三（8－羟基喹啉）合铝的合成和光物理行为

合成了三（８－羟基喹啉）合铝（Ａｌ（Ｏｘ）＿３）晶体化合物，产率９３．６％。测定了Ａｌ（Ｏｘ）＿３的物理化学常数和光物理常数，Ａｌ（Ｏｘ）＿３在芳烃溶剂中荧光量子效率较低，在非芳烃溶剂中，和荧光寿命随溶剂的粘度增加而升高。计算了辐射失活速率常数和非辐射失活速率常数的升高与ｋ＿（ｎｒ）降低相关，比较了Ａｌ（Ｏｘ）＿３在不同相态介质中的荧光行为。     

三（8—羟基喹啉）合铝的合成和光物理行为

合成了三（８－羟基喹啉）合铝（Ａｌ（Ｏｘ）３）晶体化合物，产率９３．６％。测定了Ａｌ（Ｏｘ）３的物理化学常数和光物理常数。Ａｌ（Ｏｘ）３在芳烃溶剂中荧光量子效率φｆ较低，在非芳烃溶剂中，φｆ和荧光寿命随溶剂的粘度增加而升高，计算了辐射失活速率常数的非辐射失活速率常数（ｋｎｒ），φｆ的升高与ｋｎｒ降低相关，比较了Ａｌ（Ｏｘ）３在不同相态介质中的荧光行为。     

铟锡氧化物电极中In的扩散对有机薄膜电致发光器件发光区暗斑形？…

为了研究有机薄膜电致发光器件发光区暗斑的形成,制备了Ａｌ／８－羟基喹啉铝／铟锡氧化物／玻璃衬底结构的发光器件,观察了器件失效前后的表面形貌,并对器件进行了微区Ａｕｇｅｒ能谱分析。结果表明,铟锡氧化物电极表面Ｉｎ向有机层内的扩散是产生微区高电场,从而形成发光区暗斑的一个不可忽视的重要因素。     

蒸发条件对Znq2成膜质量及电致发光性能的影响

采用８－羟基喹啉锌为发光材料制备了不同蒸发条件下的薄膜样品和单层电致发光器件，利用扫描电子显微镜研究了Ｚｎｑ２薄膜的表面形貌，分析了蒸发条件对成膜质量和器件性能的影响。     

DCJTB掺杂Alq体系的发光特性研究

研究了以ＤＣＪＴＢ掺杂Ａｌｑ作为发光层的红色电致发光器件的发光特性,通过分析Ａｌｑ与Ａｌｑ：ＤＣＪＴＢ的激发光谱与发光光谱,得出了存在着从Ａｌｑ到ＤＣＪＴＢ的能量传递。同时给出并分析了不同ＤＣＪＴＢ掺杂浓度对器件发光特性的影响。     

荧光假单胞菌噬铁素的性质研究

本文报道了荧光假单胞菌Ｐ３２产生的噬铁素的特性．噬铁素在紫外光下发出黄绿色荧光，与Ｆｅ３＋有高度亲和性，在２３０ｎｍ和４００ｎｍ附近各有一吸收峰，氨基酸组成为苏氨酸：甘氨酸：赖氨酸：胱氨酸：亮氨酸：天冬氨酸＝２：４：４：４：１：１，生物合成需较低浓度Ｆｅ３＋为条件，与Ｆｅ３＋的复合物无荧光，但可用连二亚硫酸钠，８－羟基喹啉和抗坏血酸粉末恢复荧光．     

8-羟基喹啉两亲配合物的磁性、物相和热分析

通过磁性、粉末Ｘ－射线衍射和ＴＣ－ＤＴＡ分析等方面对４个８－羟基喹啉两亲配合物的性质进行了研究,依此推测了各配合物的结构,配合和的ＭｎＬ２、ＺｎＬ２和ＬａＬ２Ｃ１．４Ｈ２Ｏ为扭曲的八面体结构;ＣｕＬＣ１可能是由通过两个氯桥形成的二聚体。８－羟基喹啉两亲配合物具有强的荧光性质,可以用作电发光器件的发光材料。     

