点状籽晶法生长KDP晶体的(100)面位错分布

通过光学显微镜对点状籽晶法生长的KDP晶体（100）面位错蚀坑的观察和分析，发现柱区的位错线走向不同于片状籽晶法生长的晶体。晶体的位错主要来自籽晶的位错。通过籽晶成锥-微溶-生长的过程可以减少籽晶锥区位错向晶体中的延伸，在晶体内部，当两条夹角很小的位错线相交时会合并成一条位错线。     

用RAP晶体加工废料制备硒酸氢铷

采用 4种不同的方法对邻苯二甲酸氢铷 (RAP)晶体加工废料进行处理 ,制成硒酸氢铷晶体的生长原料 .同时对这些途径进行比较 ,得出较佳的研制线路 .     

籽晶法生长五磷酸镧钕大晶体

本文报导籽晶法生长五磷酸镧钕大晶体的过程。测定了生长过程中的出水量——焦磷酸浓度曲线,设计的生长装置能有效地控制溶液中水的蒸发速率,从稀土氧化物与磷酸溶液中生长出外形完整、光学均匀性好的五磷酸镧钕大晶体,其尺寸为36.6×27.2×15.2mm。通过大量实验,获得了用籽晶法生长大晶体的良好条件。在室温下用不同泵浦方式均能使晶体实现激光运转,其结果与文献报导数据相符。     

采用顶部籽晶熔融辅助熔渗法制备高性能单畴GdBCO超导块材

在顶部籽晶熔渗生长工艺(TSIG)的基础上,本文采用熔融织构生长(MTG)辅助法制备高性能大尺寸单畴GdBCO超导块材,并且对样品的生长形貌、晶体界面生长结构、磁悬浮力以及捕获磁通进行了研究分析.研究结果表明,采用顶部籽晶熔融辅助熔渗生长工艺可以有效地提高NdBCO籽晶的利用率,抑制样品在生长过程中产生随机成核现象,从而大大地提高制备单畴样品的有效率.此外,用新的生长工艺还有助于提高GdBCO样品的性能.     

NLPP晶体中散射颗粒的研究

本文采用150W氙灯为光源,对用静止籽晶法及旋转籽晶法生长的大量晶NLPP晶体进行了超显微和透射法观察,研究了散射颗粒的形貌及分布规律,用离子探针分析了固态包裹体的成分;还发现了一种奇特的散射亮线,研究了其分布及本质。文中研究了这些缺陷对晶体激光输出的影响。文章最后讨论了缺陷产生机理及减少这些散射颗粒的改进措施。     

大截面KDP晶体生长方法的初探

采用改变溶液PH值的方法研究溶液酸碱度对KDP晶体柱面生长的影响．当溶液的pH值在适当高的情况下对晶体柱面生长有利．另外，就大截面积KDP晶体生长方法进行初步探讨，为了得到大截面KDP籽晶，采用限制晶体的Z向生长是一种有效的方法．     

水热法KTP晶体生长及形貌特征

晶体宏观形态和表面微形貌特征是晶体生长机制的具体反映,通过对晶体形貌特征的研究,探寻晶体生长的规律,为进一步改善晶体的质量打下基础。通过对水热法KTP晶体(磷酸钛氧钾,KT iOPO4,KTP)宏观形态和表面微形貌的研究,首次发现了KTP晶体中高指数晶面和{100}单形晶面上的螺旋生长纹,探讨发现高指数晶面和{100}单形晶面上螺旋纹的形成原因主要是溶液的过饱和度偏低以及籽晶的悬挂方式,为生长高质量的KTP晶体,提出了增大原材料溶解区与晶体生长区的温度差、改变籽晶的切向和悬挂方向等建议。     

软X射线分光晶体TAP缺陷成因的研究

测定了ＴＡＰ晶体中铊离子的价态，发现ＴＡＰ晶体中除了一价的铊离子Ｔｌ＋外，还有少量三价铊离子Ｔｌ３＋的存在．实验还测定ＴＡＰ晶体中存在的金属离子杂质，总量为０２０７ｍｇ／ｇ．联系ＴＡＰ结构的特点讨论了ＴＡＰ晶体存在Ｔｌ３＋和金属离子杂质是产生ＴＡＰ晶体结构缺陷的重要原因，并分析了ＴＡＰ晶体位错线基本走向平行于ｃ轴的原因     

大尺寸PbWO4:Y晶体光谱性能的均匀性研究

报道了用改进的布里奇曼(Bridgmam)法生长的大尺寸PbWO4:Y晶体光谱性能均匀性的研究.通过对依次切自大尺寸PbWO4:Y毛坯晶体的籽晶端、中间部位和顶端三块晶体(24 mm×24 mm×24 mm)的透射光谱、X-ray激发发射光谱、发光衰减寿命、光产额和辐照损伤等方面的光谱性能测试,表明了Y掺杂能显著改善PbWO4晶体的光谱性能,使晶体在短波330～420 nm范围的透过率明显提高,抗辐照能力增强.     

