光谱连续的脉冲真空紫外(VUV)辐射源研究

报道了一种光谱连续的真空紫外辐射源的设计和特性研究。为提高其辐射强度,辐射源设计在高气压、短脉冲状态工作。实验测得当充氢0.2~0.9MPa、极距0.4~0.8mm时,辐射源击穿电压为4~10kV,脉冲宽度1.2~2.2×10^-7s.与充氢压强、极间距有关,用Meek的击穿判据,理论计算了击穿电压,用放电通道膨胀理论,计算了放电脉冲宽度,发现两者都与实验基本相符。真空紫外辐射源的轴向光谱辐亮度,用一事先标定好的真空紫外光谱探测系统测量,其连续光谱辐射主要在140~160nm和175~200nm两个区间,来源于氢分子辐射,其最大积分轴向辐亮度可达11mW/Sr·cm²。     

电荷共享效应的RESURF横向功率器件击穿电压模型

分析降低表面场(reduced surface field, RESURF)横向功率器件耐压机理,假定共享区电荷沿对角线分配给横向和纵向耗尽区,建立了一个新的RESURF横向功率器件击穿电压模型. 该模型能准确描述漂移区全耗尽和不全耗尽情况下的耐压特性,并具有数学表达式简单以及物理概念清晰的优点. 在此基础上,导出了一个新
的RESURF判据,进而给出了一个用于指导器件设计的漂移区剂量上下限. 解析结果与实验结果吻合较好,验证了击穿电压模型和RESURF判据的正确性.     

离子注入拉通雪崩光电二极管的电场模型

应用离子注入技术制作n+-p-π-p⁺拉通型雪崩光电二极管时(Si-RAPD),可以用高斯型杂质分布模型求得到它的电场模型.找到了倍增因子M与电压间关系,详细讨论了电场强度E对击穿电压V_B,耗尽层宽度W和有效离化率比值k_eff等影响.计算值与实测值符合较好.应用本模型,对Si-RAPD进行最佳设计是十分方便的.     

Pb掺杂纳米ZnO压敏电阻器

本文对掺铅ZnO(Bi2O3,Co2O3,MnO2,SnO2)系压敏电阻的烧结特性及电性能进行研究,以无机可溶性盐为原料通过简单的化学共沉淀法制取了颗粒细微、均匀的掺铅ZnO压敏陶瓷粉料.将共沉淀复合粉体进行差热和热重分析后,选定复合粉体的烧结温度为600℃.ZnO压敏电阻器的烧结温度为950℃.研究表明当铅的含量从0.5%增加到2.0%时,击穿电压从799.3 V/mm减小到688.1 V/mm.随着铅含量的增加,ZnO晶粒尺寸长大是击穿电压减小的主要原因.当Pb的物质的量分数为0.8%时,压敏电阻器的非线性系数达到α=35.2.     

轻掺杂漏LDD MOSFET的工艺及特性

对LDD MOSFET的两种形成技术——侧向刻蚀和边墙技术进行了分析和比较,证明了边墙技术对控制轻掺杂区域长度具有更高的精确性;同时,利用边墙技术和全离子注入工艺,在硅栅NMOS工艺基础上,成功地制得了1μm沟道长度的LDD MOSFET.测试结果表明,LDD MOSFET击穿电压高于常规MOSFET 3V以上,同时阈值电压的短沟效应明显减小.这些优点意味着LDD MOSFET结构在VLSI中有着广泛的应用前景.     

互嵌式壳型电极探测器的三维电学性能仿真

提出了一种基于闭合式壳型电极探测器(closed shell-electrode detector,CSED)的互嵌式壳型电极探测器(interleaved shell-electrode detector,ISED,中国专利#zl201721077852.6),通过减少死区来提高电荷收集效率.该文对ISED的新设计理念进行了详细的讨论.利用Silvaco TCAD工具对ISED的电学特性进行了三维模拟,包括电势分布和电场分布.在可形成有效阵列的"组合单元"中,ISED由嵌套的壳型电极引入的死区是CSED中的一半.ISED单元中交错壳型电极引入的对电性能的干扰是最小的,并且低电场区保持在方形单元内的两个对角上.该文还对探测器的全耗尽电压、电容、击穿电压、I-V和C-V特性进行了模拟,并给出了结果 .     

PDP扫描驱动芯片的新型200VP沟功率MOSFET及工艺研究

提出了一种适合PDP扫描驱动芯片的高压P沟道ED-LDMOS器件结构,源漏击穿电压及栅耐压均达到220V以上.通过添加P型扩展阱,能够有效降低P+漏极边缘电场60%,减轻漏极电流汇聚效应,抑制寄生双极型晶体管开启,从而原器件开启态耐压(180V)提高了40V;同时设计了能与0.6μm标准低压CMOS工艺完全兼容的制备工艺,特别提出一种厚栅氧与多晶栅的刻蚀方法——余量刻蚀法,有效防止由于光刻误差引起的栅源短路击穿.     

农村电网结构优化(2)

1.网络布局优化.网络布局是指变电所布点和线路连接.宏观地评价网络布局可以通过一些结构参数,这些参数的优化值有的是在供电半径优化过程中得出的;有的则是根据优化供电半径计算得出的.(1)变电所的布点密度:可根据同电压等级变电所的平均间距衡量,其优化值应为2倍优化供电半径.     

