宽带平衡式低噪声放大器的研究与设计

为解决低噪声放大器设计时带宽和驻波的问题,提出一种结合平衡放大结构和负反馈技术设计宽带低噪声放大器的方法。采用ATF38143晶体管,利用ADS软件对其进行匹配优化,以自偏压的形式提供负压简化电路,通过并联谐振电路调节增益平坦度,设计出一个工作在1.5~2.5 GHz内、端口驻波小于1.4,噪声系数优于0.55、最大增益大于14 dB、带内增益平坦度优于2 dB的宽带低噪声放大器,很好地解决了低噪声放大器的带宽和驻波问题。     

用于GNSS的高增益宽带低噪声放大器

基于UMC 0.18 μm CMOS 工艺,设计了一款用于全球卫星导航系统(GNSS)的宽带低噪声放大器(LNA). 其中,采用并联反馈电阻噪声抵消结构降低整体电路的噪声,使用电感峰化技术提升工作频带内的增益平坦度,进而优化高频噪声性能. 此外,采用共源共栅结构提高电路的反向隔离度. 仿真结果表明,在电源电压为1.8 V 的条件下,低噪声放大器的-3 dB 带宽为1 GHz,最大增益为15.08 dB,在1-2 GHz 内增益变化范围为±1 dB,噪声系数为2.65-2.82 dB,输入回波损耗和反向传输系数分别小于-13 dB 和-40 dB. 芯片核心面积为740 μm×445 μm.     

X、Ku波段宽带低噪声放大器的设计

文章利用有损匹配的方法设计了一种覆盖X、Ku波段的宽带低噪声放大器,其工作频率为8～18 GHz,带内功率增益大于32 dB,增益平坦度小于3 dB,输入输出端口的回波损耗S11和S22均优于-7 dB,噪声系数小于2.8 dB,最大输出功率为16 dBm,且具有工作频带宽、输入输出匹配结构简单的特点.     

0.1-1.2 GHz宽带巴伦低噪声放大器设计

提出了一种可用于0.1-1.2 GHz射频接收机前端的宽带巴伦低噪声放大器(Balun-LNA).采用噪声抵消技术,输入匹配网络的沟道热噪声和闪烁噪声在输出端被抵消,在宽带内可同时实现良好的输入匹配和低噪声性能.通过分别在输入匹配级内增加共源放大器,在噪声抵消级内增加共源共栅放大器实现单端转差分功能.电路采用电流复用技术降低系统功耗.设计基于TSMC 0.18μm CMOS工艺,LNA的最大增益达到13.5dB,噪声系数为3.2-4.1 d B,输入回波损耗低于-15 d B.在700 MHz处输入1 dB压缩点为-8 dBm,在1.8 V供电电压下电路的直流功耗为24 mW,芯片面积为0.062 5 mm².     

低噪声宽带放大器的设计及应用

本文详细地叙述了UHF频段低噪声宽带放大器的设计及其应用。放大器由三只低噪声双极晶体管2sc3358组成,制作在环氧玻璃纤维敷铜板上,并安装在一个90×50×30mm~3的铝制屏蔽盒内。其性能为:频率范围470～970MH_2,增益>28dB,噪声系数(合混频器)<1.5dB。     

一种用于SKA的SiGe宽带低噪声放大器

文章设计了一款用于平方公里阵列(Square Kilometer Array,SKA)接收前端的异质结双极型晶体管(heterojunction bipolar transistor,HBT)低噪声放大器。放大器的第1级在反馈电感的基础上采用电容负载,利用晶体管寄生电容拓展带宽;第2级利用发射极跟随放大器实现宽带内稳定的输出阻抗。采用HHNEC 180 nm SiGe工艺对电路进行仿真,版图仿真结果表明,在0.5～1.5 GHz内,噪声系数低于1.16 dB,最小噪声系数为0.76 dB,S_(21)大于15 dB。整个电路尺寸为1.1 mm×0.98 mm(含焊盘),在3.3 V供电电压下,功耗为34 mW。     

带有源巴伦的CMOS宽带低噪声放大器设计

设计了一种400～800 MHz带有源巴伦的低噪声放大器(balun-LNA).电路输入级采用共栅结构实现宽带匹配,输出端使用共源漏技术来实现巴伦功能,将单端输入信号转变为差分输出信号,利用参数优化设计来降低噪声性能.电路采用TSMC 0.18 μm RF CMOS工艺仿真,结果表明:在400～800 MHz工作频段内,balun-LNA的输入反射系数小于-12 dB,噪声系数为3.5～4.1 dB,电压增益为18.7～20.5 dB,在3.3V电压下功耗约为17.8 mW.     

CDMA低噪声放大器的研究与设计

介绍CDMA低噪声放大器的设计．分析设计中需注意的关键问题并给出相应解决措施。给出了实测的该低噪声放大器的各项性能指标。     

一种覆盖Ku波段平衡式低噪声放大器的设计

采用HMIC技术,设计出了覆盖Ku波段的微带型平衡式低噪声放大器,其全频段NF<2,增益为(10±1)dB,输入输出VSWR<1.43.其中,耦合电桥采用了改进型的3 dB Wilkinson耦合器,比传统电桥具有更宽的带宽,且更易实现.匹配网络采用宽带直接优化法,实现了良好的增益平坦度.整个电路结构紧凑,分离元件少,易加工,成本低,具有很大的工程价值.     

