不同含量Cd掺杂对Cu_2SnS_3薄膜结构和性能的影响

通过溶液法合成了Cu_2SnS_3(CTS)薄膜,并研究了不同Cd含量对CTS薄膜晶体结构和性能等方面的影响.研究发现通过Cd掺杂可以有效调节CTS的光学带隙(Eg).不添加Cd时,样品为面心立方相的CTS(C-CTS),带隙为0.82 eV.当Cd含量在4.18%~13.38%的范围内时,立方相的CTS逐渐转变为立方结构固溶体(C-CTS:Cd)和四方结构固溶体(T-CTS:Cd).通过改变制备样品的Cd掺杂含量,可实现带隙从0.82~1.26 eV的调节.XPS测试结果表明,CTS(即未掺杂Cd的CTS)样品中,Cu、Sn和S元素的价态分别为+1,+4和-2价.SEM形貌结果显示所有的Cu-Sn-S-Cd(CTSC)合金薄膜都表现出光滑和紧凑的表面形态并没有观察到明显的孔或裂纹.所制备的单一相的C-CTS和T-CTS:Cd薄膜可以作为太阳能电池的吸收层材料.     

电化学沉积法制备Cu_2S薄膜及EPIR效应

以Na2S溶液为沉积液,在一定的温度、pH值、电压和时间下,采用电化学沉积的方法,在铜衬底上生长出一层质地均匀的蓝色Cu2S薄膜.通过XRD及SEM对样品的化学成分及表面与截面形貌进行表征,对Ag/Cu2S/Cu/Ag结构进行直流I-V及电脉冲诱导电阻转变(EPIR)效应测试.结果表明Ag/Cu2S/Cu/Ag结构的Ag/Cu2S结点处存在明显的EPIR效应,而且相对于单个Ag/Cu2S结点而言,Ag/Cu2S双结点具有更大的结点电阻且EPIR效应更明显.另外,Ag/Cu2S/Cu/Ag结构的EPIR效应还与测量的脉冲参数和测量温度有关.对于本样品而言,最佳测量温度为室温,脉冲宽度t0为0.000 1 s.     

Cu_2Sn(S,Se)_3薄膜的溶液法制备及其光电性能研究

采用低廉、简便及易于控制元素组成的溶液法在钠钙玻璃和钼玻璃基底上沉积Cu-Sn-S前驱体膜,随后在N_2保护下硒化获得到Cu_2Sn(S,Se)_3薄膜,并通过调控前驱薄膜的硒化退火温度,实现了对薄膜形貌、物相结构、电学及光学性能的有效调制.研究结果表明,适当的硒化退火温度,如480℃,可得到表面平整、结晶度高、晶粒致密和双层结构(上层大、下层小晶粒)的Cu_2Sn(S,Se)_3薄膜,其带隙为1.28 eV,载流子浓度可低至6.780×10~(17) cm~(-3),迁移率高达18.19 cm~2·V~(-1)·S~(-1),可用于薄膜太阳能电池的光吸收层.     

Cu_2O薄膜的电化学制备及EPIR效应

以FTO玻片为基底,在不同pH值下采用恒电位电化学沉积法制备了Cu2O薄膜样品和Cu/Cu2O/Cu/FTO器件.通过XRD、SEM、EDS对样品的相组成、晶体结构、微观形貌和化学成分进行了表征和分析,并对Cu/Cu2O/Cu/FTO器件的电脉冲诱导电阻转变(EPIR)效应进行了测量.结果表明室温下Cu/Cu2O/Cu/FTO中存在明显的EPIR效应和忆阻器行为且与溶液酸碱性有关.在酸性和中性条件下,即pH=5、6、7时,Cu/Cu2O/Cu/FTO存在显著的EPIR效应,随着pH值的增加效应趋于减弱,当脉冲电压为6 V,脉冲宽度为0.001 s时,样品具有最大EPIR值.随pH进一步增加,在pH=8、9、10的碱性条件下,Cu/Cu2O/Cu/FTO的EPIR效应消失.     

