TCNQ-离子自由基金属盐的电开关现象

从31种TCNQ离子自由基盐的粉末压片中,观察到Li-TCNQ、Mn(TCNQ)₂·3H₂O、Cu-TCNQ、Cu(TCNQ)₂、Zn(TCNQ)₂·xH₂O和Ag-TCNQ有电开关效应.粉末压片的直径是5或8mm,厚度300-600μm,片的两面分别蒸镀Cu和Al电极.电压超过阈值5-8 V时,伏安特性出现突变,电阻值突然下降,从10⁴-10⁵Ω降至10²-10³Ω.高阻态(关态)与低阻态(开态)的电阻比值约几十到几千.     

模耦合对激光线宽的影响

通过对于Lamb激光量子理论^[3,4]的推广,S.Singh^[1]和S.Chu^[2]已研究了双模激光的量子统计性质.本文将使用Lamb的全量子理论处理方法,获得激光场密度算符非对角元的运动方程,进而求得激光在双模运转下的线宽并讨论模耦合对线宽的影响.     

纵向放电激励XeCl*闪光灯

准分子体系的辐射特性与激光作用已有不少报道^[1~3],准分子基态为排斥态或不稳定态,而其激发态为稳定的分子态,但其寿命也仅在10^-8秒的数量级.     

二氟一氯甲烷的激光裂解

从CF₂HCl裂解制备C₂F₄已有很久历史.七十年代以来不少作者从热分解^[1]、分子束技术^[2]、以及多光子解离^[3~7]等方面对反应机理作了详尽的研究.本文利用连续CO₂激光为热源,研究了CF₂HCl的非均相反应机理.     

离子迁移LiNbO3光波导中Ag、Tl的XPS分析

本文对电场增强离子迁移法制作的LiNbO₃光波导^[1]样品作了不同于已有分析方法^[2,3]的X光电子能谱(XPS)分析,对不同模数正、负波导面上的Ag、Tl、Nb、O等元素进行了测定,并对波导层中所含的Ag、Tl离子进行了剖面分析.分析结果表明:电场增强离子迁移法制作的LiNbO₃波导中,Nb⁵⁺没有变价.正波导面上Ag离子的含量随盐浴时间的延长而增加,而负波导面上则无此规律.剖面分析结果表明,Ag⁺、Tl⁺离子内迁的深度为500~2500(Å);正波导面的离子分布呈现一个台阶然后再以余误差分布下降,负波导面的离子分布为余误差分布;与光学测量计算结果比较,离子内迁深度不超过波导层的1/10.     

碱金属锂蒸气中新的红外辐射带(b3∑g+-x3∑u+)

Konowalow等人首先从理论上预言了在钠和锉的双原子分子里获得b³∑_g⁺-x³∑_u⁺的受激辐射^[1,2].文献[3]在钠蒸气里观察到b³∑_g⁺-x³∑_u⁺辐射带,但是至今尚未见到关于Li₂(b³∑_g⁺-x³∑_u⁺)辐射带的报道.     

砷化镓上等离子体阳极氧化膜的红外吸收光谱

GaAs的等离子体氧化在国内外已有报道.该薄膜的表面态密度约为10¹¹/cm²·eV量级,击穿场强大于10⁶V/cm.可用于MOSFET器件、半导体激光器和发光二极管的钝化膜,选择性(锌)扩散的掩蔽膜^[6,7].本文报道GaAs上等离子体阳极氧化(OPA)膜的红外吸收光谱以及该氧化膜在一定波段内对GaAs衬底的增透作用。     

Fe3O4生成过程的研究

化学共沉淀工艺制备Fe₃O₄的磁性与沉淀剂、混合方式、溶液浓度、Fe⁺⁺与Fe⁺⁺⁺、Fe⁺⁺与OH^-1离子的克分子比率等密切相关.当碱性溶液缓慢滴入Fe⁺⁺,Fe⁺⁺⁺混合溶液中时,Fe₃O₄的生成过程大致上分为两个阶段.     

面式-三(2-苯基吡啶)铱苯并衍生物结构和发光性质的密度泛函理论研究

采用密度泛函理论B3LYP/LANL2DZ方法,对面式-三(2-苯基吡啶)铱(1)以及在2-苯基吡啶配体上引入一个苯并环形成的衍生物(2～8)的基态结构进行优化,并通过含时密度泛函理论研究了这些化合物的发光性质.结果表明:8种分子均呈现C3对称性,苯环和吡啶环平面间的二面角2(6.29°)→3(1.90°)→4(12.76°)的变化趋势与8(6.98°)→7(1.17°)→6(12.83°)的变化趋势相似.增加2-苯基吡啶配体上的π共轭范围对配合物HOMO能量影响不大,但是能显著地降低LUMO的能量,尤其是苯并结构形成在配体吡啶环上.在HOMO和LUMO之间的能隙按照1>2>4>5>3>8>6>7的顺序降低,这使得2～8的吸收光谱产生了明显的红移.三线态T1的激发波长按1<5<2<4<3<8<7<6的顺序变化,发射光谱红移可以从36 nm到108 nm精细调控,其中6和7从三线态到单线态的磷光发射分别移至602.6 nm和572.7 nm,表明通过该系列苯并衍生物预测和控制从绿色到红色的电致发光颜色在20 nm的计算误差内是可行的.     