用于皮电检测的低噪声放大器的设计与仿真

根据皮肤电位的电特性 ,设计出一种低噪声放大器 ,并计算和分析了这种放大器的噪声因子 ,计算和分析结果表明该放大器是能够用于检测皮电信号的低噪声放大器 .     

2．4GHzCMOS低噪声放大器的设计

基于0．18μmCMOS工艺,采用共源共栅源极电感负反馈结构,设计了一个针对蓝牙接收机应用的2．4GHz低噪声放大器（LNA）电路．分析了电路的主要性能,包括阻抗匹配、噪声、增益与线性度等,并提出了相应的优化设计方法．仿真结果表明,该放大器具有良好的性能指标,在5．4mw功耗下功率增益为18．4dB,噪声系数为1．935dB,1dB压缩点为-14dBm．     

一种高线性的CMOS低噪声放大器结构

采用TSMC0.35μmCMOS工艺,设计了一个5.7 GHz可用于无线局域网的低噪声放大器,电路在采用单端共源共栅结构的基础上为改善线性度而引进低频陷波网络(Low-frequency-trap Net-work),用ADS软件仿真与优化.仿真结果表明,在电源电压1.5 V情况下,噪声系数NF为1.22 dB,输入反射系数S 11为-15 dB,反向隔离性能S12为-32.9 dB,增益S21为17.8 dB,三阶交截点IIP3为 12.7 dBm,功耗为8 mW.     

5.8GHz CMOS全集成低噪声放大器设计

针对目前在LNA设计中存在需要在任意给定的功耗条件下噪声和输入阻抗同步匹配的问题,本文采用TSMC0.18μm RF工艺,通过利用共源共栅结构和功耗受限下噪声和阻抗同步匹配技术(PCSNIM),提出了一个可支持IEEE802.11a无线局域网(WLAN)标准的5.8GHz CMOS低噪声放大器,在中心频率处所提出的低噪放大器的噪声系数(NF)只有0.972dB。仿真结果表明:在1.8V供电电压下LNA的功耗为6.4mW,增益可达17.04dB,输入1dB压缩点(P1dB)约为-21.22dBm,同时具有良好的输入输出匹配特性。     

基于ZigBee接收机的2．4 GHz CMOS LNA的设计

采用SMIC0.18μm RF-CMOS工艺,设计了一种符合IEEE802.15.4标准,应用于ZigBee射频接收机前端的2.4 GHz低噪声放大器(LNA),详述了该优化电路结构的设计原理,并给出了仿真结果.仿真结果表明,该LNA在5 mW的较低功耗下,可实现较低的噪声系数(NF=2.9 dB),较大的增益(11.3 dB)和良好的非线性度(IIP3=1.75 dBm),完全满足ZigBee应用的要求.     

微波宽带放大器的计算机辅助设计

本文论述了微波宽带放大器计算机辅助分析和设计的基本原理和方法。介绍了电路分析子程序和A—S转换子程序以及优化子程序。讨论了目标函数的建立和最优化技术,最后给出设计实例。     

L波段低噪声放大器的分析与设计

利用Advanced Design System(ADS)完成了L波段低噪声放大器(LNA)的设计.分析了实际电路可能产生的非连续性、寄生参数效应等因素对电路各个性能指标的影响,并针对这些因素利用ADS进行了电磁仿真计算,最后给出了放大器的仿真结果和最终电路及测试结果.采用ATF-35143器件设计,达到了预定的技术指标,工作频率1.21GHz,增益G大于14dB,噪声系数NF小于0.5 dB,输入1dB压缩点大干5dbm.     

SiGe HBT低温敏宽带低噪声放大器设计

采用两级锗硅异质结晶体管(SiGe HBT)低噪声放大芯片,通过ADS2015进行宽带电路匹配设计了一款频率覆盖超短波到L波段的宽带低噪声放大器(LNA).仿真显示该LNA工作频率在0.07～2 GHz,增益Gain>30 dB,噪声系数NF<0.78,增益平坦度Gain Flatness<0.2 dB,输入输出回波损耗Return Loss<-10 dB.实测结果显示常温下该LNA测试指标和仿真结果基本一致,233 K低温下该LNA的Gain实测值比常温下测试结果增大1 dB左右,其它指标基本一致,证实了采用SiGe HBT放大芯片设计的低噪声放大器噪声性能良好且具有低温敏特性.     

L波段低噪声放大器的仿真和设计

介绍使用Agnent公司的微波电路CAD进行仿真和优化设计L波段低噪声放大器的方法和过程,并对制成品在工作频段为1.7～1.9 GHz,噪声系数0.9 dB,增益为22 dB,带内平坦度0.5 dB进行实际测试和调试,结果表明,此放大器基本达到预定的技术指标,并对放大器低温测试结果进行探讨.