NaGdF4：Eu^3＋的水热合成、相变与发光性质

用水热法制备了NaGdF4：Eu3＋（0.5 mol%）发光材料,并研究了退火温度对NaGdF4：Eu3＋的结构和发光性质的影响。X-射线粉末衍射（XRD）结果表明：水热合成得到六方相的NaGdF4,在空气氛的条件下,NaGdF4从六方相到立方相的相转变温度为～650℃.扫描电镜（SEM）的结果显示：具有六方相结构的NaGdF4：Eu3＋发光材料的粒径为200～300nm.荧光光谱（PL）的结果表明：具有六方相结构的NaGdF4：Eu3＋粉末样品的特征发射为Eu3＋5 D0→7F2（615nm）跃迁发射。     

碳纳米管模板对 YBO3：Eu3＋（5％）结构、形貌及光致发光的影响

在前驱体溶液中添加和不添加碳纳米管，采用简单的水热合成法并在1000℃下烧结，获得树枝状和类球状纳米结构的 YBO3：Eu3＋样品．研究表明：对于树枝状结构的样品，其红色和橙色光的强度比更高，且其CIE 坐标为（0．67，0．33），几乎与商业红色荧光粉 Y2 O2 S ：Eu3＋的色坐标相同，可见树枝状结构的红色荧光粉YBO3：Eu3＋在纳米器件和照明器件中具有潜在应用价值．该文还对样品的发光性质和机制做了解释．     

高温固相法制备CaCO3:Eu3+,K+红色荧光粉的研究

采用高温固相法制备红色稀土荧光粉CaCO3：Eu3＋,K＋,并对样品的煅烧温度、结构和荧光性能进行研究。XRD、荧光光谱、FT—IR和Ram811光谱分析表明,当煅烧温度在560℃以上时,样品的主晶相为三角晶系的方解石结构,掺杂Eu3＋和K＋离子分别作为激活剂和敏化剂进入到基质CaCO3的晶格中;煅烧温度的升高有利于提高样品的发光强度;Eu3＋离子在基质中表现出自身的特征电子拉曼跃迁7F0→FJ（J=3,4）;样品的最大激发波长位于272呦处,对应于O2--Eu3＋的电荷迁移跃迁（CTB）;发射峰由’D。一7DJ（J=0—4）的跃迁形成,其中以电偶极跃迁5D0→7F2（610nm）为主,样品在紫外光激发下可以产生强的红色发光,并且Eu“离子处于非对称中心的格位上。     

LaVO4：Dy^3＋同质异形体的水热合成和荧光性能

采用简单的水热反应合成了新型棒状、棒束状和针状花型的四方相LaVO4：Dy3＋晶体,用X粉末衍射（XRD）、扫描电镜（SEM）和荧光光谱（PL）分别测试了水热产品的物相结构、颗粒形貌和荧光性能.实验结果表明,前驱体浓度和反应温度对不同形貌LaVO4：Dy3＋晶体的形成起到了关键作用。花状LaVO4：Dy3＋晶体比棒状和棒束状样品具有更好的蓝黄比（B/Y）,同时阐述了LaVO4：Dy3＋同质异形体的形成机制.     

碳纳米管模板对YBO_3:Eu~(3+)(5%)结构、形貌及光致发光的影响（英文）

在前驱体溶液中添加和不添加碳纳米管,采用简单的水热合成法并在1 000℃下烧结,获得树枝状和类球状纳米结构的YBO3:Eu3+样品.研究表明:对于树枝状结构的样品,其红色和橙色光的强度比更高,且其CIE坐标为(0.67,0.33),几乎与商业红色荧光粉Y2O2S:Eu3+的色坐标相同,可见树枝状结构的红色荧光粉YBO3:Eu3+在纳米器件和照明器件中具有潜在应用价值.该文还对样品的发光性质和机制做了解释.     

CeO2 Eu^3＋ 发光 Pechini

采用Pechini法制备Eu^3＋掺杂的CeO2：Eu^3＋薄膜.利用X射线衍射（XRD）﹑原子力显微镜（AFM）和光致荧光光谱（PL）对样品进行表征.结果表明：薄膜样品在700℃就结晶成纯面心立方萤石结构的多晶薄膜;PL激发谱中,300～360 nm的宽带激发峰起源于基质CeO2的吸收.     

