新型微功耗集成漂洗发射极晶体管

研制了磷穿过热生长薄氧化层扩散形成发射区的高频集成漂洗发射极晶体管.从与常规晶体管比较的角度,研究了这种新型的漂洗发射极晶体管的直流特性、电流增益与集电极电流及温度的关系、发射区禁带变窄效应和表面复合效应对增益的影响,并比较分析了两者的磷杂质纵向分布.     

双极型晶体管发射区有效杂质分布的温度关系

从理论上研究了双极型晶体管发射区中有效杂质分布N_(Eeff)在不同温度下与发射区浓度N_E的关系,结果表明:常温和高温时,N_(Eeff)随N_E的增大而上升;在低温下,N_(Eeff)则随N_E的增大而下降,而在某一特殊温度时N_(Eeff)将与N_E无关,这将为双极晶体管提供设计依据.     

光电晶体管基区分布电阻的计算

给出了包括解析式外基区电阻和从SEDAN程序计算得到的基区Gummel数在内的内基区电阻的计算.结果表明该电阻与光敏区面积、发射区边长、发射区位置、发射极电流等因素有关.方形光敏区中发射极的最佳位置在中心;光敏区边长对发射区边长的最佳比值是7.578425:1.这些结果将被用于设计低噪声和高频光电晶体管.     

硅与反应溅射二氧化硅界面特性的研究

本文对反应溅射SiO₂薄膜作了红外光谱研究,发现反应溅射法所获得的SiO₂薄膜中,硅与氧的反应并不完全.我们认为这是造成它与硅之间界面态密度升高的原因之一.为了改善Si与反应溅射SiO₂薄膜的界面特性,将溅射在硅片上的SiO₂薄膜,在含CCl₄的气氛中于950℃温度下进行氧化与退火处理.结果使Si-SiO₂的界面特性大大改善,对于n型(100)晶向的硅片其界面态密度下降到5.3×10¹⁰cm^-2·V^-1.以此SiO₂薄膜作为栅,成功地制出了MOS场效应晶体管.     

多晶硅发射区低温晶体管电流输运模型的理论分析

对于小尺寸的多晶硅发射区双极晶体管，该文在忽略基区与单晶发射区少子复合的条件下，根据单晶与多晶硅界面复合与隧穿等不同机制的共同作用、建立了发射区注入电子电流Ｊｎ和基区注入空穴电流Ｊｐｓ的一维非线性解析模型。该模型可适用于低温和不同的注入偏置条件，对低温双极器件交直流性能的模拟既快速方便，同时精度也较高，可作为低温器件多维数值模拟的重要补充以指导其优化设计。     

PTCDA/p-Si异质结势垒区特性理论的研究

有机半导体材料苝四甲酸二酐(PTCDA)是弱p型半导体材料,其载流子浓度为5×1015/cm3,禁带宽度为2.2eV,可与多种材料形成异质结.详细计算了PTCDA/p-Si异质结势垒形成的电势分布,电场分布和电流-电压(伏安)特性,计算结果与实验结果一致.     

氧化锌基复合氧化物光催化剂的研究进展

为了进一步提高ZnO 的光催化效率和实际应用性,人们将其与禁带宽度不同的氧化物复合.综述了近几年来ZnO 基复合氧化物光催化剂的研究进展.     

一维双原子链色散关系的非线性拟合分析

使用origin程序分析典型晶体结构参数对一维双原子链色散关系的影响.结果表明,随原子间距的增大简约布里渊区宽度减小,频率禁带和频谱宽度不变,格波波速增大;色散关系不但取决于双原子链中大小原子的质量比,而且与原子的绝对质量密切相关;随恢复力系数的增大晶格振动频率增高、频率禁带和频谱范围变宽,格波波速增大.     

氧化锡薄膜的冷电子发射

氧化锡薄膜高阻区具有冷电子发射的特性.本文所给出的初步实验结果表明,氧化锡薄膜主要发射区表面的元素成分和配比均发生了变化,发射电子能量分布不同于场致发射的电子能量分布.气体的种类和压强都可以对它的电子发射性能产生不同的影响.     

不同波长激发下防风煮沸液的荧光光谱

采用日本岛津荧光光度计RF5301,研究了防风煮沸液的荧光光谱与激发光波长的关系.实验结果表明,在不同波长的光激发下,防风产生的荧光光谱线型及峰值波长基本相同,与激发波长无关,但荧光峰强度随激发波长变化而变化.防风的第1个发射区处于220~430 nm,第2个发射区处于540~740 nm,最佳激发波长为320 nm,荧光峰值为430 nm.为防风的光谱特性研究提供了实验依据.     

