钛碳化硅陶瓷制备方法综述

简述了钛碳化硅Ti3SiC2陶瓷的结构与性能,综述了国内外Ti3SiC2陶瓷的制备方法,并对Ti3SiC2陶瓷的应用前景进行了展望。     

3C-SiC纳米粉烧结制备多孔碳化硅的研究

研究了用3C-SiC纳米粉末压制成坯后烧结制备多孔碳化硅的温度和时间工艺参数，采用扫描电子显微镜(SEM)分析了烧结温度和时间对烧结样品平均孔径尺寸的影响，采用X射线衍射(XRD)分析了烧结样品的结构。研究结果表明，在100kPa压力的氩气气氛中和1600℃4h 30min～4h50min的烧结条件下，烧结样品的主要结构是3C-SiC，其他晶型基本消失；烧结样品具有大量的纳米孔，其平均孔径约为80～90nm。     

碳化硅结合氮化硅制品的发展现状

阐述了碳化硅结合氮化硅制品的主要制备方法、反应机理、用途以及影响其微观结构和性能的主要因素。新型氮化硅结合碳化硅制品,在不增加过多投资的情况下就可以达到提高产品质量、节能增产目的,是一种理想的更新换代产品。     

渗硅碳化硅材料的制备与性能研究

采用不同工艺制备渗硅碳化硅,分析了生坯密度、成型方法、颗粒级配等对制品结构及性能的影响.结果表明:恰当的生坯结构及合理的成型方法、烧成制度,是制备结构致密均匀、气孔率低、密度及强度高的渗硅碳化硅材料的关键.     

碳热还原制备碳化硅纳米线

以二氧化硅粉和竹炭粉为原料,在无催化剂的条件下,于1 400℃下用碳热还原制备了SiC纳米线.采用X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)和能谱(EDS)分析了该纳米线的形貌和化学组成,同时探讨了SiC纳米线的形成机理.结果表明,所制备的纳米线为β-SiC,纳米线直径为100～150 nm,长度可达数毫米.     

碳化硅薄膜制备及其场发射特性

采用热丝化学气相沉积法在Si（111）、Ti（101）衬底上制备了SiC薄膜,并利用X射线衍射和傅里叶变换红外吸收光谱（FTIR）对薄膜的结构、成分及化学键合状态进行了分析．XRD结果表明,制备的SiC薄膜呈现3C-SiC结晶相,有很好的择优取向性．HIR谱显示,薄膜的吸收特性主要为Si-C键的吸收,其吸收峰为804．95cm^-1．从原子力显微镜对SiC薄膜表面形貌的测试分析可以看出,样品表面呈规则精细颗粒状结构且薄膜结构致密．此外,在高真空系统中（6．0×10^-4Pa）对生长的SiC薄膜进行场敛发射特性测试,结果表明生长的SiC薄膜具有场致发射特性：样品的开启电压为82．1V／μm,最大电流密度为631．5μA／cm^2．     

碳化硅晶须制备工艺

本采用稻壳作为硅源，利用二氧化硅还原法，研究批量制备碳化硅晶须的新工艺及影响碳化硅晶须生长的几个重要因素。利用ＳＥＭ分析手段对自制的碳化硅晶须进行了形貌、结构的的观察分析。     

SiC/C功能梯度材料的制备

以经典无限大叠板理论和热弹性力学为基础,通过自选开发的计算机辅助设计系统对SiC/C FGM中的热应力分布进行了理论分析,得到制备SiC/C的功能梯度材料最佳工艺参数,采用热压烧结工艺,在1950℃,25MPa和保温1h的条件下制备出了F4和F7两种无宏观缺陷的块体SiC/C功能梯度材料,采用SEM对FGM微观结构进行了观察。500℃室温淬水实验表明,按最佳参数制备的功能梯度材料F7具有良好的抗热震性能。     

SiC纳米材料制备及应用

综述了近年来在高新技术领域发展起来的SiC纳米粉体、SiC纳米晶须、SiC同轴纳米电缆的制备方法及其应用，并对一些新型的制备方法进行重点介绍。指出，目前SiC纳米材料制备方法虽然多样，但都规模小，成本高，还难以实现大规模生产；SiC纳米材料性能优于传统的SiC材料，能够达到高新技术领域的严格要求，具有更为广泛的用途。     

微波辅助碳热还原法制备碳化硅粉体

基于碳热还原法制备碳化硅的原理,针对该方法合成成本高,反应时间长,所用设备昂贵,合成条件苛刻等缺陷．利用微波的良好加热性能,采用微波辅助碳热还原法制取碳化硅粉体．经实验表明,最优条件为：锌粉作催化剂,碳硅原子比为4：1,微波功率800W,微波时间30min．该方法制备的碳化硅为3C—SiC晶型,晶粒粒径相对较小．微波辅助碳热还原法具有成本低、产量大、反应时间短、尺寸相对较小,具有工业化应用的前景．     