Li2CO3-NaCl复合助熔剂对(Y,Gd)BO3:Eu荧光粉合成的影响

在合成(Y，Gd)BO3：Eu的过程中，通过加入适量助熔剂制备出了颗粒小、颗粒形貌为球形、粒径分布较窄和分散性好无团聚的(Y，Gd)BO3：Eu荧光粉，探讨了在焙烧时添加复合助熔剂对荧光粉的最低烧成温度、粒径、颗粒形貌和相对亮度的影响，利用X射线衍射、扫描电镜(SEM)、粒度分析仪和辐射光谱仪对样品进行了表征．结果显示：复合助熔剂的添加，可降低高温固相反应温度，促进硼酸盐纯相的生成，在800℃即可得到纯的(Y，Gd)BO3：Eu相，比未添加助熔剂的反应温度降低了400℃，同时有利于(1302)、(100)、(102)、(110)的生长；在(Y，Gd)BO3：Eu的烧结过程中，产生黏度较低的液相有利于球形颗粒的生长，易得到颗粒尺寸分布均匀，分散性好，结晶完整的荧光粉；助熔剂的添加可以使(Y，Gd)BO3：Eu的相对发光强度提高10％以上．用此方法合成的荧光粉具备了直接实际应用的条件．     

稀土掺杂氟化物的水热合成及其发光性能的研究

本文在不需要任何辅助剂,反应温度为140℃,恒温12h的简易水热条件下,成功地合成了掺杂不同稀土离子（如：Eu3＋、Ce3＋、Tb3＋等）的＂玉米穗＂状氟化物（如YF3：Eu3＋;YF3：Ce3＋;YF3：Tb3＋等）,所得的产物用X-射线衍射仪（XRD）、扫描电子显微镜（SEM）和时间分辨荧光光谱仪等手段对其结构和形貌以及发光性能进行表征.XRD结果表明产物各衍射峰归属为纯相YF3,SEM结果表明产物为由纳米颗粒自组装成的＂玉米穗＂.PL结果表明YF3：Eu3＋,YF3：Ce3＋,YF3：Tb3＋主发光峰位置各不相同.     

红色荧光粉YAlO3：Eu^3＋Cu^＋的制备和发光特性

研究了化学沉淀法制备YAP：Eu3＋Cu＋荧光粉,得到适宜工艺参数.用XRD和PL谱分别表征前驱体的晶体结构和荧光粉的荧光特性.前驱体的焙烧温度为1 200℃,焙烧时间为2 h;Eu3＋的适宜掺杂浓度为3%,而且在398 nm紫外光激发下荧光粉呈现红色光谱,这是由于Eu3＋的4fn电子组态内5D0→7FJ（J=0～4）的跃迁发射,由5D0→7F2的发射特性和发射强度表明Eu3＋主要处于非反演对称中心.Cu＋增强了YAP：Eu3＋的发光强度是因为Cu＋→Eu3＋之间的能量传递,Cu＋对Eu3＋有敏化作用.     

微片结构Gd3GaO6：Eu3＋荧光粉的合成及其发光特性

以柠檬酸为燃烧剂,乙二醇为分散剂采用燃烧固相法制备Gd3GaO6：Eu3＋新型荧光粉．利用X线粉末衍射、扫描电镜和荧光光谱分别对热处理后产物的结构、形貌和发光性能进行表征．结果表明：700℃燃烧10min并在1200℃热处理5h即可获得产物Gd3GaO6：Eu3＋,其空间点群为P21（4）,形貌为微米片结构;产物的特征发射峰来自于Eu3＋的5D0→7FJ（J=1,2,3,4）跃迁,其中在616nm处发射最强,为Eu3＋的。5D0→7F2的特征红色发射;宽激发带主要来自于O2-→Eu3＋的荷移跃迁吸收．该产物是一种性能优良的红色荧光粉．     

Dy3+/Eu3+共掺钒酸钇荧光粉的合成及发光性质研究

采用高温固相合成法制备了Y1-x VO4:Dy3+x和Y0.994-yVO4:Dy3+0.006,Eu3+y系列样品,通过XRD确定其晶体结构.研究其荧光性质发现,Dy3+在YVO4中可同时发射出483 nm(蓝光)和573 nm(黄光)荧光,分别归属于4F9/2→6H15/2和4F9/26H13/2的能级跃迁,且Dy...     

溶胶-凝胶法制备超细Y_2O_3: Eu~(3+)

以金属醇盐为原料,采用溶胶－凝胶法制备出均匀的、体心立方结构的Ｙ２Ｏ３Ｅｕ３＋超细粉末．借助ＴＧ－ＤＴＡ、ＩＲ、ＸＲＤ和ＳＥＭ等分析手段,研究了凝胶的转变过程和粉末的结构,观察了粉末的形貌和粒径．结果表明：在４２３℃煅烧已有Ｙ２Ｏ３Ｅｕ３＋相生成,经８５０℃煅烧即得单－Ｙ２Ｏ３Ｅｕ３＋相超微粉,平均晶粒尺寸为５３ｎｍ;煅烧温度进一步升高,Ｙ２Ｏ３Ｅｕ３＋晶粒长大     

CeO_2:Eu~(3+)发光粉的制备与光谱研究

通过高温固相反应法制备掺Eu3+基质为CeO2的发光粉系列样品,并对其做X射线衍射谱(XRD)和光致发光谱(PL)检测.结果表明,在Eu3+掺杂浓度为0.2at.%～10at.%的范围内,Eu3+完全进入了CeO2的晶格,形成固溶体Ce1-xEuxO2;Eu3+的发射峰强度依赖于Eu3+的掺杂浓度,在Eu3+的含量为1at.%时最强,随后出现浓度猝灭.     