2种无银保鲜剂对切花菊的保鲜效应

研究保鲜剂（２％蔗糖＋５０ｍｇ／Ｌ柠檬酸＋１００ｍｇ／Ｌ８－羟基喹啉＋１ｍｇ／Ｌ６－ＢＡ）和保鲜剂２号（２％蔗糖＋５０ｍｇ／Ｌ水杨酸＋１００ｍｇ／Ｌ８－羟基喹啉＋１ｍｇ／Ｌ６－ＢＡ）对“黄秀凤”切花菊（Ｃｈｒｙｓａｎｔｈｅｍｕｍｍｏｒｉｆｏｌｉｕｍｃｖ．“ＨｕａｎｇＸｉｕｆｅｎｇ”）瓶插寿命和瓶插期间花枝的水分状况,叶绿素和可溶性蛋白质含量以及过氧化物酶（ＰＯＤ）活性等生理延长２ｄ但与延长花冠寿命     

利用两类材料实现彩色TFEL显示的初步研究

本文对利用两类材料实现彩色薄膜电致发光显示的新途径进行了初步研究，其中包括含三基色成份的无机类ＺｎＳ：ＰｒＦｌ３白光材料和器件及能得到绿光和黄光的有机类８－Ａｌｑ材料和器件，并对它们的光学和电学性能分别进行了讨论。     

可溶性聚合物薄膜发光器件的电致发光

采用脱氯化氢反应合成出氯仿可溶性的ＭＥＨ－ＰＰＶ聚合物,用ＭＥＨ－ＰＰＶ作为发光材料制备了单层结构ＩＴＯ／ＭＥＨ－ＰＰＶ／Ａｌ和双层结构ＩＴＯ／ＭＥＨ－ＰＰＶ／Ａｌｑ３／Ａｌ电致发光器件,测量了器件的电致发光谱、Ｉ－Ｖ特性和Ｂ－Ｖ特性,利用能级理论分析了器件的发光特性了随器件结构的不同所具有的规律,实验表明,单层结构器件和双层结构器件的发光出现在ＭＥＨ－ＰＰＶ层,当加入Ａｌｑ３电子传输层／空穴阻挡     

利用瞬态电致发光研究有机小分子发光器件中延迟荧光的发射机理

制备了两种基于Alq3的有机小分子发光器件,其结构分别为:ITO/NPB/Alq3/LiF/Al和ITO/NPB/Alq3:DCM/Alq3/LiF/Al.利用瞬态电致发光技术,研究了这两种发光器件中延迟荧光的发射机理.发现在Alq3的双层器件中,延迟荧光较弱,且主要是由电荷延迟注入所形成的单重态激子退激产生;而在Alq3:DCM染料掺杂器件中,延迟荧光较强.通过分析Alq3:DCM掺杂器件的延迟荧光对反偏压和脉冲偏压脉宽的依赖关系,进一步发现掺杂器件的延迟荧光主要来自于发光层中受陷电荷释放后的再复合过程以及DCM客体分子中的三重态-三重态激子淬灭(Triplet-Triplet Annihilation,TTA)过程.其中,TTA过程是Alq3:DCM掺杂器件中延迟荧光产生的主要机制.     

不同气氛下激光幅射对硅基Alq_3薄膜光致发光特性的影响

在真空中、氮气中、大气中和氧气中分别测量了生长的硅片上的8—羟基喹啉铝(Alq3)薄膜光致发光(PL)谱及其在不同激光功率密度下的PL强度衰减谱.发现氧气和较强激光幅照共同作用会导致Alq3薄膜表面PL的衰减与淬灭.     

TPD/Alq3发光特性及其界面状态的XPS分析

对结构为ITO/TPD/Alq3/A1的有机电致发光器件电致发光光谱分析,发现与Alq3的荧光峰相比发生了约5 nm红移,从而推断是由于TPD/Alq3界面处形成的激基复合物发光所致.通过x射线光电子能谱(XPS)分析,发现了器件的激基复合物起源于Alq3分子和TPD分子的相互作用.     

