改良西门子法生产多晶硅污染物排放调查

通过调查企业改良西门子法生产多晶硅所使用的原料、生产工艺、各污染物产生环节、污染物处置措施、处置设施及各种污染物的有组织排放浓度和厂界无组织排放浓度进行监测,对改良西门子法生产多晶硅排放的污染物进行了全面的调查.阐述了改良西门子法生产多晶硅排放的污染物种类及各种污染物达标排放情况.     

多晶硅生产副产物SiCl4合成高纯石英玻璃的方法

针对国内多晶硅生产副产物四氯化硅的消化处理,通过对多晶硅生产尾气冷凝液主要成分三氯氢硅和四氯化硅等组分和杂质的含量分析,提出了利用多晶硅生产副产物四氯化硅合成高纯石英玻璃的方法及其工艺条件.通过分析四氯化硅合成高纯石英玻璃的影响因素,针对性地提出了生产控制方法.对高纯石英玻璃材料的理化性能及应用进行了探讨,为多晶硅行业资源综合利用及增效减排,提供了切实可行的途径.     

染色腐蚀法制备多晶硅的绒面

为了降低光的反射,应用染色腐蚀法制备多晶硅的绒面.对多晶硅的绒面进行了反射率和SEM形貌测量.在适当的腐蚀液中制备的3×3 cm2的多晶硅,其表面反射率在300～1 000nm波长范围为5.7%.这一结果可以和具有双层减反射膜的碱制备的多晶硅表面的反射率相比拟.     

三相多功能电能表失压及其检测技术分析

多功能电能表的失压记录功能,是电能表最常用的一种实用化事件记录功能,通过失压事件记录可为追补电量提供准确的追补依据,避免因追补电量引起的供、用电双方纠纷。多功能表的失压检测因电压采样方式的不同有多种技术方案,形成了不同电能表有不同的失压记录。本文就是针对电网运行中的各类电能表,分析了失压检测技术,重点分析了三相三线多功能电能表电压不同采样方式下的失压检测方案和存在的问题,以及全失压情况下的失压判断检测技术。     

激光晶化多晶硅的制备与XRD谱

对氢化非晶硅（a-Si∶H）进行了脱氢和不同能量密 度的准分子激光晶化多晶硅的实验, 对所得样品用X射线衍射表征. 针对多晶硅（111）面特征峰的强度、 晶面间距和宽化信息, 分析了激光功率密度对晶化多晶硅结晶度和应力的影响, 根据谢乐公式（Scherrer）估算了晶粒的大小, 得到用准分子激光晶化多晶硅的较佳工艺参数, 并且验证了激光辐射对薄膜材料作用的3种情况.     

多晶硅薄膜晶体管晶粒间界的微观带隙能态及电学模型的研究进展

随着多晶硅薄膜晶体管技术的不断提高,其应用也日益广泛,特别是在有源液晶显示器,以及新一代有机发光显示器件等领域的应用极为迅速.对多晶硅薄膜晶体管的电学特性进行完整表征和模型研究,必须建立在准确的晶界带隙能态分布信息的基础上.本研究全面分析了多晶硅材料中晶界带隙能态分布的研究现状及数学模型,这是多晶硅薄膜晶体管建模的基础...     

多晶硅膜改善薄发射区晶闸管开通特性机理分析

本文通过建立发射区两区模型,对多晶硅膜改善薄发射区晶闸管开通特性的机理进行了分析,结果表明:基区注入的少子在多晶硅区运动受障碍导致等效薄发射极晶体管的电流增益提高;多晶硅膜的少子迁移率和寿命是提高电流增益的两个关键参数.管芯测试结果亦表明,由于多晶硅膜的作用,薄发射区晶闸管的开通特性并未因发射区很薄而受影响.     

取消低压断路器欠压（失压）脱扣功能的危害及对策

阐述配电网低压断路器欠压（失压）脱扣功能使用现状，讨论取消低压断路器欠压（失压）脱扣功能对用户设备以及电网运行带来的危害，提出对低压断路器宜采用延时欠压脱扣器及失压脱扣重合闸控制器的解决方案，从而使低压断路器欠压（失压）脱扣功能更好地发挥作用。     

一种围栅金属氧化物半导体场效应管阈值电压模型

针对深亚微米金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)多晶硅耗尽效应加剧问题,提出了一种全耗尽圆柱形围栅MOSFET阈值电压解析模型.通过求解多晶硅耗尽层电势泊松方程,得到多晶硅耗尽层上的压降,用以修正沟道区的通用边界条件.然后利用叠加原理求解沟道二维电势泊松方程,建立了圆柱形围栅MOSFET的表面势和阈值电压解析模型,并利用器件数值仿真软件Sen-taurus对解析模型进行了验证.研究结果表明,衬底掺杂原子浓度越高,或多晶硅掺杂原子浓度越低,多晶硅耗尽层上的压降就越大,阈值电压偏移也越显著.与现有模型相比,该解析模型的精确度提高了34%以上.     

低掺杂多晶硅薄膜晶体管阈值电压的修正模型

对低掺杂多晶硅薄膜晶体管的表面势进行分析,将表面势开始偏离亚阈值区、沟道电流迅速增加时所对应的栅压作为晶体管的阈值电压.考虑到多晶硅薄膜的陷阱态密度为单指数分布,通过对低掺杂多晶硅薄膜晶体管的表面势进行求解,推导出一个多晶硅薄膜晶体管阈值电压解析模型,并采用数值仿真方法对模型进行了验证.结果表明:新模型所得到的阈值电压与采用二次导数法提取的阈值电压相吻合.     