近化学计量比Fe:LiTaO3晶体的光折变性能

采用顶部籽晶溶液法（TSSG）,生长直径约10-15mm,长度为10mm的近化学计量比掺铁铌酸锂（Fe：SLN）和近化学计量比掺铁钽酸锂（Fe：SLT）晶体．采用二波耦合全息法测量了晶体的记录时间,擦除时间和饱和衍射效率;采用光斑畸变法测量了抗光损伤阈值．与Fe：SLN晶体相比,Fe：SLT晶体的饱和衍射效率降低,记录时间减小,抗光损伤能力显著提高,Fe：SLT晶体的抗光损伤闽值为420MW／cm^2。     

Effects of carbon diffusing field in alloy solvent on the growth of tower-shape diamond single crystal

High-quality type-Ib tower-shape diamond single crystals were synthesized in cubic anvil high pressure apparatus (SPD-6×1200) at 5.4 GPa and 1250-1450°C. The (100) face of seed crystal was used as the growth face, and FeNiMnCo alloy was used as the solvent/catalyst. Two kinds of carbon diffusing fields (type-B and type-G) were simulated by finite element method (FEM). Using the two kinds of carbon diffusing fields, many diamond single crystals were synthesized. The effects of carbon diffusing fields on the ...     

高白填料氢氧化铝的微观结构

不同分解工艺生产的高白填料,其氢氧化铝晶体生长形态不同.采用扫描电镜、X射线衍射和拉曼光谱等分析手段研究了碳分和种分氢氧化铝高白填料产品的微观结构,揭示了它们晶体发育的变化.结果表明,高白填料氢氧化铝晶体属单斜晶系,空间群P21/n,择优生长晶面均为(002)晶面;种分氢氧化铝晶体比碳分氢氧化铝晶体的(002)晶面择优取向因子值小,为多晶面生长;种分氢氧化铝晶体晶格参数比碳分氢氧化铝晶体晶格参数和拉曼光谱特征峰半高宽数值小,因此,种分高白填料氢氧化铝晶体中杂质和晶格缺陷比较少,晶体结晶度明显好于碳分高白填料产品.     

基于光测法的晶种量对结晶动力学影响研究

为进一步探究晶种添加量对于结晶动力学尤其是生长动力学的影响,以KNO3-H2O溶液为模型体系,结合光测法开展了添加晶种的间歇冷却结晶动力学实验.通过测定可反映结晶固相信息的体系透光率的变化曲线,结合溶液质量比和相对过饱和度等实测数据,借用前期所建的模型方程,拟合得到了结晶体系的成核与生长动力学参数.在此基础上,运用回代计算的方法,考察并分析了晶种添加量对于结晶成核与生长动力学的影响.结果表明:随着晶种添加量的提高,结晶体系的成核效应逐渐减弱,生长效应逐渐增强,晶体产品的粒度更趋于均匀;同时,单个晶体的线性生长速率却有所下降,从而导致产品的平均粒度减小.     

Inhibition of stray grains at melt-back region for re-using seed to prepare Ni-based single crystal superalloys

Assisted by the mold preinstalled an alumina tube into seed segment, the influence of the original primary dendrite spacing of seed on the formation of stray grains at melt-back region was investigated during Ni-based single crystal casting using seeding method. The results showed that the interface reaction between the seed and mold as well as the formation of stray grains at the surface of seed were avoid using an alumina tube with surface roughness of 0.35 μm as the mold inner wall. As the original primary dendrite spacing of the seed decreased to less than 201 μm, the morphology of un-melted solid phase in semi-solid zone changed from isolated dendrite stem to the complex network, resulting in the inhibition of the formation of stray grains inside of the seed. The seed with original primary dendrite spacing of 201 μm was also successfully re-used to fabricate single crystal casting.     

高铝粉煤灰制备氢氧化铝的比表面积及孔隙特性

以高铝粉煤灰烧结熟料为原料,经溶出、深度脱硅和分解(碳酸化分解或晶种分解)得到高白氢氧化铝,采用低温氮气吸附法分析两种分解方法制得的氢氧化铝的比表面积和孔隙分布.结果表明:氢氧化铝的等温吸附线属III类,氢氧化铝晶粒之间的孔隙以微孔为主,存在一定数量的介孔和大孔.碳分氢氧化铝BET比表面积和平均孔径远大于种分氢氧化铝,碳酸化分解时在CO2的强推动下,氢氧化铝猛烈析出并凝聚,使得晶体结构疏松,晶间空隙大.晶种分解靠晶体的长大而使晶体变粗,晶体结构致密,晶间空隙小.     

用凝胶法生长KClO4晶体

凝胶法是生长KClO4晶体最合适的方法．实验研究了反应物浓度、凝胶密度、温度、凝胶pH值对KClO4晶体成核数目、大小、形状及质量的影响，得出了生长较大尺寸、完整性好、高质量的KClO4晶体的最佳条件和参数．第一次对KClO4晶体形态、各晶面的显露程度进行定量分析，实验与理论分析相符合．证实了Hartman和Perdok的PBC理论．研究结果为下一步进行晶体生长机理研究打下了基础．     

一种水热生长的ZnO纳米线特性研究

水热生长ZnO纳米线一般分为两步,制备合适的衬底并生长纳米线.系统介绍了ZnO籽晶衬底以及无籽晶衬底制备过程,并讨论制备过程各步骤的功能.深入研究硝酸锌和六次甲基四胺混合液生长纳米线的反应过程,分别调节溶液浓度、水浴反应温度、PH值以及聚乙稀亚胺质量寻求最佳的生长条件.室温下ZnO纳米线的光致发光谱表明,存在紫外,蓝光和绿光发射峰.最后对水热法掺杂纳米线进行了介绍,掺杂材料和掺杂浓度决定纳米线的发光特性以及磁性.