PVC用ZnAlLa-CO类水滑石的制备与表征

以锌、铝、镧硝酸盐为原料,采用阴离子交换法制得ZnAlLa-CO类水滑石,通过XRD、FT-IR分析样品的物相结构、结晶度以及插层阴离子的种类.结果表明,在制备条件为：n(La3＋)/n(Al3＋)不高于1/8,pH＝8.0,阴离子交换时间为1.0～2.0 h,碳酸钠为理论所需用量的2倍时,得到了结晶度好、纯度高的ZnAlLa-CO类水滑石.     

类水滑石化合物制备方法研究综述

类水滑石化合物（HTlc）是一类阴离子层状化合物,具有碱性和酸性的特征、层间阴离子的可交换性、微孔结构和记忆效应．本文简单介绍了HTlc材料的制备方法,并比较了各种制备方法的优缺点．其中,共沉淀法是目前最普遍使用的制备方法．     

镁铝型类水滑石正电胶抑制性研究

研究了Mg-A1类水滑石(HTlc)正电胶合成原料配比、电性及粒度对抑制黏土吸水膨胀能力的影响．实验结果表证明，合成原料的Mg／A1摩尔比为3：1时抑制黏土吸水膨胀的效果最好；正电胶颗粒的ξ电位越大，平均粒度越小，抑制能力越强．     

PVC用ZnAlLa-CO2-3类水滑石的制备与表征

以锌、铝、镧硝酸盐为原料,采用阴离子交换法制得ZnAlLa-CO2-3类水滑石,通过XRD、FT-IR分析样品的物相结构、结晶度以及插层阴离子的种类.结果表明,在制备条件为:n(La3+ )/n(Al3+)不高于1/8,pH=8.0,阴离子交换时间为1.0～2.0h,碳酸钠为理论所需用量的2倍时,得到了结晶度好、纯度高...     

过饱和沉淀法合成Zn-Al类水滑石及其表征

分别用高、低过饱和沉淀法合成了n（Zn）／n（Al）=2：1的Zn—Al类水滑石（HTlc）,并用XRD对所获得的水滑石样品进行了表征,结果表明：高过饱和沉淀法合成的水滑石的谱峰比低过饱和沉淀法合成的水滑石的谱峰更尖锐,说明高过饱和沉淀法的结晶效果优于低过饱和沉淀法．基于此,利用高过饱和沉淀法合成了一系列的Zn-Al-HTlc,并通过XRD,IR和TG进行了表征,研究了样品中的n（Al）／n（zn＋Al）,即x对Zn-Al-HTlc化学组成、晶体结构的影响．当0．25≤x≤0．51时可得到单一的Zn-Al-Cl-HTlc相;x≤0．25时有ZnO杂质相出现;x值对晶胞参数a和c的影响不大．     

Co/Mg/Al/Ni四元类水滑石的制备与表征

采用共沉淀法制备了Mg/Al、Co/Mg/Al、Co/Mg/Al/Ni等类水滑石样品.应用X-射线衍射分析(XRD)、热重-差热分析(DSC)及比表面积测定(BET)等方法对所制备的类水滑石样品进行了检测和分析.实验结果表明,合成的水滑石(HT)及类水滑石(HTLCs)具有水滑石的特征衍射峰,且其混合氧化物样品的比表面与水滑石的比表面相近,说明合成的化合物基本具备水滑石的性质.     

元素组成对类水滑石晶体结构的影响研究

合成了一系列类水滑石，通过X射线衍射、电子显微镜、元素分析、粒度分布等技术手段研究了元素组成及原料配比对类水滑石晶体结构的影响．     

木质素磺酸盐插层Mn-Al类水滑石的制备及其催化性能研究

利用水热法制备了木质素磺酸盐插层Mn-Al类水滑石,并将其用于过一硫酸氢盐的活化以降解抗生素.通过X射线衍射、扫描电子显微镜、傅立叶变换红外光谱和紫外-可见吸收光谱对插层前后的Mn-Al类水滑石的晶体结构、形貌进行表征与分析.同时,研究了磺酸根插层Mn-Al类水滑石对类水滑石催化性能的影响.     

类水滑石晶粒尺寸控制方法的研究

将超声波应用到NiAl类水滑石化合物的制备中，探讨了超声作用机理，研究了超声辐射对颗粒的形成和晶粒尺寸的影响。研究表明，超声能量能加速类水滑石的成核，超声场下加入分散剂能有效地控制晶核的长大和团聚；成核过程中过饱和度对类水滑石晶粒尺寸有较大的影响，增大晶化过程过饱和度有利于制备小粒径的类水滑石。     

含稀土铕类水滑石的合成与表征

用中温水热法合成了含稀土铕类水滑石,并用ＸＲＤ、ＦＴ一ＩＲ、ＸＰＳ等手段进行了表征。     

剥离态镁铝类水滑石纳米片的制备及其吸附性能

针对类水滑石因层板存在较强静电作用,难以实现有效剥离这一问题,提出利用类水滑石焙烧产物的“记忆效应”实现乙酸铵对自组装镁铝类水滑石的插层预处理,再通过高温加热使层间有机组分挥发来制备剥离态镁铝类水滑石纳米片;主要考察了过程因素对剥离效果的影响,借助XRD、TEM、AFM等测试分析手段对剥离前后样品进行表征,比较研究了类水滑石剥离前后样品的吸附性能。结果表明,当镁铝类水滑石在450℃下分解为MgO和Al₂O₃后,将上述混合金属氧化物按3 g/L的投加量投入500 mL、浓度为1 mol/L的乙酸铵溶液中,搅拌剥离12 h后,在200℃下焙烧30 min后可获得剥离态镁铝类水滑石纳米片,该纳米片粒度小、分散性好,在水中可实现重组而具有类水滑石的特征衍射峰。吸附试验结果表明,未剥离类水滑石对Cr(Ⅵ)具有较好的吸附去除效果,而剥离态类水滑石纳米片对Cd(Ⅱ)的吸附性能较剥离前明显提高自我评价。     