三相多功能电能表失压分析

针对电网运行中的各类电能表,分析了三相多功能电能表电压不同采样方式下的失压判断方法和检测方案,以及全失压情况下的失压判断检测技术。结果表明,在不同方式下的判断方法和检测方案各有优缺点。     

一种鉴别多晶硅晶粒优劣的方法

在国外,多晶硅太阳电池已和单晶硅电池并驾齐驱.在国内,多晶硅材料和电池也已投产.由于多晶硅生长方法和工艺条件的不同,将会产生晶粒质量上的差异.本文介绍一种鉴别晶粒优劣的方法,它与D.Leung等人的方法不同,是非破坏性的,用直接测量多晶硅扩散结的光电压来识别晶粒或者小区域质量的优劣. 用常规方法将P型多晶硅片清洗,腐蚀,扩散成n~+层,去除磷硅玻璃,背面印刷铝浆并烧结,然后在此面上再印刷并烧结一层银浆,使之与硅形成良好的欧姆接触,去除了硅片周边的扩散寄生结后,便可对扩散结的光电压进行测量.测量时,将数字万用表一棒与     

基于LabVIEW的多晶硅太阳能电池噪声精确测试方法

介绍了多晶硅太阳能电池的噪声测试方法,利用其噪声进行可靠性筛选,设计了一套完整的太阳能噪声测试系统,自动测量了太阳能电池噪声,详细研究了多晶硅太阳能电池噪声测试方法及过程.实验结果证明,运用噪声测试可以快速、准确、无损地对多晶硅太阳能电池进行可靠性筛选.     

某变电站开关事故跳闸原因分析与整改措施

煤矿对连续稳定供电要求极高,瞬间失压将会给煤矿造成重大的安全故障和经济损失。该文通过对某变电站罗九线507开关事故跳闸原因分析,得出了507开关跳闸原因和整改措施,应用表明提出的措施,简单实用,避免类似事故再度发生。     

多晶硅薄膜制备技术的研究进展

多晶硅薄膜是当前在能源科学和信息技术领域中广泛使用的功能材料,它兼具单晶硅和氢化非晶硅(a-Si:H)的优点.本文评论了近几年多晶硅薄膜制备技术的研究进展,着重讨论了每种方法薄膜的淀积机理,并预测了多晶硅薄膜制备技术的未来发展趋势.     

p-Si TFT的电场增强MILC制备技术

采用电场增强金属诱导侧向晶化方法获得了结晶良好的多晶硅薄膜,并采用该工艺制备了p沟道薄膜晶体管器件,其迁移率为65cm2/(V·s),开关态电流比为5×106.采用拉曼光谱分析、X射线衍射、扫描电镜等微观分析手段对多晶硅薄膜进行了分析,结果表明加电场于两电极之间有促进多晶硅薄膜晶化的作用.采用EFE-MILC技术获得了大的晶粒尺寸,并用此技术制备了p沟多晶硅TFT.表明EFE-MILC技术是在低温下获得大晶粒尺寸p-Si薄膜和高性能p-SiTFT的好方法.     

温度对RTCVD法制备多晶硅薄膜生长的影响

多晶硅薄膜太阳电池是21世纪最具发展潜力的薄膜太阳电池.如何快速、大面积、高质量地沉积多晶硅薄膜一直是多晶硅薄膜太阳电池研究中的一个核心问题.文中以SiHCl3为硅源、B2H6为掺杂气,采用先进的快热化学气相沉积法(RTCVD)制备了大晶粒的多晶硅薄膜.所制备的薄膜厚度为30~40μm,沉积速率达3~7μm/min.文中还分析了沉积温度对多晶硅薄膜生长速率及晶体微观结构的影响.结果表明:当沉积温度在900~1170℃时,平均生长速率随温度近似单调递增,此时薄膜生长由表面反应阶段控制;随着温度的升高,薄膜平均晶粒尺寸也由900℃时的不足3μm增长到1170℃时的超过30μm;温度较低时,薄膜易向[220]方向生长;温度达到1170℃时,多晶硅薄膜有向[111]方向生长的趋势.     

多晶硅薄膜生长因素的分析

近些年来,多晶硅薄膜已广泛地应用在半导体器件上,例如大规模集成电路、太阳能电池等。尽管应用的如此广泛,但由干对多晶硅物理特性的了解尚不是十分充分,因而给器件生产带来一定的盲目性。因此,生长优质多晶硅薄膜并弄清楚生长过程中各个因素之间的关系,对研究多晶硅的物理特性是很有必要的。为此,对多晶硅的生长速率与淀积时间的关系、掺杂剂对多晶硅薄膜生长的影响、淀积温度对多晶硅薄膜生长的影响进行了研究和讨论。 采用常规的硅烷热分解化学气相淀积方法(APCVD)生长多晶硅薄膜,用 WDL-31光电温度计测量多晶硅薄膜淀积温度,用6JA…     

多晶硅铸锭炉升降机构设计

简要认识了太阳能电池用多晶硅铸锭炉的工作原理及结构组成.重点介绍了多晶硅铸锭炉中的炉门升降装置和隔热框升降装置的结构设计.     

起重机失压保护功能失效原因分析

随着现代工业的不断发展,越来越多的起重设备投入到生产中,起重设备的安全直接影响到设备安全和人身安全,造成事故的原因有较大部分是由于起重机的电气故障引起的。通过介绍起重机失压保护功能及其原理,并对起重机失压保护功能失效的原因进行分析,希望能对消除起重设备运行中出现的失压保护功能故障及检验起到一定的借鉴意义。