多层结构有机物薄膜制备及光致发光特性

利用有机物真空沉积技术制备了8-羟基喹啉铝（Alq）和叔丁基联苯基苯基二唑（PBD）交替生长的多层结构薄膜．低角X射线衍射测量表明，样品具有良好的层状结构；光吸收及光致发光测量结果表明，随着PBD层厚度的减薄，激发态能量发生了从PBD向Alq层中转移的现象．     

基于Alq3的有机发光二极管中的瞬时荧光与延迟荧光

制备了结构为ITO/CuPc/NPB/Alq3/LiF/Al的有机发光二极管, 并在100, 70, 40和15 K四个温度测量了器件在恒流偏置下电致发光随磁场的变化. 器件的电致发光包括瞬时荧光与延迟荧光两部分. 两者都可以受外加磁场影响, 但对磁场的依赖关系不同. 由此导出了在不同磁场强度时瞬时光强度与延迟光强度和总发光强度的关系. 基于对延迟光强度磁场效应的合理估计, 分别计算了器件在不同的温度、电流下瞬时光强度与延迟光强度的值, 和延迟光在器件总发光中的比重. 计算结果显示, 在15 K和160 μA时, 延迟光在器件总发光中的比重可超过20%. 对计算公式所基于的假设进行了分析, 并且探讨了这些假设对计算结果的影响.     

乙醇溶液中8-羟基喹啉铝光谱研究

对8－羟基喹啉铝（Alq3)在乙醇溶液中的荧光谱进行研究发现，其发光性质与溶液浓度有关，随着浓度的降低，其荧光光谱的峰位发生蓝移，发光强度降低，而半高宽则一直在增大，但由于在浓度较高时，乙醇溶液中Alq3分子大部分以范德瓦尔斯力相结合，只出现少量的聚体，所以峰位移动幅度不大；但当浓度降低到某一数值后，峰位将不再变化，另外，在浓度很大时，观察到有荧光淬灭现象。     

PECVD氮化硅薄膜的沉积和退火特性

利用等离子增强化学气相沉积(PECVD)方法沉积了氮化硅薄膜,反应气体为氨气和硅烷.这些薄膜在不同条件(温度、时间和气氛)下进行了炉温或快速退火.对太阳电池而言,氮化硅薄膜不仅是有效的减反射层而且也有表面钝化和体钝化作用.利用椭圆偏振光谱、反射谱、红外吸收谱和准稳态光电导(QSSPC)分析了氮化硅薄膜的特性.实验发现随着退火温度的增加,氮化硅薄膜的厚度下降而折射率增加,可以归因于在退火过程中,薄膜愈加致密.红外吸收谱的研究发现,氮化硅中氢的含量在退火过程中有明显的下降,而QSSPC测量的样品寿命有同样的变化.这些结果显示氮化硅的钝化作用与其中的氢含量有关.     

Eu3+:(TTA)m复合体系的电致发光研究

以稀土螯合物Eu3+:(TTA)m复合体系和小分子材料Alq3作成双层结构器件,研究A lq3层厚度不同时电致发光光谱的变化.当Alq3层的厚度减小到某一厚度时,在双层器件结构中可得到高亮度、窄谱带的红色发光.     

PECVD沉积氮化硅薄膜在退火过程中的特性变化及在太阳电池中的应用

采用等离子体增强化学气相沉积 (PECVD),在单晶硅衬底上生长氮化硅(SiN)薄膜,再对薄膜进行快速热退火处理,研究了在不同温度下SiN薄膜的退火特性.通过椭圆偏振光仪测量了薄膜厚度和薄膜的折射率,发现退火后薄膜的厚度下降,折射率升高;采用准稳态光电导衰减QSSPCD测少数载流子寿命,发现少子寿命有很大程度的下降.还研究了SiN薄膜对多晶硅电池性能的影响,发现它能较大幅度地提高电池效率.