水滑石固定化木瓜蛋白酶制备的研究

文中研究了阴离子型层状材料—水滑石(LDHs)作为载体,经过戊二醛活化处理后采用共价结合的方法固定化木瓜蛋白酶。讨论了层板电荷密度对固定化酶活的影响,并优化固定化时间、温度、pH值、给酶量和戊二醛质量分数等固定化条件,实验结果显示：木瓜蛋白酶的最佳固定化条件是给酶量为每0.5 g载体固定16 mL 10 g/L的溶液酶,固定化温度15 ℃,pH7.0,固定化时间12～24 h,与2 mL质量分数为0.5%的戊二醛交联,所得固定化木瓜蛋白酶酶活回收率平均可达55%左右。     

Co-Cu-Mg-Al四元类水滑石的合成与表征

以共沉淀法合成了1.5Co/0.5Cu/Al,1.25Co/0.25Cu/0.5Mg/Al,Co/0.5Cu/0.5Mg/Al和Co/Cu/Al等样品,采用TG-DSC和XRD进行了表征.结果表明,1.5Co/0.5Cu/Al,1.25Co/0.25Cu/0.5Mg/Al和Co/0.5Cu/0.5Mg/Al样品都形成类水滑石(HTLcs),而Co/Cu/Al样品因Jahn-Teller效应未能形成HTLcs.     

类水滑石CuMgAl的制备、表征及其催化性能的研究

针对共沉淀法制备类水滑石难于操作、易混入碱金属离子等缺点,采用水热和尿素水解法制备了三元类水滑石CuMgAl（Cu＋Mg/Al=3,Cu/Mg=5.0,3.0,1.0,0.33）,并将合成的类水滑石用于苯羟基化反应;采用X射线衍射（XRD）、傅里叶变换红外光谱（FT-IR）、扫描电镜（SEM）等手段对类水滑石进行表征,以CuMgAl31作为催化剂,考察了反应时间、反应温度、溶剂及用量、催化剂用量、n（benzene）/n（H2O2）对苯羟化反应的影响.结果表明：与CuMgAl11、CuMgAl21、CuMgAl13催化剂相比,CuMgAl31具有较高的反应活性,反应的最佳条件为：反应时间6h、反应温度65℃、15mL吡啶作为溶剂、10mg催化剂、n（benzene）/n（H2O2）=3.0时,苯的转化率为5.5%,苯酚的选择性几乎为100%.     

Ni-Cu-Mg-Al-Cr五元类水滑石的合成与表征

采用共沉淀法合成了含Ni、Cu、Mg、Al、Cr五种元素不同量的4个样品,采用TG-DSC和XRD测试技术进行了研究.结果表明,除Ni/Cu/2Mg/Al/Cr外,含Cu、Ni、Cr较少的0.5Ni/0.5Cu/3Mg/2Al、0.5Ni/0.5Cu/3Mg/1.5Al/0.5Cr和0.5Ni/0.5Cu/3Mg/Al/Cr的3个样品均为类水滑石(HTLcs).     

锌铝类水滑石催化酯化高酸原油脱酸

采用共沉淀法制备锌铝类水滑石,用X射线衍射、傅里叶变换红外光谱、SEM扫描电镜、BET比表面孔径测量及TG-DTA热分析对其表征,并考察其对高酸原油酯化脱酸反应的催化性能.结果表明:经过ZnAl-HTlc催化剂的作用,在原油与催化剂的质量比为200、反应时间为60 min、反应温度为250 ℃、乙醇与油的质量比为0.02的条件下,原油的酸值可以由3.61降到0.24;原油中的环烷酸与乙醇反应生成环烷酸乙酯,可有效降低原油的酸值并降低其对设备的腐蚀性,能够满足炼油厂在不进行材质升级条件下加工高酸原油的需要.     

共沉淀法合成Mg-Al-类水滑石影响因素研究

混合共沉淀法制备类水滑石(HTlc)纳米粒子时,其粒径及粒径分布会受到多种因素的影响。本文采用正交设计法研究了Mg-Al-HTlc纳米粒子的合成,比较了胶溶时间、胶溶温度、碱用量及老化时间对晶胞参数、粒径及粒度分布的影响及作用。各因素对平均粒径影响顺序为:胶溶温度>老化时间>胶溶时间>碱用量。各因素对粒度分布影响顺序为:碱用量>胶溶温度>老化时间>胶溶时间。单分散HTlc纳米粒子最佳制备条件为:胶溶时间48 h,胶溶温度100℃,碱用量nNH3.H2O/(2n(Mg2+)+3n(Al3+))=1,老化时间45 min。     

新型水滑石催化剂的制备工艺研究

对水滑石的各种基本制备方法如包括变化PH值共沉淀法和恒定PH值沉淀法、盐一氧化物合成法、离子交换法和焙烧还原法等进行了比较．以镁、铝和铁为原料,采用一定的配比,在适宜的PH值、温度和浓度下发生化学反应,然后经过抽滤、洗涤、干燥、煅烧等步骤,制备镁铝铁水滑石催化剂;并研究了实验过程中反应物浓度、温度、PH值对催化剂的形成起到的极其重要的影响．     

稀土类水滑石的合成与表征(Ⅰ)

合成了稀土钆在层晶格骨架中的类水滑石，经X射线衍射，红外光谱，X射线光电子能谱进行了表征。