Cq＋离子与Ar原子碰撞反应过程中转移电离的研究

应用位置灵敏探测和飞行时间技术,测量了C^q＋（q=1,2,3）离子与心原子碰撞反应中的转移电离截面与单电子俘获截面之比,并与DuBois的He^q＋（q=1,2）与Ar的实验结果进行比较．同时在玻尔的过垒模型基础上,给出进一步的定性解释．     

高电荷态氩离子与Ne原子碰撞过程中的转移电离截面的研究术

采用符合关联实验技术进行的Ar^q Ne(q=8，9，11，12)碰撞体系中多电子转移过程的研究。在实验上鉴别了反应中各种电子转移过程，并测量了转移电离截面．研究了转移电离截面与反冲离子电荷态的关系，并利用修正后的分子过垒模型计算结果与实验结果进行了对比分析，计算结果较合理地描述了实验现象．     

高电荷态氩离子与Ne原子碰撞过程中的转移电离截面的研究

采用符合关联实验技术进行的Ar^q+ + Ne (q = 8, 9, 11, 12)碰撞体系中多电子转移过程的研究. 在实验上鉴别了反应中各种电子转移过程, 并测量了转移电离截面. 研究了转移电离截面与反冲离子电荷态的关系, 并利用修正后的分子过垒模型计算结果与实验结果进行了对比分析, 计算结果较合理地描述了实验现象.     

亚稳态离子的电子碰撞电离截面

利用扭曲波玻恩交换近似方法计算了类氖Ｓｉ＾４＋离子的基态和亚稳态的电子碰撞直接电离截面和激发自电离截面，通过比较，指出了亚稳态离子电离贡献的重要性；在考虑亚稳态离子贡献的情况下，对最近首次给出的Ｓｉ＾４＋离子的电子碰撞电离实验结果给出了合理的解释。     

C~(1+)与Ar碰撞微分截面测量及耦合道分析

文章介绍了离子-原子碰撞过程中双微分绝对截面的测量方法,利用符合测量技术测量了0.215~1.44 MeV的一价C离子与Ar原子碰撞的俘获、电离和电子损失截面.由于本能区内入射离子电子损失截面随速度升高而增大,甚至超过俘获道和电离道截面,因此俘获道、电离道、电子损失道的测量结果是严重耦合的.实验的结果不能直接与理论上的单反应道结果比对.本文根据实验结果进行了耦合道分析,并大致给出了影响的趁势,为将来与理论比对提供了方向.     

等电子原子模型与原子电离势

提出了等电子原子模型。计算和讨论了原子电离势及其变化规律。由此勿需引进其它概念即可了解元素周期性及电子分层。并提出了元素区的新的划分方式。     

低能离子分子碰撞中电子俘获截面的计算

扩展了离子与原子碰撞中的分子过垒模型,将其中的原子轨道对应的转换为分子轨道并利用RHF从头算法求解,通过对多条特征入射轨迹求平均的方法将分子过垒的思想发展到三维碰撞体系中,建立了低能离子与分子碰撞体系的分子过垒模型.并计算了H~+-H_2分子碰撞的电子俘获截面.     

中高能H^＋和类氦离子及He原子碰撞中电子俘获截面的…

用两态原子轨道展开方法研究计算了中高能Ｈ＾＋与类氦离子（Ｂｅ＾２＋，Ｂ＾３＋，Ｃ＾４＋，Ｎ＾５＋，Ｏ＾６＋）和Ｈｅ原子碰撞的电子俘获截面，结果表明在中高能区本结果与实验较好地符合。     

离子-原子碰撞中的符合测量技术

利用离子源产生的C、O离子与Ar原子碰撞,测量了散射离子谱和反冲离子谱,并利用符合测量获取了双电荷态分布的符合谱。根据实验参数进行了符合效率计算。该实验方法可用于微量气体元素甚至同位素的绝对含量分析,较单独的飞行时间谱更加可靠。     