不同形貌纳米SnS_2的溶剂热法合成及表征

以氯化锡和硫氰酸铵作为原料,溶剂热法分别合成SnS2纳米片,纳米颗粒及花状结构纳米晶体。采用XRD、TEM和FESEM等手段对粒子的结构与形貌进行表征,并研究了溶剂对SnS2形貌的影响。     

应用化学溶液沉积法制备薄膜

本文介绍应用化学溶液沉积法制备超导薄膜的方法．原则上应用这种方法可以广泛制备诸如氧化物铁电薄膜、氧化物介质薄膜、半导体薄膜、金属化合物薄膜等各类薄膜，广泛应用于科研和生产中．其方法成本低廉、工艺简单、制备周期短、且可在较低温度下成相，是一种制备薄膜的好方法．这里从理论与实践的结合上给以论述．     

溶液生长法制备CdS薄膜

介绍了用溶液生长技术制备ＣｄＳ薄膜的方法,用此方法在玻璃衬底上获得了淡黄色的ＣｄＳ薄膜,薄膜为混合立方和六方晶系结构。     

Cu_2O透明导电薄膜的制备技术及应用

氧化亚铜(Cu2O)具有优越的光电性质,是一种具有广泛用途的材料。本文概述了国内外氧化亚铜(Cu2O)透明导电薄膜的多种制备技术;详细介绍了磁控溅射、电化学沉积、热氧化法等工艺在Cu2O薄膜制备中的研究现状,及其在太阳能电池上的应用;对比了不同工艺条件下Cu2O薄膜的性能,并指出制备Cu2O薄膜中的一些问题。     

溶液法制备的高k Y_2O_3薄膜电学性质分析

<正>近年来,原来占据主流地位的介电材料SiO2已经被高介电常数(高k)材料(HfO2,ZrO2,Y2O3,Al2O3,etc)代替。高k材料能在减小漏电流密度的同时增大电容密度使AOS TFTs具有较低的阈值电压,较小的亚阈值摆幅和较高载流子迁移率[1]。迄今为止,在应用于AOS TFTs器件的介电材料中,Y2O3是最好的选择,因其具有良好的热稳定性和化学稳定性,较低的漏电流,较高的反射系数(~2),较宽的禁带宽度     

In掺杂对Cu_2SnS_3结构和电输运性能的影响

通过固相合成法制备In掺杂p型Cu_2SnS_3的致密块体Cu_2Sn_(1-x)In_xS_3,考察其晶体结构和电输运特性。结果表明:In置换Sn引入空穴极大地提高电导率,且增加价带顶的简并度(三重),进而得到合适的赛贝克系数。x=0.20时Cu_2Sn_(0.8)In_(0.2_S_3的功率因子在673 K时达到0.75 mW/(m·K~2)。随着In掺杂量的增大,Cu_2SnS_3的晶体结构从有序的单斜相向无序的立方相和四方相结构转变,有效地抑制声子传播。利用理论最低晶格热导和Wiedemann-Franz定律计算的电子热导估算量纲为1的热电优值(ZT),在673 K时Cu_2Sn_(0.8)Zn_(0.2)S_3的ZT高达0.8,显示Cu_2SnS_3作为新型环保型热电材料的巨大潜力。     

化学溶液沉积法制备BiFeO_3薄膜的结构及性能研究

采用化学溶液沉积法在ITO玻璃基片上制备铁酸铋Bi Fe O3薄膜。薄膜呈纯钙钛矿结构,无杂相生成。此外,薄膜表面光滑致密、没有微裂痕。薄膜得到的晶粒尺寸较小,约为45 nm。在550℃1 h退火的薄膜有良好的电学特性,在1 k Hz频率下测得的相对介电常数、损耗因子分别约为198、3%;此外,在760 k V/cm电场驱动下,薄膜得到的剩余极化(2Pr)约为25μC/cm2,矫顽电场(2Ec)约为650 k V/cm。BFO薄膜在550℃退后,通过吸收光谱分析得到BFO薄膜的光学带隙为2.7 e V。这些结果表明,退火温度550℃制备的Bi Fe O3固溶体薄膜具有较好的性能,有望成为光电器件的候选材料。     

用喷雾沉积法制备YBa_2Cu_3O_(7-x)超导薄膜

近来许多人已用电子束蒸发、激光加热蒸发、分子束外延、溅射法等方法制成了YBaCuO超导薄膜。但上述方法都需要比较昂贵的镀膜设备,而且不易准确控制膜的成份,重复性差。本文采用简单的喷雾沉积法,在ZrO_2单晶衬底上制备出Tc(onset)=95K,Tc(R=0)=87K的YBa_2Cu_3O_(7-x)超导薄膜。 1.用Y_2O_3,BaCO_3,CuO为原料,按Y:Ba:Cu=1:2:3的比例混合后倒入硝酸     