高频离子源中应用等离子体及非等离子体化学反应对于引出金属离子的区别

文中介绍了高频离子源^[1]中应用等离子体化学反应与非等离子体中的化学反应对于引出金属离子束的区别.通过实验事实和分析,证明在引出金属离子方面,等离子体中的化学反应比非等离子体中的化学反应效果要好;等离子体化学反应在高频离子源中及离子注入机上得到运用,效果较好,有其特点.应用等离子体化学反应并结合物理手段较方便地获得了金属离子束,特别是解决了高挥发温度金属离子束的获得问题.已引出的离子有:Re⁺、W⁺、Mo⁺、Y⁺、Nd⁺、Pd⁺、Au⁺、Ta⁺、Ti⁺、Cr⁺、Ce⁺、Ag⁺、Fe⁺,Ca⁺、V⁺,Al⁺,Be⁺、Li⁺、Si⁺、Ga⁺、In⁺,Bi⁺等.     

Te溶液生长半磁半导体Cd1-xMnxTe的光学和电学性质研究

测量了Te溶液生长半磁半导体(SMSC) Cd_1-xMn_xTe的导电类型、电阻率、霍尔迁移率和光致发光(PL).测定结果表明,Te溶液生长Cd_1-xMn_xTe晶体质量和稳定性均优于布里奇曼长晶,根据正四面体配位晶场中Mn²⁺3d (⁴T₁)能级出现在Cd_1-xMn_xTe禁带中的观点,分析了在0.85~1.5μm范围内红外透射光谱上存在吸收边的原因。     

光截止法中透光因子的解析式及其与碲镉汞组分的关系

本文导出光截止法中透光因子的解析式,它们分别适用于短波和长波.这些表式被用于实验测量并证明对改善精度和测量速度是很有用的.根据这些表式,获得精度为10^-5的3000个数值的表,进而得到碲镉汞组分x和透光因子F的一个有用的精确到2×10^-4的解析式.     

离子注入拉通雪崩光电二极管的电场模型

应用离子注入技术制作n+-p-π-p⁺拉通型雪崩光电二极管时(Si-RAPD),可以用高斯型杂质分布模型求得到它的电场模型.找到了倍增因子M与电压间关系,详细讨论了电场强度E对击穿电压V_B,耗尽层宽度W和有效离化率比值k_eff等影响.计算值与实测值符合较好.应用本模型,对Si-RAPD进行最佳设计是十分方便的.     

硅与反应溅射二氧化硅界面特性的研究

本文对反应溅射SiO₂薄膜作了红外光谱研究,发现反应溅射法所获得的SiO₂薄膜中,硅与氧的反应并不完全.我们认为这是造成它与硅之间界面态密度升高的原因之一.为了改善Si与反应溅射SiO₂薄膜的界面特性,将溅射在硅片上的SiO₂薄膜,在含CCl₄的气氛中于950℃温度下进行氧化与退火处理.结果使Si-SiO₂的界面特性大大改善,对于n型(100)晶向的硅片其界面态密度下降到5.3×10¹⁰cm^-2·V^-1.以此SiO₂薄膜作为栅,成功地制出了MOS场效应晶体管.     

剩余寿命的若干极限性质

设非负随机变量T₁,T₂,…,T_n,…独立同分布,分布函数F为连续,而{N(t),t ≥ 0}是以T₁,T₂,…为相继到达时间而产生的更新计数过程.本文求出了当t ≥ 0,s ≥ 0时,剩余寿命γ(t)与γ(t+s)的联合分布函数以及其混合矩当t,s→∞时的极限性态.结果表明t,s→∞时,γ(t)和γ(t+s)是渐近独立的.     

聚醚基磁性液体的研制及其在真空转轴密封中的应用

共沉淀法制得的磁性粒子经聚醚磷酸酯表面活性剂处理并分散于基液聚醚中,得到了稳定的聚醚基磁性液体,透射电镜分析表明磁性粒子在基液中分散良好,其粒径大多在8~12nm.磁性液体RE-Ⅲ(4πM_s=0.0450 T)被应用于X-射线衍射仪的旋转阳极密封中,仪器已使用了两年多,在3000r/min条件下,真空度可达到2.7×10^-5Pa左右.     

光谱连续的脉冲真空紫外(VUV)辐射源研究

报道了一种光谱连续的真空紫外辐射源的设计和特性研究。为提高其辐射强度,辐射源设计在高气压、短脉冲状态工作。实验测得当充氢0.2~0.9MPa、极距0.4~0.8mm时,辐射源击穿电压为4~10kV,脉冲宽度1.2~2.2×10^-7s.与充氢压强、极间距有关,用Meek的击穿判据,理论计算了击穿电压,用放电通道膨胀理论,计算了放电脉冲宽度,发现两者都与实验基本相符。真空紫外辐射源的轴向光谱辐亮度,用一事先标定好的真空紫外光谱探测系统测量,其连续光谱辐射主要在140~160nm和175~200nm两个区间,来源于氢分子辐射,其最大积分轴向辐亮度可达11mW/Sr·cm²。     

压电陶瓷的性能老化与换能器性能的衰退

本文以编号为Fe1.5的发射型压电陶瓷材料为对象,采用标准试样和某种规格的压电振子,分别实验考察在不同温度(室温,60℃和100℃),压力(30kg/cm²)以及电功率密度(0.3W/cm³·KC和0.5W/cm³·KC)作用下,压电陶瓷材料和换能器性能随时间对数的变化.实验结果表明,导致压电陶瓷机电耦合系数和介电常数的老化原因不尽相同.在0.3W/cm³·KC电功率作用下陶瓷元件的老化行为与单一因素作用下的变化规律不同,机电耦合系数和介电常数稍有上升.看来这与发射型材料自身的内偏置电场有关.我们认为,在给定的应力、温度和电功率的综合作用下,压电陶瓷性能的劣化并不严重,它不会引起压电陶瓷换能器性能的衰退.适当的温度处理有助于压电陶瓷材料和换能器性能的稳定.