热氮化SiO2膜的抗辐射特性

离子注入、电子束和离子束曝光以及电子束蒸发等技术已用于超大规模集成电路生产中.但是,这些新工艺引入了高能粒子辐射,给MOS集成电路的概介质带来了新的缺陷.因此,寻找抗辐射的栅介质是令人感兴趣的课题.近来,Ito等人提出,将SiO_2膜在无水氨气中加热处理一定时间,能直接转变为氮氧化硅,称为热氨化二氧化硅.它与热生长的SiO_2膜相比,具有较高的击穿电场强度和介电常数,较好的抗氧化能力和抗沾污性能.但是,对热氮化SiO_2膜的抗辐射特性的研究报道不多.仅Naiman等人作了一些研究.在他们的实验中,把10nm厚的热氮化SiO_2膜与50nm厚的SiO_2膜作了比较,这不能说明前者的抗辐射特性比后者的好.     

集成电路版图设计课程教学研究

<正>日前,为加快推进我国集成电路产业发展,工信部经国务院同意正式发布了《国家集成电路产业发展推进纲要》.集成电路(IC,即Integrated Circuit)作为整个电子信息产业发展的核心和关键,对于我国的信息化发展来说至关重要.我国集成电路产业发展起步较晚,发展水平较低[1].而我国集成电路芯片的年进口额约与石油年进口额持平,其重要性可见一斑.因此,作为集成电路设计专业的核心课程,集成电路版图设计必须在教学上进行创新,力求使学生掌握理论精髓,提高实践水平,并争取培养学生相关的创新能力.对集成电路版图设计课程的教学进行改革与探索,获得了良好的效果.     

免费IP核的应用

IP核是指在微电子领域中用来生成ASIC(Application Specific Integrated circuit)和PLD(Programmable Logic Device)的逻辑功能块,又称IP Core.它可以重复利用,IP核在集成电路的设计和制造上有很重要的作用,随着集成电路技术的飞速发展,IP核的开发及复用就变得异常重要.     

CMOS／SOD抗核加固电路辐照后的恢复特性

以金刚石膜作为绝缘埋层，利用金刚石膜上的薄层硅（ＳＯＤ）技术，制作５４ＨＣＴ０３ＣＭＯＳ／ＳＯＤ结构的集成电路，对该电路在辐照后的恢复特性进行研究，结果表明，ＳＯＤ电路在大剂量辐照后的恢复能力明显强于体硅电路；常规非辐照环境下的高温退火工艺更有利于辐照后的ＳＯＤ电路的快速恢复。     

基于RC网络集成电路的多晶硅薄膜电阻工艺优化

介绍基于RC[1]网络集成电路中的制作多晶硅电阻工艺和掺杂方法,并详细阐述了这种方法的工艺过程和控制方式.利用LPCVD方式制作多晶硅薄膜,可以得到很好的膜层均匀性和最佳的淀积速率,再利用POCl3进行高温掺杂[2],得到优化的电阻率,灵活改变各种参数,可使电阻的精度优于5%.     

覆盖铝的不连续锡膜结构及光学性质研究

该文研究了不连续锡膜上覆盖铝膜的光学性质.发现覆盖铝对不连续锡膜的光学性质影响很大,增强了可见光区的光谱选择吸收和红外反射率.不连续锡膜的填隙因子对这种膜系的光学性质影响较大.应用所建立的结构模型和Maxwell-Garnett理论,计算了这种双层结构膜的反射曲线,结果与实验基本相符.这种膜系具有各种美丽的反射色,有可能作为新型的建筑、灯具、室内等装饰用的镜面材料.     

磁控溅射薄膜的厚度分布

论述了磁控溅射薄膜的厚度分布,从理论上分析了固定基体、基体转动和自转加公转三种状态下的膜厚分布.计算表明,膜厚分布很大程度上取决于基体高度.适当调节基体高度和靶的距离,可以得到很好的膜厚均匀性.实验证实了这个结果.     

CMOS集成电路在工业程序控制方面的应用

<正> CMOS集成电路是互补型金属——氧化物——半导体(Complementary Meta I-Oxide-Semiconductor)集成电路的简称。近年来在我国的电子计算机、通讯、导航、遥测、遥控及其它工业自动控制方面得到了较为广泛的应用。本文着重从应用的角度谈谈体会。一、CMOS集成电路的特点 CMOS集成电路的主要元件是MOS场效应晶体管,其导电机理是建立在半导体表面的“场效应”现象上的,与一般晶体管不同。所以CMOS集成电路具有理想的开关特性,其静态功耗电流只有微安数量级,所允     

激光扫描光电显微镜

本文报道了利用半导体材料和器件光电导效应研制成功的一种新型成象检测系统——光电显微镜.并用该显微镜对几种MOS功率管和TTL集成电路进行了静态和动态检测,其结果说明光电显微镜不但可用来检测各种集成电路(包括大规模集成电路)的静态缺陷,更重要的是可用于探查器件在工作情况下的逻辑状态、电荷分布及失效分析等,从而为分析集成电路提供一种非接触式、非破坏性、能用于常温常压的方便有效的检测方法.     

微电子学专业教学中存在的问题与应对方法

微电子技术是随着集成电路,尤其是超大规模集成电路发展起来的一门新技术.它包括系统电路设计、器件物理、工艺技术、材料制备、自动测试及封装等一系列专门技术,是微电子学中各项工艺技术的总和.     

