氧化锡UPF的表面性质分析

对采用直流气体放电活化反应蒸发沉积法制备的氧化锡超微粒子薄膜（ＵＰＦ）进行了ＳＥＭＸＲＤ及ＡＥＳ的表面分析、并讨论了不同基体薄膜表面性质的影响。     

添加剂对SnO2气敏材料敏感特性的影响

采用浸渍法和化学共沉淀法制备了十五种金属或金属氧化物掺杂的SnO_2气敏材料.用透射电子显微镜(TEM)、X射线衍射(XRD)和X光电子能谱研究了材料的陶瓷微结构和化学组成,用静态配气法测试了材料的气敏性能.结果表明:Ag,CuO和ZnO作为廉价的敏感添加剂,可用于制造可燃气体传感器;ZnO和Re_2O_3的掺杂可显著改善SnO_2对酒精的选择性;Sb_2O_3的掺杂能明显降低SnO_2的电阻;添加剂Ag和CeO_2与SnO_2之间存在一定的电子相互作用,对Sn3d的键合能(BE)有一定影响.     

衬底温度对激光脉冲沉积氧化锌薄膜结构及发光性能的影响

在单晶硅衬底上用激光脉冲沉积方法制备了氧化锌薄膜,研究了衬底温度对薄膜结构、形貌和发光性能的影响．     

添加剂对SnO2气敏特性的影响

本文考查了不同添加剂对二氧化锡气敏特性的影响,研究了工作温度与元件电阻之间的关系,并对二氧化锡气敏半导体的检测机理作了一些探讨。     

基片温度对ZnO薄膜结构和发光性能的影响

采用对靶直流反应磁控溅射方法,在不同温度的Si（100）基片上制备了一系列的ZnO薄膜．利用X射线衍射仪和荧光分光分度计对ZnO薄膜的结构和发光性能进行了研究．结果表明：所有的ZnO薄膜都具有六角纤锌矿结构,且都表现出了（002）织构．随基片温度增加,ZnO薄膜结晶质量提高,其颗粒尺寸单调增加,并且薄膜应力状态发生改变,由压应力转变为拉应力．同时光致发光谱实验结果表明：室温沉积的ZnO薄膜出现了365nm和389nm的紫外双峰,并且出现了弱的蓝光发射带．随着基片温度升高到350℃,365nm附近的紫外峰红移到373nm,并且强度增强,而389nm处的紫外峰强度明显减弱．当基片温度增加到500℃时,373nm的发光峰强度减弱并蓝移到366nm处,蓝光带强度减弱并红移到430nm-475nm处,并且出现了396nm的近紫峰．     

反应温度对水热法制备Eu掺杂ZnO纳米片结构和性能的影响

采用水热法制备了稀土Eu掺杂的Zn0纳米片状材料（ZnO：1％Eu）,在稀土Eu掺杂浓度一定的条件下讨论了不同水热反应温度对纳米片结构的影响,得出材料最佳生长温度,并研究了该反应温度条件下掺杂材料的光学性能．实验结果表明,稀土铕以正三价价态成功地掺入到ZnO晶格中．在反应温度为155℃时,材料的结晶质量最好．该反应温度下PL谱图显示出Eu3＋的特征发射峰,分别位于579．6,587．8和614nm处,它们是V—V的跃迁,分别来源于Eu3＋的5D0-7Fo,^5D0-7F1和^5D0-^7F2跃迁．     

Sb2O3对高能氧化锌压敏电阻器性能的影响

为了改善高能氧化锌压敏电阻器（ＭＹＮ）的性能，研究了Ｓｂ２Ｏ３对ＭＹＮ性能的影响，结果表明：Ｓｂ２Ｏ３掺杂量小时，ＭＹＮ性能变坏，但当Ｓｂ２Ｏ３掺杂量上升时，ＭＹＮ的性能改善，可用Ｓｂ２Ｏ３的掺杂量对ＭＹＮ微观结构的影响来解释这一现象。     

退火时间对纳米CoFe2O4/SiO2复合薄膜结构和磁性的影响

利用溶胶-凝胶旋涂法制备了纳米CoFe2O4/SiO2复合薄膜.利用X射线衍射仪、原子力显微镜、振动样品磁强计对样品的结构和磁性进行了研究.结果表明,随着退火时间的延长,样品中CoFe2O4的晶粒尺寸和晶格常数变大.随着晶粒尺寸的增加,样品的矫顽力变大,当退火温度为3 h时,样品垂直和平行膜面的矫顽力分别为246 kA·m-1和198 kA·m-1,样品具有较明显的垂直磁各向异性.     

退火温度对未掺杂ZnO薄膜的结构、电学和光学性质的影响

本工作利用磁控溅射技术在石英衬底上生长出沿c轴择优取向的未掺杂ZnO薄膜,利用X射线衍射,光致发光,X射线光电子谱和Hall效应测量技术,研究了退火温度对结构、电学和光学性质的影响.发现真空退火可以提高ZnO的晶体和光学质量.生长的ZnO薄膜呈绝缘性质,经真空退火后变成导体,且导电类型和电性随退火温度而改变,并经590℃退火后获得p型ZnO.本文对退火影响ZnO结构、电学和光学性能的物理机制进行了讨论.     

