈,∈∨q(0,0.5))-模糊子半群和(∈,∈∨q(0,0.5))-模糊完全正则子半群即为(∈,∈∨q)-模糊子半群和(∈,∈∨q)-模糊完全正则子半群;当λ=0,μ=1时, (∈,∈∨q(0,1))-模糊子半群和(∈,∈∨q(0,1))-模糊完全正则子半群即为Rosenfeld意义下的模糊子半群和模糊完全正则子半群,这将通常的模糊代数与(∈,∈∨q)-模糊代数进行了统一和推广.     

关于不定方程x3-1=709 q y2的正整数解

采用同余式、Pell方程解的性质以及递归序列等初等数论方法,得到了当q≡1(mod 12)为奇素数时,不定方程x3-1=709 qy2有解的充要条件.证明了当q满足q=12k2+12k+1(k∈N*),q=108k2±12k+1(k∈N*),q=12k2+1(k∈N*)以及q≡1(mod 12)为奇素数且q709=-1这4个条件之一时,方程x3-1=709 q y2无正整数解.     

关于一些李型单群的ONC-刻画

【目的】为了弱化有限单群数量刻画的数量条件。【方法】用第一ONC-度量ONC1(G)刻画了李型单群L2(q)(q=11,13,16,19,23,25,29)。【结果】证明了L2(q)(q=11,13,19,23,29)可以由 ONC1(G)唯一确定,并给出了在条件ONC1(G)=ONC1(L2(q))(q=16,25)下,G的分类。【结论】结果说明不是所有李型单群L2(q)都可以ONC-刻画。
     

多元正态总体中球性检验的单调性问题

设Xj1,Xj2,…,XjNj(j=1,2,…,q)为从q个p维实正态总体Npθj,12Σj抽取的一个随机子样,原假设为H:Σ1=Σ2=…=Σq=σ2Ip(其中σ2>0未知,Ip为P阶单位矩阵).文章证明了修改似然比检验的势函数仅与Σj(j=1,2,…,q)的特征根有关,并给出了其势函数的单调性结论.     

关于一些李型单群的ONC-刻画

【目的】为了弱化有限单群数量刻画的数量条件。【方法】用第一ONC-度量ONC_1(G)刻画了李型单群L_2(q)(q=11,13,16,19,23,25,29)。【结果】证明了L_2(q)(q=11,13,19,23,29)可以由ONC_1(G)唯一确定,并给出了在条件ONC_1(G)=ONC_1(L2(q))(q=16,25)下,G的分类。【结论】结果说明不是所有李型单群L_2(q)都可以ONC-刻画。     

(0,p(D))三角插值多项式对函数及其导数的同时逼近

证明了(0,p(D))三角插值多项式Rn(x)的s(s=0,1,…,q)阶导数一致收敛于函数f(x)的s(s=0,1,…,q)阶导数:设f(x)∈C2π,f(x)具有q阶连续导数,且f(q)(x)∈Lipα.0<α<1,若βk=Op(in)n(n)-f(s)(n)=Olnnnq+α,(k=0,1,2,…,n-1),则R(s)nq-s+α(s=0,1,…,q).     

高电荷态氩离子与Ne原子碰撞过程中的转移电离截面的研究术

采用符合关联实验技术进行的Ar^q Ne(q=8，9，11，12)碰撞体系中多电子转移过程的研究。在实验上鉴别了反应中各种电子转移过程，并测量了转移电离截面．研究了转移电离截面与反冲离子电荷态的关系，并利用修正后的分子过垒模型计算结果与实验结果进行了对比分析，计算结果较合理地描述了实验现象．     

三维有限射影几何空间上二阶曲面x1x2-x23-x24=O的元素数目

首先研究了有限域GF(pr)上不定方程x2+y2=0解的情况:(1)当p=2时,有P'-1组非零解;(2)当4|Pr-1时,有2(pr-1)组非零解;(3)当p为奇数且4Pr-1时,只有零解.在此基础上给出了三维有限射影空间S3,q(q=pr)上二阶曲面x1x2-x23-x24=0点的个数:(1)p=2时,二阶曲面由q2+2q+1个点组成;(2)当4|q-1时,二阶曲面由q2+2q+1个点组成;(3)当q为奇数且4q-1时,二阶曲面由q2+1个点组成.