碳化硅与金刚石

本文讨论结构相似的碳化硅和金刚石的特性和制备。     

过滤用碳化硅泡沫陶瓷的制备和性能

将具有三维网状结构和连通孔道的高弹性聚氨酯海绵作为先驱体，选用一级品α-SiC为骨料，配以各种添加剂，分水基和非水基2种配方调制浆料，浸渍先驱体成型。采用常规烧结法和反应烧结法烧结制品，并利用XRD和SEM等测试手段对制品的结构与性能进行了分析研究。结果表明：经过反复实验研究制备的2组样品中的A-2，B-5具有代表性，通过对比A-2，B-52样品的性能、显微结构、晶相，确定了碳化硅泡沫瓷制备的最佳工艺方法，提出了反应烧结碳化硅泡沫瓷的烧结机理。     

碳化硅制品的成型性能

以不同粒度的α - SiC为原料,通过配比试验、生坯成型方法的对比、成型后碳化硅制品的生坯性能分析,研究了不同粘结剂、不同成型压力与保压时间、不同成型方法对碳化硅制品的密度、气孔率、抗折强度的影响结果表明,水溶性粘结剂的粘结性能低于醇溶性粘结剂,但水溶性的最佳添加量低于醇溶性粘结剂成型方法中冷等静压的成型密度和抗折强度最大,气孔率最低同时无论使用何种成型方法,制品的密度随压力变化都具有一定的规律性     

二硫化铁光电薄膜制备技术的研究进展

黄铁矿结构的二硫化铁(FeS2)是一种具有合适的禁带宽度(Eg≈0.95 eV)和较高光吸收系数(当λ≤700 nm时,α=5×105cm-1)的半导体材料,而且其组成元素在地球上储量丰富、无毒,有很好的环境相容性。因此,FeS2薄膜在光电子以及太阳能电池材料等方面有潜在的应用前景,受到人们的广泛关注。本文从不同制备方法所制备出的二硫化铁薄膜的研究结果,来分析二硫化铁薄膜的研究状况。     

高熵陶瓷的制备与应用

高熵陶瓷作为一种先进陶瓷材料,因其具有较大的构型熵和独特的晶格结构,近年来成为研究热点。相比于最早提出的高熵合金,高熵陶瓷由于其微观结构的不同,在无序构型中具有了更高的熵稳定性。本文从阐述高熵陶瓷的定义开始,概述了近年来不同体系高熵陶瓷的物理化学特性;总结了不同形态高熵陶瓷的合成路径,对高熵陶瓷在力学性能、低导热性、热电性以及催化作用等特性方面的广泛应用进行了整理归纳;展望了未来高熵陶瓷材料的开发思路。     

反应烧结碳化硅的显微组织

对不同生坯进行硅化处理后得到的反应烧结碳化硅的显微组织进行了研究。结果表明：选用α－ＳｉＣ＋Ｃ粉的混合物作为生坯，ＳｉＣ相的体积分数随生坯中ｗＣ的增加而增加，但过大的ＷＣ将使硅化后的试样出现残碳；选用碳毡作为毛坯，反应烧结碳化硅的显微组织特点是Ｃ／ＳｉＣ反应生成的碳化硅颗粒均匀细小，并呈线状分布在游离硅中，浸渍过树脂的碳毡硅化处理后的显微组织特点是反应生成的碳化硅颗粒粗大呈不均匀分布。Ｘ射线衍射结     

碳化硅水基浆料体系的流变性能的研究

通过碳化硅水悬浮液的Ｚｅｔａ电位的测量及不同实验条件下浆料粘度的测定,研究了浆料ｐＨ值,固相含量,转速及添加剂对碳化硅水基浆料稳定性及流变性能的影响,结果表明,碳化硅浆料的粘度随着固相含量增加,Ｚｅｔａ电位绝对值减小而增大,添加剂Ａｌ（ＯＨ）３溶胶可以改善ＳｉＣ浆料的流变性能。     

过滤用碳化硅泡沫陶瓷的制备和性能

将具有三维网状结构和连通孔道的高弹性聚氨酯海绵作为先驱体,选用一级品α-SiC为骨料,配以各种添加剂,分水基和非水基2种配方调制浆料,浸渍先驱体成型。采用常规烧结法和反应烧结法烧结制品,并利用XRD和SEM等测试手段对制品的结构与性能进行了分析研究。结果表明:经过反复实验研究制备的2组样品中的A-2,B-5具有代表性,通过对比A-2,B-5 2样品的性能、显微结构、晶相,确定了碳化硅泡沫瓷制备的最佳工艺方法,提出了反应烧结碳化硅泡沫瓷的烧结机理。     

SnS薄膜的制备技术及其性能的研究进展

SnS是一种Ⅳ-Ⅵ族半导体材料,非常适合于作为太阳能电池的吸收层材料。目前已经研究开发了许多制备SnS薄膜的技术,并对其性能进行了研究,详细阐述了SnS薄膜的制备技术及其性能的研究进展。