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相似文献
 共查询到13条相似文献,搜索用时 109 毫秒
1.
本文证明了位置集L=GF(2m)、生成多项式G(z)=z2+az+b的二元Goppa码,除m为偶数并且S1=0,S3=a-1外,是准完备的.当m为偶数,那末不存在重量不大于3的矢量具有伴随式S1=0,S3=a-1;但至少存在一个重量为4的矢量具有伴随式S1=0,S3=a-1,此外,还给出L=GF(2m)、G(z)=z2+az+b的二元Goppa码的一个完全译码.  相似文献   

2.
本文采用中频衰减法和微带测试电路.测量了超高频应用的低噪声GaAs双栅肖特基势垒栅场效应晶体管(以下简称GaAS双栅MESFET)的最小噪声系数NFmin、相应功率增益Ga和增益控制量GR,借助网络分析仪测量了S参数.测试表明,1GHz下最佳噪声系数NF0为0.8dB,而GaGR可达11.5dB和48dB,在0.5~2GHz频带内,器件处于稳定工作状态.  相似文献   

3.
指数和在扩频序列设计中的应用   总被引:1,自引:0,他引:1  
p为奇素数,n、m、e、r是满足如下条件的正整数:n=em,1 ≤ re-1,(r,e)=1,kp次本原单位根,q=pm,J:z→ktrm1(z)是有限域Fq上加法特征.对任意a,bFqe,定义指数和e(a,b)=∑xFqeJ[trmn(ax+bxqr+1)],其中trmn(°)表示从FqeFq上的迹函数.文中求出了指数和e(a,b)的值,并讨论了该指数和在扩频序列设计中的应用.  相似文献   

4.
从理论和实验技术上讨论了等温衰减电流(IDC)法及其在有机固体陷阱研究中的应用;介绍了根据Simmons等人的理论研制的实验装置:和对几种有机固体薄膜馅阱的研究; 得到了高斯分布型陷阱的峰值能级Em,分布宽度参数σ,和能态密度N(E),以及载流子热释放的频率因子v等重要的陷阱表征参数.  相似文献   

5.
K5Bi1-xErx(MoO4)4固溶体的晶体数据   总被引:1,自引:0,他引:1  
用衍射仪和德拜-谢乐相机,Cu靶Ka辐射,收集了K5Bi1-xErx(MoO4)4(x=0,0.1,0.3,0.5,0.7,0.9,1.0)的X射线粉末衍射图谱.K5Bi1-xErx(MoO4)4(x=0~1)在x的变化范围内是固溶体,它们属于三方晶系,空间群为五R3m,Z=1.5,K5Bi0.9Er0.1(MoO4)4晶胞参数为:a=0.6020nm,c=2.0740nm.  相似文献   

6.
将现代网络综合设计的理论和方法——插入衰减综合法从电压传递函数Kv(s)推广到电流传递函数KI(s)、转移阻抗函数Zm(s)和转移导纳函数Gm(s),从而使插入衰减综合法适用于一切传递函数.并获得如下重要结论:现有的针对Kv(s)、R1=R2=1Ω(归一化阻抗)所制作的各种滤波器设计图表均可用来设计与Kv(s)具有相同传递特性的KI(s)、Zm(s)、Gm(s)滤波器。  相似文献   

7.
非参数回归函数最近邻估计强相合性的研究   总被引:4,自引:0,他引:4  
在样本序列{(xn,yn),n ≥ 1}为平稳φ-混合的情况下,研究了回归函数m(x)的最近邻估计mn(x)的强相合性问题,并给出了它在非参数判别中的一个应用.  相似文献   

8.
本文采用液相外延方法在InSb衬底上生长InSb1-xBix外延层,初步得出了外延生长条件包括温度,生长速率,熔池组分及衬底取向等与外延层x值的关系.此外,为了使x值达到所希望的适当范围,进行了InSb1-xBix电外延的初步试验.  相似文献   

9.
本文将Banach空间上的线性时滞控制系统dx(t)/dt=Ax(t)+∑i=0k (Biu(t-ri))+∫10 (B(θ)u(t+θ)dθ,t ≥ 0,(0=r0 < r1 < … < rk=r<∞)).  相似文献   

10.
考虑2×2方程组:ut+F(u)x=0,-∞ < x < ∞,t>0,(1-1)  相似文献   

11.
对布尔函数的分解问题,该文给出两种分解法,分别适用于以表达式或真值表给出的全定义或部分定义布尔函数.  相似文献   

12.
本文导出光截止法中透光因子的解析式,它们分别适用于短波和长波.这些表式被用于实验测量并证明对改善精度和测量速度是很有用的.根据这些表式,获得精度为10-5的3000个数值的表,进而得到碲镉汞组分x和透光因子F的一个有用的精确到2×10-4的解析式.  相似文献   

13.
通过两个加细函数的卷积运算,给出构造加细函数的新方法.讨论了由卷积运算产生的加细函数的性质,特殊地当伸缩因子为2时,得到任意两个B-样条尺度函数Ni(x)和Nj(x)的卷积仍是一个Ni+j(x)B-样条尺度函数.最后给出构造算例.  相似文献   

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