Bi掺杂及制备工艺条件对Y_2O_3:Eu~(3+)发光性质的影响

通过水热反应成功制备了系列纳米发光材料Y1.95-xB ixEu0.05O3(0≤x≤0.15).B i3+掺杂后,Y2O3:Eu3+在342 nm处产生了一个由B i-O带引起的激发带;此外,Y2O3:Eu3+掺杂2 mol%B i3+后与未掺杂B i3+的Y2O3:Eu3+相比,发光强度增加了约1.33倍,这是由于B i3+充当了敏化剂离子,传输能量给激活剂Eu3+.基于在218、342、469 nm激发波段的Y1.93B i0.02Eu0.05O3发射光谱,发现与敏化剂B i3+相比,Y2O3主晶格更能有效地传输能量给激活剂Eu3+.此外,工艺条件(pH和退火温度)对Y1.93B i0.02Eu0.05O3荧光性质的影响也进行了研究.     

Eu3+掺杂钨酸钇体系荧光粉的制备及发光性能分析

氧化钇(Y2O3)、 氧化铕(Eu2O3)与三氧化钨(WO3)为原材料,通过调整Y2O3(Eu2O3)与WO3的摩尔比例,采用高温固相法制备钨酸钇体系红色荧光粉,通过X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、光致发光(PL)等表征分析样品的晶相结构、形貌尺寸和光致发光性质。研究结果表明:当Y2O3与WO3的摩尔比例为1∶1和1∶3时,可分别合成纯相的Y2WO6:Eu3+红色荧光粉和Y2W3O12:Eu3+红色荧光粉;该系列红色荧光粉可被近紫外光和蓝光有效激发,发射峰值位于615 nm(Eu3+离子的5D0→7F2跃迁)的红光;Y2WO6:Eu3+红色荧光粉的相对发光强度明显优于Y2W3O12:Eu3+红色荧光粉;Y2WO6:Eu3+红色荧光粉Eu3+的最佳掺杂浓度(摩尔分数)为5%。     

CeO_2:Eu~(3+)薄膜的制备及其发光性能研究

采用Pechini法制备Eu3+掺杂的CeO2:Eu3+薄膜.利用X射线衍射(XRD)﹑原子力显微镜(AFM)和光致荧光光谱(PL)对样品进行表征.结果表明:薄膜样品在700℃就结晶成纯面心立方萤石结构的多晶薄膜;PL激发谱中,300～360 nm的宽带激发峰起源于基质CeO2的吸收.     

Investigation of microenvironment-depended photoluminescence in Eu3+-implantation of GaN

GaN thin films grown on sapphire were implanted by Eu~3+ with three different fluences (5.0×10~14 , 2.5×10~15 and 5.0×10~15cm~-2 ). The photoluminescence (PL) spectra show that, after annealing, the samples exhibit strong emission at around 622.0 nm under 325 nm laser excitation. The intensity of this emission increases by one order of magnitude after annealing at from 600 ℃ to 900 ℃. Moreover, it increases less than 2 times when the fluence increases from 5×10~14 cm~-2 to 5×10~15 cm~-2 for the sample annealing at 900 ℃. The PL emission peaks around 622 nm of samples annealing at 900 ℃ can be well clarified by Gaussian fitting into 620.2, 622.0 and 625.0 nm, which are due to the Eu~3+ related with defects, Eu~3+ occupied at substitutional positions of Ga, and that located at interstitial sites, respectively. It shows that the different microenvironments and positions of Eu~3+ are responsible for these peaks, and especially the defects introduced by implantation play an important role in the behavior of the PL because they set up an energy transmission bridge from exotic photons to Eu~3+ .     

碳酸氢铵共沉淀法制备Gd2O3:Eu纳米晶及其性质研究

以硝酸稀土为原料,碳酸氢铵作沉淀剂,PVA为分散剂,通过控制一定的反应条件,制得易沉降、过滤的碳酸钆(铕),此前驱物在一定温度下焙烧即可得到Gd2O3:Eu纳米晶.通过红外光谱、差热-热重、X射线衍射、扫描电镜等多种分析测试方法,研究了碳酸钆(铕)的组成、分解过程,以及Gd2O3:Eu的形成过程、微观形貌和粒度.结果表明:前驱物碳酸钆(铕)在较低的温度(700 ℃)焙烧即可制得Gd2O3:Eu纳米晶的纯相,属立方晶系,颗粒呈球形.当焙烧温度从700 ℃升高到1 000 ℃时,粒径从约50 nm增大到70 nm.对样品的激发光谱、发射光谱测定表明:Gd2O3:Eu纳米晶在265 nm光激发下,发红光,发射光谱谱峰在611 nm;与体材料相比,激发光谱中电荷迁移带(CTB)明显红移,从体材料的255 nm移至265 nm.