NOx对掺杂贵金属的SnO2气敏元件特性的影响

本文报道了掺杂Ｐｄ和Ｐｔ等贵金属的ＳｎＯ２气敏元件置于ＮＯｘ气氛中，灵敏度发生明显下降的现象，分析认为，其主要原因是元件中的贵金属受到ＮＯｘ污染，ＸＰＳ分析表明，污染后Ｐｄ ３ｄｓ／２已确有化学位移。     

尺寸对铜纳米薄膜2p3/2 能级偏移的影响

结合断键理论(BOLS)和X射线光电子能谱(XPS)分析尺寸对铜纳米薄膜2p3/2能级偏移的影响.通过研究实验测得的XPS谱数据发现铜块体2p3/2的结合能为932.70eV,相对于铜单原子2p3/2的结合能931.00eV偏移了1.70eV.能级产生正偏移主要因为尺寸引起了键收缩,从而引起局域应变、量子势阱以及哈密顿量微扰的变化,最后导致了能级正偏移.事实证明我们可以利用配位数和化学环境来分析XPS谱,并进一步确定有关局域键长、键能、束缚能密度以及原子结合能等定量信息.     

Cu元素比例对Cu_2ZnSnS_4薄膜光电性能的影响

采用溶胶-凝胶法,以金属醇盐和硫脲为原料,并将乙二醇甲醚为溶剂在玻璃衬底上制备不同Cu组分比例的Cu_2ZnSnS_4薄膜材料,通过金相显微镜进行观察。结果表明:Cu元素摩尔比为1.8、1、9时,薄膜表面颗粒分布较为均匀,最强吸光度为0.23A、透射比为80.86%。随着Cu比例的增大,载流子浓度逐渐升高,迁移率和霍尔电压降低,最大载流子浓度和迁移率分别为3.87×1017/cm~3和3.58×102cm~2/V.S,霍尔电压最大值为12mV,Cu元素比例增加后,CZTS薄膜结晶质量变差,电阻率减小。     

电沉积条件对ITO/TiO2/CdS薄膜光电性能的影响

采用电沉积方法,以ITO/TiO2薄膜为基底,在水体系中成功制备出ITO/TiO2/CdS复合半导体薄膜,通过光电流作用谱考查了该薄膜电极的光电性能。实验表明,电镀液的组成、实验温度可影响薄膜中CdS纳米粒子的生长,从而使不同条件获得的复合薄膜电极的光电转换效率不同,实验温度为40℃、电镀液的组成为CCd2 =0.02 mo.lL-1,CS2O23-=0.10 mo.lL-1,pH=2.0条件下沉积所得的ITO/TiO2/CdS薄膜电极,在400 nm~500 nm波长范围内具有较强的光吸收,也有较高的光电转换效率。     

表面态对TiO2纳米晶薄膜光电流的影响

研究TiO2纳米晶薄膜电极的光电化学特性。通过测定阳极光电流-时间瞬态光电流响应,分析纳米晶薄膜/溶液界面的光生电荷转移的动力学规律。光照后的慢电流响应与TiO2纳米材料的表面态有关。导带电子向深能级表面态的传递是造成慢电流响应的原因。     

溅射压强对WSe2纳米薄膜形貌及光电性能的影响

采用射频（RF）磁控溅射技术在Si（100）衬底上制备WSe₂纳米薄膜,研究在不同制备压强（2.0、2.5、3.0 Pa）下WSe₂纳米薄膜的形貌及光电性质变化.采用扫描电子显微镜（SEM）、能谱仪（EDS）、X射线衍射仪（XRD）、光致发光谱（PL）、霍尔效应等测试对薄膜样品进行基本性质表征.SEM测试结果表明：溅射压强的改变对薄膜形貌有显著影响,随着压强的增加“蠕虫”状结构更加明显.进一步研究WSe₂的生长取向,XRD测试结果表明WSe₂薄膜在（008）晶面优先生长,证明压强的不同会改变WSe₂的晶体结构,提高其结晶性和光吸收特性.此外电学性能测试表明,WSe₂纳米薄膜的载流子浓度和霍尔系数可以通过改变压强来调节.体现了磁控溅射技术制备的WSe₂具有可控性好,易于重复等优点,在构建多功能WSe₂器件领域中具有很好的应用前景.     

前驱体溶液pH值对Cu2ZnSnS4薄膜光电性能的影响

采用溶胶-凝胶法在玻璃衬底上制备Cu2ZnSnS4薄膜材料,通过调节前驱体溶液的pH值,研究pH值对Cu2ZnSnS4薄膜材料光电性能的影响.采用扫描电镜观测样品表面形貌,采用紫外可见光分光光度计、霍尔效应测试系统测试样品光电性能.结果表明:前驱体溶液pH值为4.5时,制备的Cu2ZnSnS4薄膜颗粒较为均匀,结晶质量...     

氧化温度对TiO_2纳米管形貌及其催化活性的影响

在不同氧化温度下,采用阳极氧化法制备了一系列TiO2纳米管。利用扫描电子显微镜(SEM)、X-射线衍射(XRD)、X-射线光电子能谱(XPS)对TiO2纳米管的形貌和组成进行了表征,并采用瞬时光电流-时间响应谱测试了TiO2纳米管的光电催化性能,用光催化降解罗丹明B对其光催化性能进行了表征。结果表明,提高氧化温度会降低TiO2纳米管表面的规整度,但可提高其长度和管径,氧化温度过高会导致TiO2纳米管强度变弱,极易断裂;TiO2纳米管的光电催化性能随着氧化温度的升高先提高后降低,适宜的氧化温度为20℃。     

Ca^2,Mg^2＋总浓度对磁化水抑垢效果的影响

通过动态模拟实验,确定了不同Ｃａ＾２＋,Ｍｇ＾＋总浓度对磁化水抑垢率的影响,并分析了磁化水抑垢机理,实验结果表明,对于碳酸盐型水应用磁化水抑垢效果好,抑垢率均在５４％以上。