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电子辐照高阻NTD硅中缺陷的退火特性 总被引:1,自引:1,他引:0
本文研究了高阻(80-110Ω.cm)NTD-FZ-Si-P^+n结中经电子辐照缺陷态在真空条件下的等时,等温退火特性,获得了5个缺陷能级,结果表明其中,E3,E4,能级是主要的复合中心。 相似文献
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利用深能级瞬态谱(DLTS)对电子辐照区熔硅中多稳态缺陷进行研究的结果表明,经2h1000℃温度退火后,观测到在Ec-0.44eV能级中的多稳组态由40%减少到10%左右。这一实验结果为稳态缺陷不是Ps-Ci结构,而是E中心自身在晶场应力下显示稳态特性的设相提供了有说服力的证明。 相似文献
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利用多种实验手段对电子辐照直拉硅退火过程中辐照缺陷的施主效应进行了研究,同时探讨了不同辐照剂量、初始氧含量以及预处理对辐照施主形成的影响.实验结果表明,电子辐照直拉硅后其电阻率迅速增加,低温退火即可恢复真实值;辐照施主是氧施主一缺陷的复合体,其激活温度在750℃左右,低温预处理有助于辐照施主的异质形核. 相似文献
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本文报导了关于高阻N型区熔NTD-Si-P^+N结二极管经电子辐照后的等温退火特性,获得5个缺陷能级:E1=0.16eV,E2=0。.27eV,E3=0.31eV,E4=0.37eV6和E5=0.42eV,结果表明E3和R4有比其它3个能极更好的热稳定性。 相似文献
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戚盛勇 《复旦学报(自然科学版)》1986,(4)
在90~300K温区范围内测试了中子辐照直拉硅单晶的正电子寿命谱及红外光谱,发现直拉硅单晶的中子辐照缺陷主要是双空位和氧-空位复合体.此外,还分析了这些缺陷的一些基本性质. 相似文献
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高寿命、低补偿的P型高阻硅单晶是制作激光探测器的重要材料。寿命是P型商阻硅单晶材料的重要参数。作者选择了3组N型多晶硅原材料进行试验,其中每组2个样品,共为6个样品。在实验的基础上,分析了影响P型高阻硅单晶材料寿命的因素。研究结果表明,P型高阻硅单晶材料的寿命不仅取决于晶体的完整性和材料的纯度,而且还与原材料和成晶工艺有密切关系,同时作者提出了提高P型高阻硅单晶的寿命的几点建议。 相似文献
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从PECVD法制取的n~+与n/n~+两种结构的a-Si:H试样,采用低温退火固相晶化工艺,得到了满足器件质量要求的大晶粒多晶硅膜。测试结果证实:在N_2气氛下,经6—10h的600℃(或800℃)温度的退火后,两种a-Si:H膜均已明显地晶化.测得了晶化膜的粒径>lμm,暗电导率、光电导率均比退火前增加了3个数量级,迁移率则增加了10—80倍。 相似文献
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诸平 《宝鸡文理学院学报(自然科学版)》1995,(4)
本文介绍一种适用于等价电子和非等价电子组态的j-j耦合推求J值的简单、系统方法,该方法不仅易被初学者接受,方便、快速、准确;而且还给出了判断推求结果正误的标准。 相似文献
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PECVD沉积氮化硅薄膜在退火过程中的特性变化及在太阳电池中的应用 总被引:3,自引:0,他引:3
采用等离子体增强化学气相沉积 (PECVD),在单晶硅衬底上生长氮化硅(SiN)薄膜,再对薄膜进行快速热退火处理,研究了在不同温度下SiN薄膜的退火特性.通过椭圆偏振光仪测量了薄膜厚度和薄膜的折射率,发现退火后薄膜的厚度下降,折射率升高;采用准稳态光电导衰减QSSPCD测少数载流子寿命,发现少子寿命有很大程度的下降.还研究了SiN薄膜对多晶硅电池性能的影响,发现它能较大幅度地提高电池效率. 相似文献
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利用带活动边界的“D'Alembert变分法”分析了硅片的氧化过程及此过程所引起的硅中杂质的再分布.氧化过程的理论分析结果及对两种常见的杂质初始分布的计算结果均与实验相符. 相似文献
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