具有催化活性TiO2薄膜的制备及表征

采用溶胶法制备TiO2溶胶，用浸渍-提拉方式在普通玻璃表面制成锐钛矿相TiO2薄膜。实验结果表明：最佳镀膜次数为三次；掺杂Mo离子对于提高TiO2膜的光催化活性有明显的促进作用。用电镜分析(SEM)及X射线衍射法(XRD)确定了晶型及晶粒的大小；用光电子能谱(XPS)测定了其微观成分及其含量。     

TiO2薄膜的自组装制备及表征

本实验通过水解酞酸四丁酯的方法得到了ＴｉＯ２超微粒胶体溶液，并在室温下将其淀积在表面磺酸基化的有机自组装单层上，制成透明的ＴｉＯ２薄膜，俄歇电子能谱，Ｘ－射线光电子能谱测定结果表明：ＴｉＯ２薄膜是均匀的，膜厚约为３０ｎｍ。     

溶胶凝胶法制备平整TiO2薄膜及其表征

以钛酸四丁酯为前驱体，通过溶胶凝胶法制备表面平整、致密的TiO2薄膜，并且通过热重分析仪（TGA）、X射线衍射仪（XRD）、衰减全反射红外线光谱分析仪（ATR—IR）、扫描电子显微镜（SEM）、原子力显微镜（AFM）和接触角测量仪等研究TiO2薄膜的晶相、组成和表面的微观结构、润湿性。利用TiO2薄膜表面部分覆盖的十八烷基三氯硅烷自组装单分子层在紫外光照下的降解来研究其光催化性能，并且用水在该薄膜上的接触角的变化来表征十八烷基三氟硅烷的降解量。研究结果表明：TiO2薄膜具有很低的粗糙度，透明的锐钛矿相薄膜在较弱的紫外光照强度下具有较好的光催化性能，在自清洁和光学薄膜领域有潜在的应用前案。     

纳米SiO2-Al2O3聚酰亚胺杂化薄膜的制备及表征

采用溶胶凝胶法制备了二氧化硅及三氧化二铝溶胶,将其掺入聚酰胺酸基体中,得到SiO2-Al2O3聚酰亚胺杂化薄膜,对膜的结构性能进行了研究和表征.结果表明,薄膜材料中SiO2和Al2O3粒子分散均匀,与有机相存在键合,材料热分解温度有所提高.     

用LPCVD法制备TiO_2薄膜光催化降解苯酚溶液

研究了用减压法制备TiO2薄膜,并对其光催化活性进行了分析,通过实验证明锐钛矿结构的TiO2薄膜光催化活性明显要高于金红石型和无定形的TiO2薄膜,用LPCVD法制备的TiO2薄膜的光催化使用寿命相当长.     

射频磁控溅射制备CuAlO_2薄膜及性能表征

利用Al(OH)3和Cu2O高温固相反应烧结制备的靶材,采用射频磁控溅射法,在玻璃基片上制备非晶CuAlO2薄膜.薄膜的表面均匀,颗粒大小约为50 nm,可见光范围内透射率为60%,平均折射率达2.0,直接带隙为3.86 eV.随着在紫外光源下曝光时间的增加,薄膜的接触角从96.3°减小到87.5°,薄膜仍呈现出良好的疏水性.     

射频磁控溅射制备SiO_2薄膜及性能表征

采用射频磁控溅射技术,制备4种不同溅射时间的SiO2薄膜.用XRD、PL、FTIR、UV-Vis等对薄膜的微结构、发光、红外吸收以及透、反射进行表征.结果表明:SiO2薄膜仍呈四方晶体结构,平均晶粒尺寸在17.39～19.92nm之间;在430nm附近出现了发光峰,在1049～1022cm-1之间出现了明显的红外吸收峰,且随着溅射时间的增加发生红移;在可见光范围内平均透射率大于85%.     

射频溅射法研制YBa_2Cu_3O_y高T_c超导薄膜

本文采用射频溅射法研制YBa_2Cu_3O_7高T_c超导薄膜,研究了溅射电压、气流、气压、基片及热处理工艺对超导膜成分、相结构及超导性能的影响,所得到的超导薄膜T_c(R=0)=89K,临界电流密度10~4～10~5A·cm~(-2).