N-(对硝基苯偶氮苯)-苯胺基苯的表征及光学性质研究

合成并表征了N-(对硝基苯偶氮苯)-苯胺基苯,制备了掺N-(对硝基苯偶氮苯)-苯胺基苯聚合物薄膜,并测试其光谱特性和折射率.根据光谱特性分析用632.8 nm的He-Ne激光用光泵浦测试法研究了薄膜光致双折射效应.结果表明该样品薄膜具有良好的光学性质并有望成为新型的光信息存储材料.     

高介电常数HfAlO氧化物薄膜基电荷俘获型存储器件性能研究

利用原子层沉积方法制备了高介电常数材料(HfO2)0.8(Al2O3)0.2薄膜基电荷俘获型存储器件,并对器件的电荷存储性能做了系统研究.利用高分辨透射电子显微(HRTEM)技术表征了(HfO2)0.8(Al2O3)0.2薄膜的形貌、尺寸及器件结构.采用4200半导体分析仪测试了存储器件的电学性能.研究发现,存储器件在栅极电压为±8V时的存储窗口达到3.5V;25℃,85℃和150℃测试温度下,通过外推法得到,经过10年的数据保持时间,存储器件的存储窗口减小量分别为17%,32%和48%;(HfO2)0.8(Al2O3)0.2薄膜基电荷俘获型存储器件经过105次写入/擦除操作后的电荷损失量仅为4.5%.实验结果表明,利用高介电常数材料(HfO2)0.8(Al2O3)0.2薄膜作为存储层能够提高器件的电荷俘获性能,具有良好的应用前景.     

正充电性单层有机光导器件的制备及性能研究

制备了新型化合物2,5,7,10-四叔丁基联苯醌,以此作为电子传输材料制备了正充电性有机光导器件,并对其光电性能进行了研究。研究结果表明,该新型化合物作为电子传输材料制备的光导器件具有较好的光电性能。     

2,5,7,10-四叔丁基联苯醌制备及性能研究

本工作制备了新型化合物2,5,7,10-四叔丁基联苯醌,并以之作为电子传输材料制备了正充电性有机光导器件,并对期间的光电性能进行了研究,研究表明新化合物作为电子传输材料制备的光导器件具有较好的光电性能。     

正充电性单层有机光导器件的制备及性能研究

制备了新型化合物2,5,7,10-四叔丁基联苯醌,以此作为电子传输材料制备了正充电性有机光导器件,并对其光电性能进行了研究.研究结果表明,该新型化合物作为电子传输材料制备的光导器件具有较好的光电性能.     

TS—1分子筛的合成条件和催化反应性能的研究

用硅胶（或硅溶胶）和钛酸酯在四乙基氢氧化铵（TEAOH）和四下基氢氧化铵（TBAOH）为摸板剂的条件下制备出钛硅分子筛TS—1；骨架红外（IR）、紫外没反射（DRS）、电子能谱（XPS）等，测试结果证实钛进入分子筛骨架；讨论了合成分子筛的条件对分子筛催化性能的影响．     

基于喷墨打印技术的柔性温度传感器阵列

采用喷墨打印技术,在柔性聚酰亚胺衬底上成功制备了银温度传感器。通过离子交换技术SMIE对聚酰亚胺衬底进行表面改性,喷墨打印机打印出所需的图形作为掩膜,实现了银电阻型温度器件的制备。通过SEM、XRD等测试方式对于制备得到的银层进行了表征,并对制备得到的温度传感器性能进行了研究。研究结果表明,通过SMIE技术制备的银电阻在-20?C~200?C的测试范围内,具有较好的温度灵敏度。设计得到的这类银电阻型温度探测器(RTD)可被广泛应用于柔性电子的原位温度探测中。     

含吡啶肼类衍生物电子传输材料的合成与性质研究

合成了含吡啶肼类衍生物Pybispy和Pybisqu,对其化学和电性能进行了研究,并应用于有机电致发光器件,结果表明,该系列化合物具有电子传输性能,可作为有机电致发光器件中的电子传输材料。     

叠层薄膜基电荷陷阱存储器的存储性能研究

随着半导体器件特征尺寸的不断减小,传统的浮栅型存储器件逐渐接近其物理和技术的极限,多晶硅-氧化物-氮化物-氧化物-硅(SONOS)型电荷存储器件以其低电压、小尺寸及良好兼容性等特点成为近年来半导体行业研究的热点.但是,写入/擦除速度与数据保持性能之间的平衡问题一直制约着SONOS型存储器件的发展.为了解决这一问题,本文利用脉冲激光沉积系统制备了叠层薄膜基电荷陷阱存储器件,其中SiO_2作为隧穿层,叠层ZrO_2/Al_2O_3作为电荷存储层,Al_2O_3作为阻挡层,并对器件的电荷存储性能做了系统分析.利用透射电子显微镜(TEM)表征了器件的微观结构,采用4200半导体参数分析仪测试了器件的电学性能,包括存储窗口、写入/擦除速度及数据保持性能.研究结果表明,存储器件具有良好的电荷存储性能.当栅极扫描电压为±2V时,存储窗口仅为0.9V,随着电压增加到±6和±8V时,存储窗口分别达到3和4.4V;+8V,5×10~(-5) s的写入操作下,平带偏移量达到1V;室温,85和150℃测试温度下,经过1×10~5 s的数据保持时间,器件的存储窗口减小量分别为5%,10%和24%.优异的电学性能主要归功于ZrO_2和Al_2O_3之间的深能级界面陷阱及层间势垒.因此,采用ZrO_2/Al_2O_3叠层薄膜结构作为电荷存储层,具有良好的市场应用前景.     

MOFs衍生含碳TiO_2的设计合成与光催化应用研究进展

TiO_2是一种典型的半导体光催化材料,因具有较高的光催化活性、稳定性和较低的成本,在光催化领域有着潜在的应用价值。绝大多数已报道的纳米TiO_2材料易团聚且光生电子空穴极易复合,大大限制了其在实际中的应用。MOFs高温下会使有机骨架热裂解,形成含大量的孔结构并暴露出活性位点的氧化物,用该方法制备的金属氧化物不仅比表面积较大,而且使金属氧化物高度分散在有机骨架裂解后的碳矩阵中,从而有效避免了纳米金属氧化物的团聚。重要的是,碳骨架可以传输光生电子,从而避免了光生电子和空穴的复合,大大提高了光催化效率。该文综述了近年来国内外对MOFs衍生制备TiO_2材料及其应用的研究报道,着重介绍了含碳TiO_2的设计合成与光催化应用研究进展,并对基于金属有机框架材料设计合成含碳氧化物及其光催化性能研究进行展望。