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1.
针对VDMOS-NMOS兼容集成结构建立了对接沟道NMOS晶体管工艺模型,根据其工艺模型,采用面向对象的C^++编程对对接沟道NMOS结构的杂质分布进行了二维数值模拟,给出了不同工艺条件下的模拟结果,并且进行了分析。结果表明,对接沟道NMOS结构能较好地实现VDMOS与p阱NMOS电路的兼容集成。 相似文献
2.
提出一种完全新型的VDMOS-NMOS全兼容功率集成结构的设计方法。该结构采用与VDMOS工艺兼容的对接沟道结构形成NMOS器件,利用VDMOS工艺中p^+区反刻过程形成NMOS器件的有源区,利用VDMOS工艺中刻双扩散口有成NMOS器件的栅区及多晶性互连线。 相似文献
3.
提出一种完全新型的VDMOS-NMOS全兼容功率集成结构的设计方法.该结构采用与VDMOS工艺兼容的对接(ButJoint)沟道结构形成NMOS器件,利用VDMOS工艺中p+区反刻过程形成NMOS器件的有源区,利用VDMOS工艺中刻双扩散窗口过程形成NMOS器件的栅区及多晶硅互连线.对MOS电路中的小跨导器件图形的设计及VDMOS与E/EMOS的界面设计进行了分析和讨论 相似文献
4.
罗梦来 《广西民族大学学报》1997,(2)
将用于启动系统的COMMAND.COM程序拷贝到FoxBASE+(或DOS能找到的)目录中,并更名为FoxVIEW.COM.在FoxBASE+中用下面的格式调用:FoxVIEW/C,外部程序.利用这种方法比利用FoxSWAP.COM能多提供18K左右的常规内存给外部程序或命令. 相似文献
5.
对VDMOS-NMOS兼容集成结构击穿时的电场特性进行了二维数值模拟,模拟结果分析表明:在适当的器件几何尺寸与制造工艺条件下,对接NMOS的对接区域对VDMOS-NMOS兼容结构的击穿特性影响很小,对接沟道NMOS结构可以较好地实现VDMOSFET与p阱NMOS电路的兼容集成.同时通过原理性实验对模拟结果进行了验证. 相似文献
6.
华黎明 《贵州师范大学学报(自然科学版)》1997,15(4):47-50
使用合成的钡镁锰矿(TODOROKITE)、碱硬锰矿(HOLLANDITE)型的MnO2及电解MnO2修饰碳膏电极,报告了它们在+1.0V ̄-1.0V电压范围和0.1M KCl溶液中的循环伏安图。Todorokite和hollandite的循环伏安图相似,都没有显明的电流峰。而电解MnO2的循环伏安图中,有两个阳极峰(+0.1V,+0.5VvsSCE)两个阴极峰(0.0V,-0.15V vs SX 相似文献
7.
高压VDMOS场板终端技术的研究 总被引:2,自引:0,他引:2
采用MIS模型进行VDMOS器件多级场板终端结构的设计并通过二维数值计算对MIS模型进行了修正,在工艺上首次引入了聚酰亚胺/SiO2复合介质层进行多层布线,形成阶梯形场板,使VDMOS器件的终端耐压量BV≥700V。 相似文献
8.
夏大豆苗期摘心诱导双茎栽培研究初报Ⅰ.不同叶位摘心诱导双茎栽培试验分析卢思慧,王茹芳,刘秀英(河北省沧州市农林科学院沧州,061001)PRIMARYSTUDYONTHECULTIVATIONOFDUALSTEMSSUMMERSOYBEANDERIV... 相似文献
9.
童晓风 《浙江海洋学院学报(自然科学版)》1996,(3)
论市场经济下高校档案的开发利用ONDEVELOPMENTANDUTILIZATIONOFCOLLEGES/UNIVERSITIESARCHIVESINMARKETECONOMYSYSTEM童晓风TongXiaofeng(浙江水产学院办公室,舟山316... 相似文献
10.
《南京大学学报(自然科学版)》1995,(2)
DISCOVERYOFMICROFOSSILSFROMTHE1848-MA-OLDCHANGZHOUGOUFORMATION,JIXIANSECTION,NORTHCHINAZhangZhongying(DepartmentofEarthScienc... 相似文献
11.
合成了α-和β-M10-nHn〔SiW9Ti3O40〕·xH2O(M=K+、Me4N+),α-(Me4N)4H2〔SiW11ZrO40〕·13H2O和β-(Bu4N)4H2〔SiW11zrO40〕·14H2O等杂多酸盐异构体。并用IR,UV,TG和DTA、极谱以及X-射线粉末衍射等手段进行了表征。 相似文献
12.
华黎明 《贵州师范大学学报(自然科学版)》1997,(4)
使用合成的钡镁猛矿(TODOROKITE),碱硬猛矿(HOLLANDITE)型的MnO2及电解MnO2修饰碳膏电极,报告了它们在+01V~-01V电压范围和01MKCl溶液中的循环伏安图。Todorokite和holandite的循环伏安图相似,都没有显明的电流峰。而电解MnO2的循环伏安图中,有两个阳极峰(+01V,+05VvsSCE)两个阴极峰(00V,-015VvsSCE)。 相似文献
13.
本文给出了具有场环和场板的穿通型VDMOS结构的击穿电压的解析表达式。产通过与在n/n^+外延衬底上制造的带有场环的二级管结构的VDMOS器件的实验结果,进行比较,二者吻合的很好。 相似文献
14.
《南京大学学报(自然科学版)》1995,(2)
MAGNETICRELAXATIONATEARLYTIMESANDFLUXDIFFUSIONBARRIERV(J,B,T)FORTi-1223DOPEDWITHPbANDBaBYCOMPLEXACSUSCEPTIBILITYMEASUREMENTSD... 相似文献
15.
郑彩儿 《浙江海洋学院学报(自然科学版)》1997,(4)
浅谈社会主义市场经济条件下的高校后勤队伍建设与管理ANELEMENTARYDISCUSSIONONTHEESTABLISHMENT&MANAGMENTOFTHEREARSERVICESOFUNIVERSITIESUNDERTHECONDITIONOF... 相似文献
16.
《南京大学学报(自然科学版)》1996,(4)
LARGEPIEZORESISTANCEANDPRESSURE┐INDUCEDMETAL┐SEMICONDUCTORTRANSISTIONINTHEPEROVSKITE┐LIKELa┐Ar┐Mn┐OZhangNing1),2)DingWeiping... 相似文献
17.
18.
本文分析了半导体器件物理参数的低温模型,对低温器件计算机模拟方法作了具体的考虑,提出了适于低温器件模拟的误差限方法,并将该方法以及低温模型参数插入MINIMOS4.0进行数值试验,得到了低温MOS器件模拟软件DWMOS。本文给出了DWMOS部分运行结果。 相似文献
19.
《南京大学学报(自然科学版)》1997,(3)
TECTONICDEVELOPMENTOFTHEMETAMORPHICCORECOMPLEXOFTHEWUGONGSHANINTHENORTHERNJIANGXIPROVINCESunYan1)ShuLiangshu1)M.Faure2)J.Cha... 相似文献
20.
本文分析及研究了作者对绝缘栅PMOS场效应结构所进行的SUPREM—SEDAN联机模拟.重点在衬底电阻率(掺杂浓度)与MOS结构阈值电压之间的定量关系上得到了与实验完全一致的结果.同时,定量地描述了栅氧层中电离电荷的分布及其行为.揭示了上述效应的机理. 相似文献