独立原子模型研究电子与分子碰撞

运用独立原子模型,在入射电子能量２００－１０００ｅＶ范围内,我们第一次计算了电子与ＳＯ２分子碰撞的弹性微分散射截面。目前结构与可行的实验数据进行了比较,并得到了较好一致,原子的弹性散射振幅及微分散射截面的光学势模型得到。     

中高能H~+和类氦离子及He原子碰撞中电子俘获截面的计算

用两态原子轨道展开方法研究计算了中高能Ｈ＋与类氦离子（Ｂｅ２＋，Ｂ３＋，Ｃ４＋，Ｎ５＋，Ｏ６＋）和Ｈｅ原子碰撞的电子俘获截面．结果表明在中高能区本文结果与实验较好地符合．     

单次碰撞条件下研究He（2^3S）与CO碰撞的Penning电离过程

利用分子束方法研究Ｈｅ（２＾２Ｓ）＋ＣＯ的Ｐｅｎｎｉｎｇ电离过程。给出了产物ＣＯ＾＋（Ａ）和ＣＯ＾＋（Ｂ）的分支比为１：２．２。这被归结于ＣＯ（Ｘ）的１π和４σ轨道活性的差异。初生态ＣＯ＾＋（Ａ）的振动分布与相应的跃迁的Ｆｒａｎｃｋ－Ｃｏｎｄｏｎ因子一致。说明此电离过程是一个垂直跃迁过程。并详细给出了初生态产物ＣＯ＾＋（Ｂ，ｖ０３ ７＝０）和ＣＯ＾＋（Ａ，ｖ＇＝０，１，２，３）的转动温度，产物转动     

电子与Hg原子的弹性碰撞

电子与Ｈｇ原子的弹性碰撞滕礼坚，侯氢（原子核科学技术研究所）我们在独立电子模型下，用相对论分波法计算了电子与Ｈｇ原子的弹性碰撞微分截面，与相应的实验数据比较，表明在入射电子能量Ｅ＿０＞５０ｅＶ的能区内，该理论方法可以较好地描述实验，由于Ｈｇ原子有较高...     

电子与离子碰撞强度计算

散射电子用经典轨道理论描述,跃迁几率用量子力学方法进行计算,进而计算电子碰撞激发截面和碰撞强度.对于高能入射电子,在光学允许跃迁的情况下,用该方法得出比较好的结果.     

稀土离子^144Nd^＋和H2分子碰撞的单电子俘获截面的测量

建立了一套用于单价离子与气体分子碰撞的单电子俘获截面测量的装置,用复旦大学加速器实验室的３０ｋｅＶ同位素分离器测量了１０－３０ｋｅＶ＾１４４Ｎｄ＾＋与Ｈ２碰撞的单电子俘获截面。     

高电荷态离子N~(q+)(q=3,6)与原子、分子碰撞中发射光谱

本实验对N6+—He，N3+—He和N3+—H2碰撞中的发射光谱进行了测量.从测量到的发射光谱分析证明：上述碰撞中存在着三种或四种激发通道：（1）单电子俘获激发通道：（2）双电子俘获激发通道：（3）入射离子直接激发通道；（4）靶直接激发通道。本文还给出了发射截面数据。     

类钠铜、硒和锝离子电子碰撞直接和非直接电离速率系数

本文在Z标度类氢模型算法下,采用库仑-玻恩交换近似和改善的屏蔽常数定义,计算了类钠铜离子和类钠水窗两端的硒和锝离子的内外壳层电子的电子碰撞直接电离和非直接激发自电离的速率系数和截面.     

原子内壳层电离截面研究中薄靶厚度的卢瑟福背散射分析

作者使用^241Amα标准源与卢瑟福背散射相结合的方法，对四川大学原子核科学技术研究所的2．5MeV静电加速器进行了能量刻度，并利用卢瑟福背散射方法测量了一系列A1衬底金属薄靶的厚度，所测结果与称重法进行了比较，作者将卢瑟福背散射方法所测厚度值运用到电子碰撞引起原子内壳层电离截面的测量工作中，取得了满意的结果。