HBT的PN结偏移效应

采用流体动力学输运模型详细分析了发射区ＰＮ结偏移对ＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓＨＢＴ器件性能的影响，提出了器件优化设计的原则，在等和小的偏压下为了提高，β，ＰＮ结应向宽禁带层偏移，而为了得到大电流下的大电流放大倍数则应采用ＰＮ结是质结对准的结构。     

高阻硅单晶欧姆接触的研究

本文曾在我们以前欧姆接触工作的基础上^[1~6],进一步用高硼合金(BAINiIn)和高磷合金(PSbAuIn)作接触金属,适当控制硅片的表面质量,结合电火花技术,简捷地分别使高达20000Ωcm的p型硅和4000Ωcm的n型硅都能得到良好的欧姆接触特性,并且在经过30次从300K到77K往返循环后仍保持线性的I-V特性.本文通过对不同温度的I-V特性、接触电阻率和离子探针的测量,结合金属对硅接触的接触电阻率与掺杂浓度的关系计算,讨论了欧姆接触的形成和载流子输运的特征.本方法已成功地用于高阻硅材料杂质补偿度和载流子迁移率的测量.     

C2碳力学性质与电子结构的第一性原理研究

新型碳同素异形体的预报及其结构性质研究对设计新型超硬材料具有重要意义。基于第一性原理方法，报道了一种新型碳同素异形体C2碳。C2碳是一种正交晶系的晶体，晶体结构属于C222₁空间群。通过弹性常数计算分析了C2碳的力学稳定性；通过声子结构计算分析了C2碳的动力学稳定性；通过能带结构和态密度计算分析了C2碳的电子结构；通过强度和硬度性质计算分析了C2碳的力学性质。计算得到，C2碳具有1.875 eV的禁带宽度，硬度达到85.40 GPa,是一种兼具超硬特性及宽禁带半导体特性的碳同素异形体。     

汽相生长的碲锡铅单晶的质量评价

碲锡铅(Pb_1-xSn_xTe)是一种禁带宽度可调的三元化合物半导体,用它不仅可制备814μm的高灵敏度的红外探测器,而且可以制备长波红外可调谐激光器.     

智能高温压力传感器的研制

本文介绍了智能化硅－蓝宝石高温传感器的微机检测，运算处理和控制，由半导体工艺制成的硅压阻传感器，当其把压力信号转换为电信号以后，再由微机对检测的信号压力零点及灵敏度的温度补偿以及对压力非线性特性进行校正，最后对测量结果进行标定变换并显示，取得了理想的测量和控制效果。     

同质量原子一维晶格振动的色散关系

通过分析一维单原子链与一维双原子链色散关系之间的内在联系,对二者色散关系的过渡问题、原胞内原子与格波的对应关系和频率禁带宽度随原子质量变化的基本规律进行讨论,以期对固体物理教学提供参考和借鉴.     

无催化脉冲激光沉积方法制备氧化锌纳米棒阵列

<正>近年来,半导体纳米结构因其在先进器件等方面存在广阔的应用前景,而成为国内外纳米领域人们关注的又一热点。其中,ZnO纳米阵列结构被认为是其中最具有应用前景之一。ZnO是一种宽禁带直接带隙II-IV族半导体材料,室温下禁带宽度为     

无催化脉冲激光沉积方法制备氧化锌纳米棒阵列

近年来,半导体纳米结构因其在先进器件等方面存在广阔的应用前景,而成为国内外纳米领域人们关注的又一热点.其中,ZnO纳米阵列结构被认为是其中最具有应用前景之一.ZnO是一种宽禁带直接带隙Ⅱ-Ⅳ族半导体材料,室温下禁带宽度为3.37eV,具有较大的激子束缚能(60meV),它具有良好的压电性和生物适合性,可用于机电耦合传感器和生物医药领域.而且,制备ZnO纳米结构的技术较多,如化学气相沉积(CVD)、金属有机化学气相沉积(MOCVD)、热蒸发、分子束外延(MBE)、脉冲激光沉积(PLD)等.     

硅衬底温度对金刚石薄膜品质影响

采用PCVD法制备金刚石薄膜的设备研究硅衬底温度变化对沉积金刚石薄膜品质的影响.实验发现,温度从750℃增加到950℃的过程中,随着硅衬底温度上升,金刚石薄膜的质量先变好,生长速率减小;850℃质量达到最好,生长速率降到最低;850℃后质量开始变差,生长速率增加;950℃膜由反聚乙炔构成.随着硅衬底温度增加,氢原子刻蚀作用逐渐增大且愈加集中,膜表面空洞缺陷和晶界缺陷增加.综合考量,金刚石薄膜的品质先变好后变差.     

S缺陷对单层MoS_2的电子结构和光学性质影响

研究S缺陷对单层MoS_2的电子结构和光学性质影响,采用密度泛函理论框架下的平面波超软赝势方法,计算了存在S缺陷的单层MoS_2能带结构、态密度和光学性质。计算结果显示单层MoS_2具有直接带隙结构,禁带宽度为1.765eV。S缺陷导致禁带中引入缺陷能级使带隙宽度减小,电子跃迁强度增加;S点缺陷使单层MoS_2的吸收率和反射率均有不同程度的降低,而S线缺陷使下降程度进一步加剧。在能量为8.93eV时,S缺陷对单层MoS_2的光学性质影响极低,对139nm波长的紫外光具有高透光率,成为制备紫外光光电子器件的优良材料。