LDD MOSFET表面横向电场模型及其应用

本文提出了一种计算LDD(Light-Doped Drain)MOSFET表面横向电场的解析模型.该模型含LDD MOSFET几何和掺杂参数,可用以计算具有不同长度、结深及掺杂的轻掺杂漏区的LDD MOSFET表面横向电场,并可计算常规MOSFET和缓交漏MOSFET的表面横向电场.用该模型算得结果与用FD-MINIMOS进行数值计算得到的结果相符.基于该模型算得的电场结果,可计算衬底电流,并进而计算击穿电压.该模型可十分简便地确定LDDMOSFET的最佳几何参数的掺杂参数,为LDD MOSFET的设计提供便利的工具和快速的参数提取方法.     

基于平均电流控制的Buck变换器建模和仿真

电压控制模式的DC／DC变换器只有输出电压一个反馈量,工况（电压或负载）变化导致输出电压变化时,控制器才会自动调整,稳定性差且响应速度慢．平均电流控制是提高DC／DC变换器稳定性和动态调节性能的有效方法．本文采用状态空间平均法,建立Buck型DC／DC变换器在电流连续模式下的交流小信号模型,求出该变换器的电流和电压控制环的开环和闭环传输函数,分析其稳定性和动态特性．用matlab软件仿真,结果表明理论模型正确,并确定电流和电压控制器校正装置的关键参数．     

硅光伏测量电池的设计原理

讨论了硅光伏测量电池的设计原理.还讨论了掺杂浓度、结深和表面复合速度对光伏电池主要参数(如开路电压、短路电流、反向暗电流和光谱响应)的影响.为了应用的需要,分析了串联电阻和傍漏电阻对线性的影响.最后给出了温度效应的数学模型和典型电路设计与R_(sA)的关系.     

用10.6μm红外激光辐照在硅中掺入铝和锑制备大面积p-n结的研究

用脉冲高能红外激光(波长10.6μm),在N型和P型单晶硅中分别掺入铝和锑,制备了最大面积可达φ20mm的p-n结.激光掺杂存在一个阈值能量密度.掺杂浓度和深度的分布与预热温度和杂质镀层厚度有关.并对p-n结的伏安特性,扩散层薄层电阻和光生电压进行了测试.     

用电子束感生电压技术检测锑化铟红外探测器

在DX-3A扫描电子显微镜上加上了低温样品架,在83K用电子束惑生电压技术(EBIV)检测了锑化铟光生伏特型红外探测器的若干性能.探测器的EBIV像可清楚地显示出光敏面扩大的程度及多元探测器中各敏感元之间的隔离不完善性.光敏面上缺陷引起的响应不均匀性也可灵敏地检测出来.对于具有腐蚀台阶的台面型探测器,从EBIV分布曲线可估计出p-n结的深度.     

铁氧体加载波导环行结的三维场理论

本文推广Copplestone^[1]的方法,分析了铁氧体加载的H面波导环行结,并对各区域电磁场求解、匹配.借助于结的本征值,将结的内部问题转化为结的散射矩阵,从而建立了铁氧体加载的H面波导环行结的三维场理论.对于g=3的情况,数字计算和实验结果是吻合的.     

基于软开关技术的电流变高压控制电源的设计及仿真分析

设计了一款基于软开关技术的高压电源,并进行了仿真分析.该电源由单片机控制,采用平面变压器为系统的升压元件,可提供最高达5000 V的电压输出,且电压连续可调,稳定性也能满足要求.它对实现电流变技术的工程应用有着重要的意义.     

多用途高压直流可调稳压电源

本文使用三端可调稳压集成电路LM317T,巧妙地控制高于其稳压值6倍以上的高压直流电源的稳定度,从而实现了提高稳压电源精度的目的,节约了大量的电子原器件,简化了电路,降低了成本,为物理实验提供了新型的电源.     

三相输电线路磁场的矩量法分析

以导线的形状、高度及位置为状态参数,分析高压传输线周边磁场磁感应强度分布计算的矩量法.经实例计算,结果与权威数据非常吻合,表明该计算方法比传统计算方法更准确、更有效.该矩量法可用于高压线附近电磁污染评估分析.     

用于低阻半导体器件结电容测量的混频-锁相检测技术

本文提出一种利用低频锁相放大器测量高频信号的混频-锁相检测技术.将这一技术用于低阻半导体器件的结电容测量,获得了满意的结果.测量装置的工作频率在400千赫~4兆赫间连续可调,可以测出结电阻低到50欧姆的器件的结电容.文中列出了碲镉汞光电二极管结电容的测量结果.     

电气化铁道的智能选相真空断路器研究

通过对自动过分相系统暂态过程的分析,研究开发了采用永磁操作机构的智能选相真空断路器.介绍了研制的单稳态永磁操作机构、高压真空灭弧室、断路器同步关合技术的具体实施方案,以及智能选相真空断路器成功应用于地面带电自动过分相技术.实现了牵引变电所的零故障跳闸,提高了电气化铁道供电的可靠性.     

测量高压窄脉冲放电能量的一种新方法

提出了一种利用平衡电桥和比较法测量高压窄脉冲放电能量的新方法。它能大大提高测量正确性和可靠性。同时也指出了使用电容充电测试方法的错误及不可信性。