N/P硅外延片的少子扩散长度测量

本文提出了用N/P硅外延片的结光电压光谱响应确定N/P硅外延片中少子扩散长度的方法.导出了入射光强1和结光电压V、光吸收系数a的理论关系,其中包含了外延层和衬底少子扩散长度的信息.     

高锰可锻铸铁高温石墨化退火动力学研究

对高锰可锻铸铁的高温石墨化退火动力学进行了研究.研究结果表明:适当调整可锻铸铁中的硅含量可以实现高锰可锻铸铁的高温石墨化退火过程;随着硅含量的提高,完成高温石墨化退火的时间逐渐缩短.     

干氧中Si快速初始氧化的一种新模型

本文对干氧中Si热氧化的快速初始氧化提出了一种新模型.该模型既考虑了界面反应速率系数,又考虑了增强扩散效应对快速初始氧化的影响;避免了Schafer-Lyon的"氧化物内固定正电荷影响界面反应速率系数"模型所存在的问题;同工艺模拟程序SUPREM-Ⅲ中所用的薄氧化模型相比,具有较明确的物理意义;所用模型公式在形式上同线性-抛物线氧化模型公式相似,特别适用于VLSI CAD.另外,用本模型还可以解释为什么Si在湿氧气氛中没有快速初始氧化现象,以及为什么非掺杂多晶硅初始氧化速率比晶向的单晶硅还要快.     

CVD金刚石薄膜表面晶形研究

本文较详细地研究了采用ＨＦＣＶＤ方法在Ｓｉ、Ｍｏ等衬底上生长出的不同表面晶形的多晶金刚石薄膜，讨论了生长条件（衬底温度、碳源浓度、反应压强）对金刚石薄膜晶粒形貌的影响．结果表明在ＨＦＣＶＤ方法中，金刚石薄膜表面晶形对生长条件十分敏感，生长条件的微小变化就会导致不同表面晶形的生长．     

金属杂质在硅中的分凝及其在器件工艺中的应用

以金属杂质在硅中的分凝作为磷吸除的机理,以金为例,计算金在磷掺杂区和本征硅区的分凝系数,其结果和实验结果一致:硅器件工艺中适当低温的最终分凝退火能获得较佳的吸除效果.作者将该分凝退火技术用于光电探测器的制备中,获得了低于10pA/mm~2的暗电流值.该技术也适用于降低一般硅器件的结反向漏电流.经磷吸除后硅材料产生寿命值的提高也作了介绍.     

一种提高SOS膜结晶质量的新途径

这是一种提高SOS膜结晶质量的新方法.这种方法包括三步:1)在蓝宝石衬底上先用电子束蒸发薄无定形硅保护层.2)然后在氢气中进行退火处理.3)再用通常CVD方法在带薄硅层上外延生长所需厚度(0.6~0.8μm)的SOS膜.对所得SOS膜进行电子衍射、Nomarski相衬干涉显微镜表面观察、载流子浓度测量和光吸收研究表明:SOS膜质量完好,光吸收因子F_A ≤ 140×10⁶cm^-2,抑制了自掺杂,载流子浓度不超过1×10¹³cm^-3.     

La_(0.7)Ca_(0.3)MnO_3薄膜的高分辩电镜研究

La0 7Ca0 .3MnO3巨磁阻薄膜是具有广泛应用前景的磁学材料 ,薄膜样品在外磁场下观察到较大的负巨磁阻效应 .运用高分辨电子显微镜研究了巨磁阻薄膜的生长机制 ,确定了薄膜良好的外延生长关系 ,并对薄膜界面的结构与缺陷进行了探讨 .     

单一相Ca_2Si膜选择性生长(英文)

磁控溅射系统在恒定溅射功率、Ar气压和Ar气流流量下,直接在Si(100)衬底上沉积两组不同沉积结构的Ca膜。随后,600℃分别真空退火5、6、8、10和12 h。使用XRD、EDAX和FT-IR对结果膜的结构和表面进行了测试。沉积膜的原子与衬底之间利用固相间相互扩散反应从多相共生的Ca -Si系统选择性的生长出单一相的Ca2Si膜。并且确定了沉积膜的结构、退火温度和退火时间是单一相硅化物选择性生长的关键因素。     

硅单晶杂质补偿度对超高反压大功率晶体管耐压特性的影响

一、引言 超高反压大功率晶体管DF104是电视机的重要电子器件。提高其质量和合格率是发展国产电视机的重要课题之一。在严格的器件设计和工艺条件下,采用低补偿度的优质硅单晶材料,能有效地提高这晶体管的击穿电压及其合格率,从而降低其成本。 实验用的衬底硅单晶片是电阻率大体相同(P≈80Ωom)的N-Si。实验时,从同一硅单晶锭切下硅片,用55K低温霍尔法和迭代法抽样检测其杂质补偿度K,再将和抽样检测样品相邻的硅片,经严格抛光清洗之后投片生产晶体管。每次生产条件严格保持相同。对生产出的晶体管,统测其耐压BV_(ceo)和BV_(cbo)及其合格率ξ,η等。合格率ξ和η分别定义为耐压≥某额定耐压BV_(ceo)和BV_(cbo)的成品数对总成品数之比。     

汽相Cd压控制下熔体生长CdTe晶体的研究

根据测定的CdTe熔体平衡蒸汽分压与温度关系,通过汽相Cd压控制熔体组成生长CdTe晶体,有效地控制了晶体组成对化学计量比的偏离,且晶体完整性、电学与光学特性有了明显改善.测定的若干性能达到或超过国际上报道的最佳值.国内有关单位用以制作的温度传感器和液结光化学电池以及用作CdTe热壁外延衬底,均取得满意结果.